K9F1208D0A K9F1216D0A
K9F1208U0A K9F1216U0A
FL灰内存
64M ×8位/ 32M x 16位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F1208D0A-Y,P
K9F1216D0A-Y,P
K9F1208U0A-Y,P
K9F1208U0A-V,F
K9F1216U0A-Y,P
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
2.4 ~ 2.9V
组织
X8
X16
X8
X16
PKG型
TSOP1
TSOP1
TSOP1
WSOP1
TSOP1
特点
电源
- 2.65V设备( K9F12XXD0A ) : 2.4 2.9V
- 3.3V器件( K9F12XXU0A ) : 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列
- X8设备( K9F1208X0A ) : ( 64M + 2048K )位×8位
- X16设备( K9F1216X0A ) : ( 32M + 1024K )位x 16位
- 数据寄存器
- X8设备( K9F1208X0A ) : ( 512 + 16 )位x 8位
- X16装置( K9F1216X0A ):( 256 + 8)位x16bit
自动编程和擦除
- 页编程
- X8设备( K9F1208X0A ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9F1216X0A ) : ( 256 + 8 )字
- 块擦除:
- X8设备( K9F1208X0A ) : ( 16K + 512 )字节
- X16设备( K9F1216X0A ) : ( 8K + 256 )字
页面读取操作
- 页面大小
- X8设备( K9F1208X0A ) : ( 512 + 16 )字节
- X16设备( K9F1216X0A ) : ( 256 + 8 )字
- 随机存取
: 12μs (最大值)。
- 串行页面访问:为50ns (最小值)
快速写周期时间
- 计划时间:为200μs (典型值)
- 块擦除时间: 2毫秒(典型值)。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力
: 100K编程/擦除周期
- 数据保存: 10年
命令寄存器操作
智能拷贝回
独特的ID为版权保护
包
- K9F12XXX0A - YCB0 / YIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距)
- K9F1208U0A - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm )
- K9F12XXX0A - PCB0 / PIB0
48 - 引脚TSOP I( 12 ×20 / 0.5 mm间距) - 无铅封装
- K9F1208U0A - FCB0 / FIB0
48 - 针WSOP I( 12X17X0.7mm ) - 无铅封装
* K9F1208U0A - V,F ( WSOPI )是相同的设备
K9F1208U0A -Y , P( TSOP1 )除了封装类型。
概述
提供在64Mx8bit或32Mx16bit的K9F12XXX0A为512M位有备用16M比特容量。该器件采用2.65V , 3.3V
VCC。它的NAND单元提供了最具成本效益的解决方案,为固态大容量存储市场。程序操作即可
在典型为200μs执行的528个字节(X8设备)上,或264个字( X16设备)页和擦除操作可在执行
在16K字节的典型2ms的( X8设备)或8K字( X16器件)模块。在页面的数据可以被读出,在每一个字节50ns的周期时间(X8
设备)或字( X16的装置) 。该I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。在导通
芯片写入控制自动完成所有的编程和擦除功能,包括脉冲重复,在必要时,和内部验证和
裕数据。即使是写密集型系统可以采取K9F12XXX0A的扩展的100K计划的可靠性的优势/
通过提供ECC (纠错码)与实时映射出的算法擦除周期。该K9F12XXX0A是最佳解决方案
灰对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他需要的非挥发性的便携式应用。
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