KM611001/L
1米x 1位高速CMOS SRAM
特点
快速存取时间20 ， 25 ，为35ns （最大）
低功耗
待机（ TTL ） ： 40毫安（最大）
（ CMOS ） ：2 MA（最大）
0.5毫安（最大） - L-版本。
工作KM611001 / L -20 ： 130毫安（最大）
KM611001 / L -25 ：110 MA（最大）
KM611001 / L -35 ：100 MA（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
低数据保持电压： 2V （分钟） - L-版仅
标准引脚配置
KM611001P / LP ： 28 - DIP -400
KM611001J / LJ ： 28 SOJ -400A
CMOS SRAM
概述
该KM611001 / L为1,048,576位高速静态
随机存取记忆体组织为1,048,576
字1位。该KM611001 / L具有独立的输入
输出线快速读取和写入访问。该
设备采用先进的Samsung`s被制造
CMOS工艺和设计用于高速电路
技术。它特别适于在高使用
密度高速系统的应用程序。该
KM611001 / L封装在一个400万28引脚塑料DIP
或SOJ 。
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A0
A1
A2
A3
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
A19
A18
A17
A16
A15
A14
N.C
A13
A12
A11
A10
DIN
/ CS
A0
A1
行选择
A2
A3
A5
A6
A7
A8
A9
DIN
DOUT
存储阵列
512行
2048x1列
A5
N.C
A6
A7
A8
A9
DOUT
/ WE
VSS
SOJ / DIP
22
21
20
19
18
17
16
15
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
引脚说明
A4 A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16 A17 A18 A19
引脚名称
A0-A19
/ WE
/ CS
DIN
DOUT
VCC
VSS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
数据输入
数据输出
电源（+ 5V）的
地
无连接
/ CS
/ WE
1
修订版2.0
July-1996
KM611001/L
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
TSTG
T
A
CMOS SRAM
等级
- 0.5 7.0
- 0.5 7.0
1.0
- 65 150
0到70
单位
V
V
W
°C
°C
*应力大于下"Absolute最大Rating"可能会对设备造成永久性损坏。
这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值。
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
* V
IL
（最小值） = -2.0 （脉冲宽度
≤
为10ns ），因为我
≤
20mA
** V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V （脉宽
≤
为10ns ），因为我
≤
20mA
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
=5.0V
±
的10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
ILI
国际劳工组织
ICC
测试条件
VIN = VSS到Vcc
/ CS = VIH或/ OE = VIH或/ WE = VIL
V
OUT
=V
SS
到Vcc
分钟。周期， 100 ％占空比
/ CS = VIL ， VIN = VIH或VIL ，
IOUT=0mA
待机电流
ISB
ISB1
输出低电压
输出高电压
VOL
VOH
分钟。周期， / CS = VIH
F = 0MHz处， / CS
≥
Vcc-0.2V,
VIN
≥
VCC -0.2V或VIN
≤
0.2V
IOL=8mA
IOH = - 4毫安
正常
L-版本
20ns
25ns
35ns
-
-
-
-
-
-
-
2.4
130
110
100
40
2
0.5
0.4
-
V
V
mA
mA
mA
民
-2
-2
最大
2
2
单位
A
A
DC和工作特性
2
修订版2.0
July-1996
KM611001/L
电容*
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
CI / O
测试条件
VIN=0V
VI/O=0V
CMOS SRAM
分钟。
-
-
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
*注：电容进行采样，而不是100 ％测试。
AC特性
测试条件对数据RAM
（ TA = 0 70 ° C， VCC = 5.0V
±
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
的10％ ，除非另有说明）。
价值
0至3伏
3ns
1.5V
见下文
输出负载（ A）
输出负载（ B）
太赫兹， TLZ ， tWHZ ，拖车， TOLZ ， & tOHZ
+5.0V
480
DOUT
255
30pF*
DOUT
255
+5.0V
480
5pF*
*包括范围和夹具电容
3
修订版2.0
July-1996
KM611001/L
时序图
读周期时序波形（ 1 ）
（ / CS = VIL ， / WE = VIH ）
TRC
地址
TAA
TOH
数据输出
以前的数据有效
（地址控制）
CMOS SRAM
数据有效
读周期时序波形（ 2 ）
（ / WE = VIH ）
TRC
地址
TAA
TCO
/ CS
TOH
数据输出
高-Z
吨LZ （ 4,5 ）
数据有效
TPU
50%
tPD的
50%
吨HZ （ 3,4,5）
VCC电源
当前
ICC
ISB
注（读周期）
1 / WE高读周期。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3.太赫兹被定义为在所述输出达到所述开路状态而没有被引用到VOH或时间
VOL电平。
4.在任何给定的温度和电压条件下，太赫兹（最大）小于TLZ （分）都对于给定的设备和从
设备到设备。
5.转换测量± 200mV的从稳态电压与负载（B ） 。这个参数进行采样，而不是100 ％
测试。
6.设备，不间断地与/ CS = VIL选择
7.地址有效之前，暗合/ CS变为低电平。
5
修订版2.0
July-1996
KM611001/L
1米x 1位高速CMOS SRAM
特点
快速存取时间20 ， 25 ，为35ns （最大）
低功耗
待机（ TTL ） ： 40毫安（最大）
（ CMOS ） ：2 MA（最大）
0.5毫安（最大） - L-版本。
工作KM611001 / L -20 ： 130毫安（最大）
KM611001 / L -25 ：110 MA（最大）
KM611001 / L -35 ：100 MA（最大）
单5.0V ± 10 ％电源
TTL兼容的输入和输出
全静态工作
- 无时钟或刷新要求
三态输出
低数据保持电压： 2V （分钟） - L-版仅
标准引脚配置
KM611001P / LP ： 28 - DIP -400
KM611001J / LJ ： 28 SOJ -400A
CMOS SRAM
概述
该KM611001 / L为1,048,576位高速静态
随机存取记忆体组织为1,048,576
字1位。该KM611001 / L具有独立的输入
输出线快速读取和写入访问。该
设备采用先进的Samsung`s被制造
CMOS工艺和设计用于高速电路
技术。它特别适于在高使用
密度高速系统的应用程序。该
KM611001 / L封装在一个400万28引脚塑料DIP
或SOJ 。
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路
引脚配置
（ TOP VIEW ）
A0
A1
A2
A3
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
VCC
A19
A18
A17
A16
A15
A14
N.C
A13
A12
A11
A10
DIN
/ CS
A0
A1
行选择
A2
A3
A5
A6
A7
A8
A9
DIN
DOUT
存储阵列
512行
2048x1列
A5
N.C
A6
A7
A8
A9
DOUT
/ WE
VSS
SOJ / DIP
22
21
20
19
18
17
16
15
数据
续。
CLK
将军
I / O电路
列选择
引脚说明
A4 A10 A11 A12 A13 A14 A15 A16 A17 A18 A19
引脚名称
A0-A19
/ WE
/ CS
DIN
DOUT
VCC
VSS
N.C
引脚功能
地址输入
写使能
芯片选择
数据输入
数据输出
电源（+ 5V）的
地
无连接
/ CS
/ WE
1
修订版2.0
July-1996
KM611001/L
绝对最大额定值*
参数
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN，OUT
V
CC
P
D
TSTG
T
A
CMOS SRAM
等级
- 0.5 7.0
- 0.5 7.0
1.0
- 65 150
0到70
单位
V
V
W
°C
°C
*应力大于下"Absolute最大Rating"可能会对设备造成永久性损坏。
这是一个额定值，器件运行在超过或任何其他条件
本说明书中的操作部分表示是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件下可能会影响其可靠性。
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 70℃ ）
参数
电源电压
地
输入低电压
输入高电压
符号
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
民
4.5
0
2.2
-0.5*
典型值。
5.0
0
-
-
最大
5.5
0
Vcc+0.5**
0.8
单位
V
V
V
V
* V
IL
（最小值） = -2.0 （脉冲宽度
≤
为10ns ），因为我
≤
20mA
** V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V （脉宽
≤
为10ns ），因为我
≤
20mA
(T
A
= 0至70℃ ，V
CC
=5.0V
±
的10％ ，除非另有规定）
参数
输入漏电流
输出漏电流
工作电流
符号
ILI
国际劳工组织
ICC
测试条件
VIN = VSS到Vcc
/ CS = VIH或/ OE = VIH或/ WE = VIL
V
OUT
=V
SS
到Vcc
分钟。周期， 100 ％占空比
/ CS = VIL ， VIN = VIH或VIL ，
IOUT=0mA
待机电流
ISB
ISB1
输出低电压
输出高电压
VOL
VOH
分钟。周期， / CS = VIH
F = 0MHz处， / CS
≥
Vcc-0.2V,
VIN
≥
VCC -0.2V或VIN
≤
0.2V
IOL=8mA
IOH = - 4毫安
正常
L-版本
20ns
25ns
35ns
-
-
-
-
-
-
-
2.4
130
110
100
40
2
0.5
0.4
-
V
V
mA
mA
mA
民
-2
-2
最大
2
2
单位
A
A
DC和工作特性
2
修订版2.0
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KM611001/L
电容*
（ F = 1MHz时， TA = 25°C ）
项
输入电容
输入/输出电容
符号
CIN
CI / O
测试条件
VIN=0V
VI/O=0V
CMOS SRAM
分钟。
-
-
马克斯。
7
7
单位
pF
pF
*注：电容进行采样，而不是100 ％测试。
AC特性
测试条件对数据RAM
（ TA = 0 70 ° C， VCC = 5.0V
±
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载
的10％ ，除非另有说明）。
价值
0至3伏
3ns
1.5V
见下文
输出负载（ A）
输出负载（ B）
太赫兹， TLZ ， tWHZ ，拖车， TOLZ ， & tOHZ
+5.0V
480
DOUT
255
30pF*
DOUT
255
+5.0V
480
5pF*
*包括范围和夹具电容
3
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KM611001/L
时序图
读周期时序波形（ 1 ）
（ / CS = VIL ， / WE = VIH ）
TRC
地址
TAA
TOH
数据输出
以前的数据有效
（地址控制）
CMOS SRAM
数据有效
读周期时序波形（ 2 ）
（ / WE = VIH ）
TRC
地址
TAA
TCO
/ CS
TOH
数据输出
高-Z
吨LZ （ 4,5 ）
数据有效
TPU
50%
tPD的
50%
吨HZ （ 3,4,5）
VCC电源
当前
ICC
ISB
注（读周期）
1 / WE高读周期。
2.所有的读周期的时序被从最后一个有效地址到第一过渡地址引用。
3.太赫兹被定义为在所述输出达到所述开路状态而没有被引用到VOH或时间
VOL电平。
4.在任何给定的温度和电压条件下，太赫兹（最大）小于TLZ （分）都对于给定的设备和从
设备到设备。
5.转换测量± 200mV的从稳态电压与负载（B ） 。这个参数进行采样，而不是100 ％
测试。
6.设备，不间断地与/ CS = VIL选择
7.地址有效之前，暗合/ CS变为低电平。
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修订版2.0
July-1996
