【K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭文档标题256Kx8位低功耗和低电压CMOS静态R】,IC型号K6T2008U2A-FF70,K6T2008U2A-FF70 PDF资料,K6T2008U2A-FF70经销商,ic,电子元器件-51电子网

K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭

文档标题

256Kx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM

CMOS SRAM

修订历史

版本号

0.0

1.0

2.0

历史

设计目标

敲定

修订

- 添加FBGA封装类型

勘误校正

- 删除TTL Compatible'from特点

’

数据稿

1998年5月26日

1998年10月8日

1999年7月21日

备注

ADVANCE

最终科幻

2.01

2001年10月24日

最终科幻

所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。， LTD 。保留更改规格的权利，

产品。三星电子将回答您的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。

修订版2.01

2001年10月

K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭

256Kx8位低功耗和低电压CMOS静态RAM

特点

工艺技术： TFT

组织： 256Kx8

电源电压

K6T2008V2A系列： 3.0V 3.6V

K6T2008U2A系列： 2.7V 3.3V

低数据保持电压： 2V （最小值）

三态输出

封装类型： 32 TSOP1-0820F ， 32 TSOP1-0813.4F

48-FBGA-6.00x7.00

CMOS SRAM

概述

该K6T2008V2A和K6T2008U2A家庭被制作

三星先进的CMOS工艺技术。在FAM-

随手支持各种操作的温度范围和有

系统设计的灵活性，用户的各种封装类型。该

家人也支持低数据保持电压，用于电池后台

操作起来具有低数据保持电流。

产品系列

功耗

产品系列

工作温度范围的Vcc

速度

待机

SB1

，最大值）

10A

30mA

15A

操作

CC2,

MAX ）

PKG型

K6T2008V2A-B

K6T2008U2A-B

K6T2008V2A-F

K6T2008U2A-F

Commercial(0~70°C)

3.0~3.6V

2.7~3.3V

70/85ns

/85/100ns

Industrial(-40~85°C)

3.0~3.6V

2.7~3.3V

32-TSOP1-0820F

32-TSOP1-0813.4F

48-FBGA-6.00x7.00

1.参数与30pF的测试负载测试

2. K6T2008V2A家庭= 35毫安

引脚说明

A11

A13

CS2

A15

A17

A16

A14

A12

A10

CS1

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

I/O3

I/O2

I/O1

CS2

功能框图

CLK GEN 。

预充电电路。

I/O5

I/O1

A16

A15

32-TSOP1

32-sTSOP1

类型 - 前进

I/O6

I/O2

A14

A13

VSS

VCC

A12

A11

A10

ROW

SELECT

存储阵列

1024行

256 × 8列

VCC

VSS

I/O7

A17

I/O3

I/O8

CS1

A16

A15

I/O4

A10

A11

A12

A13

A14

I / O

48 - FBGA ：俯视图（球下）

I / O

数据

CONT

I / O电路

列选择

名字

功能

名字

功能

数据

CONT

， CS

片选输入

输出使能输入

写使能输入

地址输入

I / O

-I / O

数据输入/输出

VCC

VSS

动力

地

无连接

A1 A17 A6 A5 A4 A3

控制

逻辑

三星电子有限公司

保留更改产品规格，恕不另行通知。

修订版2.01

2001年10月

K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭

产品列表

商用产品温度（ 0 70 ° C）

部件名称

K6T2008V2A-TB70

K6T2008V2A-TB85

K6T2008U2A-TB70

K6T2008U2A-TB85

K6T2008U2A-TB10

K6T2008V2A-YB70

K6T2008V2A-YB85

K6T2008U2A-YB70

K6T2008U2A-YB85

K6T2008U2A-YB10

功能

32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

CMOS SRAM

工业产品温度（ -40 85°C ）

部件名称

功能

32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP1 -F ，为100ns ， 3.3V ， LL

32 TSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 TSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.3V ， LL

32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.3V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为100ns ， 3.3V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为70ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ， 85ns ， 3.0V ， LL

32 sTSOP1 -F ，为100ns ， 3.0V ， LL

48 - FBGA ，为70ns ， 3.3V ， LL

48 - FBGA ， 85ns ， 3.3V ， LL

48 - FBGA ，为70ns ， 3.0V ， LL

48 - FBGA ， 85ns ， 3.0V ， LL

K6T2008V2A-TF70

K6T2008V2A-TF85

K6T2008V2A-TF10

K6T2008U2A-TF70

K6T2008U2A-TF85

K6T2008U2A-TF10

K6T2008V2A-YF70

K6T2008V2A-YF85

K6T2008V2A-YF10

K6T2008U2A-YF70

K6T2008U2A-YF85

K6T2008U2A-YF10

K6T2008V2A-FF70

K6T2008V2A-FF85

K6T2008U2A-FF70

K6T2008U2A-FF85

功能说明

I / O

高-Z

DOUT

DIN

模式

取消

输出禁用

读

写

动力

待机

活跃

1， X表示不关心（必须是在高温或低温状态）

绝对最大额定值

项

任何引脚相对于VSS的电压

在VCC电源相对于Vss电压

功耗

储存温度

工作温度

符号

OUT

英镑

评级

-0.5到V

+0.5

-0.3 4.6

1.0

-65到150

0到70

-40到85

单位

°C

备注

K6T2008V2A -B ， K6T2008U2A -B

K6T2008V2A -F ， K6T2008U2A -F

1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应

仅限于推荐的操作条件。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响可靠性。

修订版2.01

2001年10月

K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭

建议的直流工作条件

项

电源电压

地

输入高电压

输入低电压

符号

VCC

VSS

产品

K6T2008V2A家庭

K6T2008U2A家庭

所有的家庭

K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭

民

3.0

2.7

2.2

-0.3

CMOS SRAM

典型值

3.3

3.0

最大

3.6

3.3

Vcc+0.3

0.6

单位

注意：

1.商业产品：T已

= 0 70℃ ，特别说明

工业全国生产吨：T已

= -40 85 ℃，特别说明

2.过冲：如果脉冲width≤30ns的VCC + 2.0V

3.冲： -2.0V的情况下脉冲width≤30ns的

4.过冲和下冲进行采样，而不是100 ％测试。

电容

（ F = 1MHz的，T

=25°C)

项

输入电容

输入/输出电容

1.电容进行采样，而不是100 ％测试

符号

测试条件

=0V

民

最大

单位

DC和工作特性

项

输入漏电流

输出漏电流

工作电源电流

平均工作电流

符号

CC1

CC2

输出低电压

输出高电压

待机电流（ TTL ）

待机电流（ CMOS ）

1. K6T2008V2A家庭= 35毫安

2.工业产品= 15μA

测试条件

= VSS到Vcc

或CS

或OE = V

或WE = V

, V

= VSS到Vcc

= 0毫安， CS

， CS

IH ，

或V

周期时间= 1μs的时间， 100 ％的关税，我

= 0毫安， CS

≤0.2V,

≥Vcc-0.2V,

≤0.2V

或V

≥V

-0.2V

循环时间=分钟，100％占空比，我

= 0毫安， CS

， CS

IH ，

或V

最小典型最大单位

-1

2.4

0.2

0.4

0.3

SB1

=2.1mA

=-1.0mA

， CS

，其它输入= V

或V

≥Vcc-0.2V,

≥Vcc-0.2V

或CS

≤0.2V,

其他输入= 0 Vcc的

修订版2.01

2001年10月

K6T2008V2A ， K6T2008U2A家庭

交流工作条件

测试条件

（测试负载和输入/输出参考）

输入脉冲电平： 0.4 2.2V

输入上升和下降时间： 5ns的

输入和输出参考电压： 1.5V

输出负载（见右图）：C

=100pF+1TTL

=30pF+1TTL

CMOS SRAM

1.包括范围和夹具电容

AC特性

（ K6T2008V2A系列： V

= 3.0 3.6V ， K6T2008U2A系列： V

=2.7~3.3V

商业产品：T已

= 0 70 ° C，工业产品：T已

= -40 85 ℃）下

速箱

参数表

符号

70ns

民

读周期时间

地址访问时间

芯片选择输出

输出使能到输出有效

读

芯片选择低阻抗输出

输出使能为低阻抗输出

芯片禁用到高阻输出

输出禁止到高阻输出

从地址变更输出保持

写周期时间

片选写的结束

地址建立时间

地址有效到写结束

写

把脉冲宽度

写恢复时间

写入输出高阻

数据写入时间重叠

从时间写数据保持

结束写入到输出低Z

CO1

, t

CO2

OLZ

OHZ

WHZ

最大

民

85ns

最大

100ns

民

100

最大

100

单位

数据保持特性

项

VCC为数据保留

数据保持电流

数据保留的建立时间

恢复时间

符号

SDR

RDR

≥Vcc-0.2V

VCC = 3.0V ， CS

≥Vcc-0.2V

看到数据保存波形

测试条件

民

2.0

典型值

0.2

最大

3.6

单位

1. CS

≥Vcc-0.2V,

≥Vcc-0.2V(CS

控制）或CS

≤0.2V(CS

控制）

2.工业PROD

UCTS = 15

修订版2.01

2001年10月