一般信息
A. SDRAM组件订购信息
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
SDRAM
4 S X X X X X X X - X X X X
三星内存
DRAM
产品
密度&刷新
组织
速度
温度&电源
套餐类型
调整
接口（V
DD
, V
DDQ
)
银行
1.三星内存：K
8.修订
M
A
B
C
D
E
F
H
:
第一将军
:
第二届创
:
第三将军
:
第四将军
:
第五将军
:
第六届将军
:
第七代
:
第9代
J
:
第11届创
K
:
第12代
N
:
14根
2. DRAM ： 4
3.产品
S
:
SDRAM
4.密度&刷新
16
:
16MB， 4K / 64ms的
64
:
64MB， 4K / 64ms的
28
:
128MB， 4K / 64ms的
56
:
256MB， 8K / 64ms的
51
:
512MB， 8K / 64ms的
5.组织
04
:
06
:
07
:
08
:
16
:
32
:
6.银行
2
:
2银行
3
:
4银行
x4
×4栈（ Flex的帧）
×8堆栈（ Flex的帧）
x8
x16
x32
9.包装类型
U
:
TSOP II （无铅）
*1
T
:
TSOP II
V
:
sTSOP II （无铅）
*1
N
:
sTSOP II
L
:
TSOP II （无铅&无卤）
*1
注1：所有无铅和无卤素产品是
符合ROHS
10.温度&电源
C
:
商用温度（ 0 ° C 70 ° C） &普通电源
L
:
商用温度（ 0 ° C 70 ° C） &低功耗
I
:
工业温度（ -40 ° C 85°C ） &普通电源
P
:
工业温度（ -40 ° C 85°C ） &低功耗
11.速度（默认CL = 3 ）
75
:
7.5ns ， PC133 （ 133MHz的CL = 3 ）
60
:
6.0ns （ 166MHz的CL = 3 ）
50
:
5.0ns （ 200MHz的CL = 3）的
7.接口（V
DD
, V
DDQ
)
2
:
LVTTL （ 3.3V ， 3.3V ）
2007年11月
一般信息
B. SDRAM组件产品指南
密度
银行
产品型号
K4S640832K
64MB K-模
4Banks
K4S641632K
K4S640832N
64MB N-二模
4Banks
K4S641632N
K4S280432I
128MB I-模
4Banks
K4S280832I
K4S281632I
K4S280432K
128MB K-模
4Banks
K4S280832K
K4S281632K
K4S560432H
256MB H-模
4Banks
K4S560832H
K4S561632H
K4S560432J
256Mb的J-模
4Banks
K4S560832J
K4S561632J
K4S510432D
512MB D-死
4Banks
K4S510832D
K4S511632D
注1 ：
U： TSOP （ II ） （无铅）
L： TSOP （ II ） （无铅&无卤）
注2 ：
温度和功率
C
L
描述
温度，正常功耗
温度，低功耗
包
*1
＆放大器;电源
*2
＆放大器;
速度
*3
UC75
UL75
UC50/C60/C75
UL50/L60/L75
LC75
LL75
LC50/C60/C75
LL50/L60/L75
UC75
UL75
UC75
UL75
UC60/C75
UL60/L75
U
*4
C75
UL75
UC75
UL75
UC60/C75
UL60/L75
UC75
UL75
UC75
UL75
UC60/C75
UL60/L75
U
*4
C75
UL75
UC75
UL75
UC60/C75
UL60/L75
UC75
UL75
UC75
UL75
UC75
UL75
组织。
8M ×8
LVTTL
4M ×16
8M ×8
LVTTL
4M ×16
32M ×4
16M ×8
8M ×16
32M ×4
16M ×8
8M ×16
64M ×4
32M ×8
16M ×16
64M ×4
32M ×8
16M ×16
128M ×4
64M ×8
32M ×16
LVTTL
8K/64ms
3.3
±
0.3V
LVTTL
8K/64ms
3.3
±
0.3V
LVTTL
8K/64ms
3.3
±
0.3V
LVTTL
4K/64ms
3.3
±
0.3V
LVTTL
4K/64ms
3.3
±
0.3V
4K/64ms
3.3
±
0.3V
4K/64ms
3.3
±
0.3V
接口
刷新
电源（ V）
包
SDRAM
无济于事。
无铅54pin TSOP （ II ）
EOL
十二月'08
无铅&卤素 -
免费
54pin TSOP （II）的
4Q’07
CS
无铅54pin TSOP （ II ）
EOL
八月'08
无铅&卤素 -
免费
54pin TSOP （II）的
*4
NOW
无铅54pin TSOP （ II ）
EOL
九月'08
无铅&卤素 -
免费
54pin TSOP （II）的
*4
NOW
无铅54pin TSOP （ II ）
NOW
注3 ：
速度
75
60
50
描述
7.5ns ， PC133 （ 133Mhz的@ CL = 3 ）
6.0纳秒（ 166MHZ @ CL = 3 ）
5.0纳秒（ 200Mhz的@ CL = 3 ）
*所有的产品都与PC100的向后兼容性。
- 商用温度（0°C <钽< 70 ° C）
注4 ：128MB K-模SDR和256MB无铅封装代码J-模SDR DRAM的支持无铅&无卤封装（ -U ）
2007年11月
一般信息
C.
工业温度
SDRAM组件产品指南
密度
64Mb
K-模
64Mb
N-二模
128Mb
I-死
128Mb
K-模
256Mb
H-模
256Mb
J-模
银行
4Banks
4Banks
4Banks
4Banks
4Banks
4Banks
产品型号
KS641632K
KS641632N
K4S281632I
K4S281632K
K4S561632H
K4S561632J
包
*1
＆放大器;电源
*2
&速度
*3
UI60/I75
UP60/P75
LI60/I75
LP60/P75
UI60/I75
UP60/P75
U
*4
I60/I75
UP60/P75
UI60/I75
UP60/P75
U
*4
I60/I75
UP60/P75
组织。
4M ×16
4M ×16
8M ×16
8M ×16
16M ×16
16M ×16
接口
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
LVTTL
刷新
4K/64ms
4K/64ms
4K/64ms
4K/64ms
8K/64ms
8K/64ms
电源（ V）
3.3
±
0.3V
3.3
±
0.3V
3.3
±
0.3V
3.3
±
0.3V
3.3
±
0.3V
3.3
±
0.3V
包
SDRAM
无济于事。
EOL
DEC.’08
1Q’08
EOL
AUG.’08
NOW
EOL
SEP.’08
NOW
无铅54pin TSOP （ II ）
无铅&无卤
54pin TSOP （II）的
无铅54pin TSOP （ II ）
无铅&无卤
54pin TSOP （II）的
*4
无铅54pin TSOP （ II ）
无铅&无卤
54pin TSOP （II）的
*4
注1 ：
U： TSOP （ II ） （无铅）
L： TSOP （ II ） （无铅&无卤）
注2 ：
温度和功率
I
P
描述
工业级温度，正常功耗
工业级温度，低功耗
注3 ：
速度
75
60
50
描述
7.5ns ， PC133 （ 133Mhz的@ CL = 3 ）
6.0纳秒（ 166MHZ @ CL = 3 ）
5.0纳秒（ 200Mhz的@ CL = 3 ）
- 工业温度（ -40°C <钽< 85°C ）
注4 ：128MB K-模SDR和256MB无铅封装代码J-模SDR DRAM的支持无铅&无卤封装（ -U ）
2007年11月
一般信息
D. SDRAM模块订购信息
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
SDRAM
米乘X个S X X X X X X X - X X X
内存模块
DIMM配置
数据位
特征
深度
刷新， ＃银行的比较。 &接口
速度
动力
PCB版本&类型
包
组件版本
组成成分
1.内存模块：M
7.组成成分
0
3
4
8
9
:
:
:
:
:
x4
x8
x16
×4栈（ Flexframe ）
×8堆栈（ Flexframe ）
2. DIMM配置
3
:
DIMM
4
:
SODIMM
3.数据位
63 : x63
PC100 / PC133
μSODIMM
与SPD为144pin
64 : x64
PC100 / PC133 SODIMM
与SPD为144pin （英特尔/ JEDEC ）
66 : x64
无缓冲DIMM
与SPD为144pin / 168PIN （英特尔/ JEDEC ）
74 : x72
/ ECC无缓冲DIMM
与SPD为168PIN （英特尔/ JEDEC ）
77 : x72
/ ECC PLL +注册DIMM
与SPD为168PIN （英特尔PC100 ）
90 : x72
/ ECC PLL +注册DIMM
与SPD为168PIN （ JEDEC PC133 ）
4.功能
S
:
SDRAM
5.深度
16
:
16M
32
:
32M
64
:
64M
28
:
128M
56
:
256M
09
17
33
65
29
59
:
8M （为128MB / 512MB的）
:
16M （为128MB / 512MB的）
:
32M （为128MB / 512MB的）
:
64M （为128MB / 512MB的）
:
128M （为128MB / 512MB的）
:
256M （为128MB / 512MB的）
8.组件版本
M
B
D
F
J
:
第一将军
:
第三将军
:
第五将军
:
7将军
:
11H将军
A
C
E
H
:
:
:
:
第二届创
第四将军
第六届将军
9H将军
9.包
T
N
U
V
:
:
:
:
TSOP （II）的
(400mil)
sTSOP （II）的
(400mil)
TSOP （ II ），无铅（ 400mil ）
sTSOP （ II ）无铅（ 400mil ）
10. PCB版本&类型
0
:
母亲PCB
2
:
第二个版本
U
:
薄型DIMM
1
:
第一个版本
3
:
第3版本
S
:
4Layer PCB 。
11.电源
C
:
商业师范大学
L
:
商用低
( 0°C ~ 70°C)
( 0°C ~ 70°C)
6.刷新，在补偿＃银行。 &接口
2
:
5
:
4K / 64ms的参考， 4Banks & LVTTL
8K / 64ms的参考， 4Banks & LVTTL
12.速度（默认CL = 3 ）
7A
:
PC133 （ 133MHz的CL = 3 / PC100 CL2 ）
2007年11月
QQ：2880707522 复制
