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半导体
技术参数
概述
此沟道MOSFET具有更好的特性，如快速开关
时间，低导通电阻，低栅极电荷和出色的雪崩
的特点。它主要适用于背照式逆变器和电源
供应量。
KMB054N40DC
N沟道沟槽MOSFET
A
C
K
D
L
B
特点
V
DSS
= 40V ，我
D
=54A.
低漏源导通电阻。
: R
DS （ ON）
= 8.5米（最大） @ V
GS
=10V
: R
DS （ ON）
= 11米（最大） @ V
GS
=4.5V
超级高密度电池设计。
高功率和电流处理能力。
H
G
F
F
J
E
N
M
DIM毫米
_
A
6.60 + 0.20
_
6.10 + 0.20
B
_
5.34 + 0.30
C
_
D
0.70 + 0.20
_
E
2.70 + 0.15
_
2.30 + 0.10
F
0.96 MAX
G
0.90最大
H
_
1.80 + 0.20
J
_
2.30 + 0.10
K
_
0.50 + 0.10
L
_
M
0.50 + 0.10
0.70分钟
N
1
2
3
1.门
2.漏
3.源
最大额定值（ TA = 25
特征
漏源电压
栅源电压
漏电流
除非另有说明）
符号
V
DSS
V
GSS
N沟道
40
20
54
A
100
100
45
W
3.1
150
-55 150
2.8
40
/W
/W
A
单位
V
V
DPAK （1）
DC @ T
C
=25
脉冲
(Note1)
(Note2)
I
D
I
DP
I
S
记号
型号名称
漏源二极管正向电流
漏极功耗
@T
C
=25
@Ta=25
最高结温
存储温度范围
热阻，结到外壳
(Note1)
(Note1)
(Note2)
P
D
T
j
T
英镑
R
thJC
R
thJA
九巴
054N40
DC
批号
热阻，结到环境（注2 ）
注1 ）R
thJC
意味着无限散热片被安装。
注2 ）表面安装在1的“ 1 ”胶垫2盎司纯铜。
引脚连接（顶视图）
D
2
2
1
1
3
3
G
S
2009. 10. 26
版本号： 0
1/5
KMB054N40DC
电气特性（ TA = 25
特征
STATIC
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
th
V
GS
= 0V时，我
D
=250 A
V
GS
=0V, V
DS
=32V
V
GS
=
20V, V
DS
=0V
40
-
-
1.7
-
-
-
-
-
-
-
-
6.5
8.5
10.4
58
-
1
100
2.6
8.5
11
14
-
S
m
V
A
nA
V
)
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
符号
V
DS
=V
GS ，
I
D
=250 A
V
GS
= 10V ，我
D
=14A
漏源导通电阻
R
DS （ ON） *
V
GS
= 4.5V ，我
D
=11A
V
GS
= 10V ，我
D
= 14A ，T
j
=125
正向跨导
动态
输入电容
输出继电器容量
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
源极 - 漏极二极管评级
源极 - 漏极的正向电压
Note> *脉冲测试：脉冲宽度<300
V
GS
=10V
V
GS
=5V
g
FS *
V
DS
= 10V ，我
D
=20A
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
*
Q
g
*
Q
gs
*
Q
gd
*
t
D（上）
*
t
r
*
t
D（关闭）
*
t
f
*
V
DD
=20V, V
GS
=10V
I
D
= 1A ，R
G
=6
V
DS
=20V, V
GS
= 10V ，我
D
=14A
V
DS
= 20V ， F = 1MHz时， V
GS
=0V
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
1280
250
125
25.4
13.8
5.7
5.4
19
16
60
14
-
-
-
-
-
nC
-
-
-
-
ns
-
-
pF
V
SDF
*
，占空比< 2 ％
V
GS
= 0V时，我
S
=14A
-
0.8
1.2
V
2009. 10. 26
版本号： 0
2/5
KMB054N40DC
Fig1 。我
D
- V
DS
漏源极导通阻抗R
DS （ ON）
(m)
100
80
60
40
20
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
4.0V
V
GS
=10V
6.0V
Fig2 。
DS （ ON）
-I
D
30
Ta=25
C
5.0V
4.5V
漏电流I
D
(A)
15
V
GS
=4.5V
3.5V
V
GS
=10V
0
0
6
12
18
24
30
漏 - 源极电压V
DS
(V)
漏 - 电流I
D
(A)
Fig3 。我
D
- V
GS
漏源导通电阻R
DS （ ON）
(m)
100
V
DS
=5V
图四。
DS （ ON）
- T
j
20
V
GS
= 10V ，我
D
=14A
漏电流I
D
(A)
80
60
40
20
0
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
25
C
T
a
=125
C
-55
C
16
12
8
4
0
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
门源Volatage V
GS
(V)
结温Tj （ C）
Fig5 。 V
th
- T
j
栅极阈值电压V
th
(V)
5
4
3
2
1
0
-75
1000
Fig6 。我
S
- V
SDF
反向漏电流I
S
(A)
V
GS
=V
DS
I
D
=250A
100
TA = 125℃
10
TA = 25℃
1
0.1
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
结温Tj （ C）
源 - 漏正向电压V
SDF
(V)
2009. 10. 26
版本号： 0
3/5
KMB054N40DC
图7. V
GS
- 的Qg
10
2000
V
DS
= 20V
I
D
= 14A
图8. - V
DS
f=1MHz
栅 - 源电压V
GS
(V)
8
电容（pF）
1500
西塞
6
4
2
0
0
5
10
15
20
25
30
1000
500
科斯
0
0
CRSS
10
20
30
40
门 - 电荷Qg （ NC）
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig9 。安全工作区
10
3
R
DS （ ON）
有限
漏电流I
D
(A)
10
2
100us
1ms
10s
10
1
10ms
DC
10
0
10
-1
10
-1
V
GS
= 10V
单脉冲
T
C
= 25 C
10
0
10
1
10
2
漏 - 源极电压V
DS
(V)
标准化的有效瞬态热阻
Fig10 。瞬态热响应曲线
10
1
1
D = 0.5
0.2
P
DM
t
1
t
2
10
-1
0.1
0.05
0.02
单身
10
-2
0.01
- 税= T / T
T
J（下最大）
- T
c
- R
thJC
=
P
D
10
-3
10
-5
10
-4
10
-2
10
-1
1
10
方波脉冲持续时间TW （秒）
2009. 10. 26
版本号： 0
4/5
KMB054N40DC
Fig11 。门充电电路和波形
V
GS
10 V
肖特基
二极管
ID
0.5
V
DSS
I
D
1.0毫安
V
DS
V
GS
Q
Q
gs
Q
gd
Q
g
Fig12 。阻性负载开关
RL
V
DS
90%
0.5 V
DSS
6
V
DS
10 V
V
GS
10%
t
D（上）
tr
t
on
t
D（关闭）
V
GS
t
f
t
关闭
2009. 10. 26
版本号： 0
5/5
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KHAU-11D18L-6
KRC413
KMX213G
KAQY212
K6BLBU1.55NL328
KAV99
KF33BDT-TR
KF33BDTTR
K6T2008U2A-FF70
KP1836-205-F
KM44C256A-10
KTLP160J
KHB8D8N25P
KNS501A1/4
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    深圳市鹏顺兴科技有限公司
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    KMB054N40DC
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联系人：何小姐
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