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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第65页 > K9F6408U0C-F
K9F6408U0C
FL灰内存
文档标题
8M ×8位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1. I
OL
1.8V装置（R / B）的改变。
-min 。价值： 7毫安-->3mA
-typ 。价值： 8毫安-->4mA
2.包件号被修改。
K9F6408U0C -Y --- > K9F6408U0C_T
3.交流参数被改变。
激进党（分钟） ： 30ns的-->为25ns
0.2
1. TBGA封装被改变。
- 9mmX11mm 63ball TBGA --- > 6mmX8.5mm 48ball TBGA
2.产品编号（ TBGA封装部件号）变更
- K9F6408Q0C -D ---- > K9F6408Q0C -B
- K9F6408U0C -D ----- > K9F6408U0C -B
3. K9F6408U0C - BCB0 ， BIB0产品中加入
0.3
1. WSOP1包添加。
- 部件号： K9F6408U0C_VCB0 ，威宝
1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第28页）
2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约
1.1V 。 （第29页）
最小。 VCC值1.8V器件被改变。
K9F64XXQ0C ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V
无铅封装添加。
K9F6408U0C-QCB0,QIB0
K9F6408U0C-HCB0,HIB0
K9F6408Q0C-HCB0,HIB0
K9F6408U0C-FCB0,FIB0
注意添加。
（ VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的
20 ns以下的持续时间。 ）
1.添加在WSOP1 PKG图突起/伯尔值。
1. PKG （ WSOP1 ）尺寸变化
3月13日。 2002年
11月21日2002年
11月12日。 2001年
草案日期
7月24日。 2001年
11月5日。 2001年
备注
ADVANCE
初步
0.4
0.5
三月05 2003
0.6
3月13日。 2003
0.7
七月04 2003
0.8
0.9
四月24， 2004
五月。 24. 2004年
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系
三星分支机构靠近你。
1
K9F6408U0C
FL灰内存
文档标题
8M ×8位NAND闪存
修订历史
修订历史号
1.0
1. NAND闪存技术说明改变。
（无用）块->初始无效块（第13页）
-error在写或读操作（第14页）
- 程序流程图（第14页）
1.流程图来创造初始无效块表被改变。
草案日期
10月25日。 2004年
备注
1.1
5月6日。 2005年
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系
三星分支机构靠近你。
2
K9F6408U0C
FL灰内存
8M ×8位位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F6408U0C-B,H
K9F6408U0C-T,Q
K9F6408U0C-V,F
2.7 ~ 3.6V
X8
VCC范围
组织
PKG型
TBGA
TSOP II
WSOP我
特点
电源
- 1.70~1.95V
组织
- 存储单元阵列： （ 8M + 256K ）位x 8位
- 数据寄存器
： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 8K + 256 ）字节
528字节页读操作
- 随机存取： 10μs的（最大）
- 串行页访问
- 为50ns
快速写周期时间
- 计划时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
包
- K9F6408U0C - TCB0 / TIB0
44 （ 40 ） - 引脚TSOP II型（ 400mil / 0.8 mm间距）
- K9F6408U0C - BCB0 / BIB0
48 - 球TBGA （ 6× 8.5 /0.8mm间距，宽度1.0毫米）
- K9F6408U0C - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
- K9F6408U0C - QCB0 / QIB0 ：无铅封装
44 （ 40 ） - 引脚TSOP II型（ 400mil / 0.8 mm间距）
- K9F6408U0C - HCB0 / HIB0 ：无铅封装
48 - 球TBGA （ 6× 8.5 /0.8mm间距，宽度1.0毫米）
- K9F6408U0C - FCB0 / FIB0 ：无铅封装
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
* K9F6408U0C - V，F （ WSOPI ）是相同的设备
除了封装类型K9F6408U0C -T ， Q（ TSOPII ） 。
概述
该K9F6408U0C是8M （ 8388608 ） x8bit NAND闪存用备用256K （ 262,144 ） x8bit 。该器件在3.3V的Vcc提供。
它的NAND单元为固态大容量存储市场最具成本效益的解决方案。程序运行的程序
528字节的页中典型为200ps和擦除操作可在典型2ms的一个8K字节的块上进行。在页面的数据可以是
读出每一个字节50ns的周期时间。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。
芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部可核查
阳离子和数据的裕度。即使是写密集型系统可以采取K9F6408U0C的扩展100K的可靠性优势
方案/提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。这些算法已
实施在许多大容量存储应用程序，也备用16字节的页加上其他的512字节可以是泌尿道感染
由系统级的ECC lized 。的K9F6408U0C是大的非易失性存储应用的诸如固态文件的最佳解决方案
存储，数码录音笔，数码相机和其他需要非易失性的便携式应用。
3
K9F6408U0C
引脚配置（ TSOP II ）
K9F6408U0C-TCB0,QCB0/TIB0,QIB0
V
SS
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
V
CC
CE
RE
R / B
GND
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
FL灰内存
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
CC
包装尺寸
44 （ 40 ）铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装型（ II ）
44 （ 40 ） - TSOP II - 400F
0~8°
0.25
0.010 TYP
#44(40)
#23(21)
0.45~0.75
0.018~0.030
11.76
±0.20
0.463
±0.008
10.16
0.400
0.50
0.020
#1
#22(20)
0.15
-0.05
18.81
马克斯。
0.741
18.41
±0.10
0.725
±0.004
1.00
±0.10
0.039
±0.004
+0.10
单位：毫米/英寸
0.006
-0.002
1.20
马克斯。
0.047
+0.004
0.10
最大
0.004
0.05
分钟。
0.002
(
0.805
)
0.032
0.35
±0.10
0.014
±0.004
0.80
0.0315
4
K9F6408U0C
引脚配置（ TBGA ）
K9F6408U0C-BCB0,HCB0/BIB0,HIB0
1
2
3
4
5
6
FL灰内存
A
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
V
SS
ALE
RE
N.C
N.C
N.C
I / O
0
I / O
1
I / O
2
N.C
CLE
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
I / O
3
CE
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
WE
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
N.C
N.C
N.C
N.C
V
CC
I / O
7
V
SS
B
C
D
E
F
G
V
CCQ
I / O
5
I / O
4
I / O
6
H
（ TOP VIEW ）
包装尺寸
48球TBGA （以毫米计）
顶视图
底部视图
6.00
±0.10
0.80 x5= 4.00
6.00
±0.10
0.80
（ DATUM A）
A
6
A
5
4
3
2
1
球＃ A1
（ DATUM B）
B
0.80 x7= 5.60
C
D
E
2.80
F
G
H
48-0.45
±0.05
0.20
M
A B
8.50
±0.10
0.80
2.00
SIDE VIEW
0.90
±0.10
0.32
±0.05
0.45
±0.05
0.08MAX
6.00
±0.10
5
8.50
±0.10
B
K9F6408Q0C
K9F6408U0C
FL灰内存
文档标题
8M ×8位NAND闪存
修订历史
修订历史号
0.0
0.1
首次发行。
1. I
OL
1.8V装置（R / B）的改变。
-min 。价值： 7毫安-->3mA
-typ 。价值： 8毫安-->4mA
2.包件号被修改。
K9F6408U0C -Y --- > K9F6408U0C_T
3.交流参数被改变。
激进党（分钟） ： 30ns的-->为25ns
0.2
1. TBGA封装被改变。
- 9mmX11mm 63ball TBGA --- > 6mmX8.5mm 48ball TBGA
2.产品编号（ TBGA封装部件号）变更
- K9F6408Q0C -D ---- > K9F6408Q0C -B
- K9F6408U0C -D ----- > K9F6408U0C -B
3. K9F6408U0C - BCB0 ， BIB0产品中加入
0.3
1. WSOP1包添加。
- 部件号： K9F6408U0C_VCB0 ，威宝
1.添加卢比VS TR ， TF &卢比VS ibusy图的1.8V器件（第28页）
2.添加了数据保护的Vcc guidence为1.8V器件 - 低于约
1.1V 。 （第29页）
最小。 VCC值1.8V器件被改变。
K9F64XXQ0C ： Vcc的1.65V 1.95V --> 1.70V 1.95V
无铅封装添加。
K9F6408U0C-QCB0,QIB0
K9F6408U0C-HCB0,HIB0
K9F6408Q0C-HCB0,HIB0
K9F6408U0C-FCB0,FIB0
注意添加。
（ VIL可以下冲至-0.4V和VIH可以过冲至VCC + 0.4V的
20 ns以下的持续时间。 ）
1.添加在WSOP1 PKG图突起/伯尔值。
1. PKG （ WSOP1 ）尺寸变化
3月13日。 2002年
11月12日。 2001年
草案日期
7月24日。 2001年
11月5日。 2001年
备注
ADVANCE
初步
0.4
11月21日2002年
0.5
三月05 2003
0.6
3月13日。 2003
0.7
七月04 2003
0.8
0.9
四月24， 2004
五月。 24. 2004年
注：欲了解更多详细的功能以及规格，包括常见问题解答，请参考三星的Flash网站。
s
http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/Flash/TechnicalInfo/datasheets.htm
所附的说明书准备和批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留随时更改的权利
规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系
三星分支机构靠近你。
1
K9F6408Q0C
K9F6408U0C
FL灰内存
8M ×8位位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F6408Q0C-B,H
K9F6408U0C-B,H
K9F6408U0C-T,Q
K9F6408U0C-V,F
2.7 ~ 3.6V
VCC范围
1.70 ~ 1.95V
X8
TSOP II
WSOP我
组织
PKG型
TBGA
特点
电源
- 1.8V器件（ K9F6408Q0C ） ： 1.70 1.95V
- 3.3V器件（ K9F6408U0C ） ： 2.7 3.6 V
组织
- 存储单元阵列： （ 8M + 256K ）位x 8位
- 数据寄存器
： （ 512 + 16 ）位x8bit
自动编程和擦除
- 页编程： （ 512 + 16 ）字节
- 块擦除： （ 8K + 256 ）字节
528字节页读操作
- 随机存取： 10μs的（最大）
- 串行页访问
- 1.8V器件（ K9F6408Q0C ） ：为50ns
- 3.3V器件（ K9F6408U0C ） ：为50ns
快速写周期时间
- 计划时间
- 1.8V器件（ K9F6408Q0C ） ：为200μs （典型值）。
- 3.3V器件（ K9F6408U0C ） ：为200μs （典型值）。
- 块擦除时间： 2毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
- 耐力： 100K编程/擦除周期
- 数据保存： 10年
命令寄存器操作
包
- K9F6408U0C - TCB0 / TIB0 ：
44 （ 40 ） - 引脚TSOP II型（ 400mil / 0.8 mm间距）
- K9F6408Q0C - BCB0 / BIB0
48-球TBGA （ 6× 8.5 /0.8mm间距，宽度1.0毫米）
- K9F6408U0C - VCB0 / VIB0
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
- K9F6408U0C - QCB0 / QIB0 ：无铅封装
44 （ 40 ） - 引脚TSOP II型（ 400mil / 0.8 mm间距）
- K9F6408Q0C - HCB0 / HIB0 ：无铅封装
48-球TBGA （ 6× 8.5 /0.8mm间距，宽度1.0毫米）
- K9F6408U0C - FCB0 / FIB0 ：无铅封装
48 - 针WSOP I（ 12X17X0.7mm ）
* K9F6408U0C - V，F （ WSOPI ）是相同的设备
除了封装类型K9F6408U0C -T ， Q（ TSOPII ） 。
概述
该K9F6408X0C是8M （ 8388608 ） x8bit NAND闪存用备用256K （ 262,144 ） x8bit 。该器件采用1.8V或
3.3V的Vcc 。它的NAND单元为固态大容量存储市场最具成本效益的解决方案。程序运行亲
克的528字节的页中典型为200ps和擦除操作可在典型2ms的一个8K字节的块上进行。在数据
页面可在每字节50ns的周期时间被读出。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及的COM端口
命令的输入。芯片上的写控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，并
内部核查和数据的裕度。即使是写密集型系统可以利用K9F6408X0C的扩展可靠的
的100K计划的能力/提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。这些algo-
rithms在许多大容量存储应用程序，也备用16字节的页加上其他512的实施
字节可以由系统级的ECC被利用。该K9F6408X0C为大的非易失性存储等应用的最佳解决方案
固态文件存储，数码录音笔，数码相机和其他需要非易失性的便携式应用。
2
K9F6408Q0C
K9F6408U0C
引脚配置（ TSOP II ）
K9F6408U0C-TCB0,QCB0/TIB0,QIB0
V
SS
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
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22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
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32
31
30
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V
CC
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R / B
GND
N.C
N.C
N.C
N.C
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FL灰内存
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
SS
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
V
CC
包装尺寸
44 （ 40 ）铅/铅免费塑料轻薄小本OUT直插式封装型（ II ）
44 （ 40 ） - TSOP II - 400F
0~8°
0.25
0.010 TYP
#44(40)
#23(21)
0.45~0.75
0.018~0.030
11.76
±0.20
0.463
±0.008
10.16
0.400
0.50
0.020
#1
#22(20)
+0.10
单位：毫米/英寸
0.15
-0.05
18.81
马克斯。
0.741
18.41
±0.10
0.725
±0.004
1.00
±0.10
0.039
±0.004
0.006
-0.002
1.20
马克斯。
0.047
+0.004
0.10
最大
0.004
0.05
分钟。
0.002
(
0.805
)
0.032
0.35
±0.10
0.014
±0.004
0.80
0.0315
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K9F6408Q0C
K9F6408U0C
引脚配置（ TBGA ）
K9F6408X0C-BCB0,HCB0/BIB0,HIB0
1
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FL灰内存
A
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
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0
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1
I / O
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N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
WE
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
N.C
N.C
N.C
N.C
V
CC
I / O
7
V
SS
B
C
D
E
F
G
V
CCQ
I / O
5
I / O
4
I / O
6
H
（ TOP VIEW ）
包装尺寸
48球TBGA （以毫米计）
顶视图
底部视图
6.00
±0.10
0.80 x5= 4.00
6.00
±0.10
0.80
（ DATUM A）
A
6
A
5
4
3
2
1
球＃ A1
（ DATUM B）
B
0.80
C
D
E
2.80
F
G
H
0.80 x7= 5.60
8.50
±0.10
48-0.45
±0.05
0.20
M
A B
2.00
SIDE VIEW
0.90
±0.10
0.32
±0.05
0.45
±0.05
0.08MAX
6.00
±0.10
4
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±0.10
B
K9F6408Q0C
K9F6408U0C
引脚配置（ WSOP1 ）
K9F6408U0C-VCB0,FCB0/VIB0,FIB0
N.C
N.C
DNU
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
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DNU
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VSS
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I/O3
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I/O0
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N.C
FL灰内存
包装尺寸
48 -PIN引脚塑料非常非常的轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - WSOP1 - 1217F
单位：mm
0.70 MAX
15.40
±0.10
0.58
±0.04
#1
+0.07
-0.03
#48
+0.07
-0.03
0.16
12.40MAX
12.00
±0.10
0.50TYP
(0.50
±
0.06)
0.20
#24
#25
(0.01Min)
0.10
+0.075
-0.035
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°
0
°
~
0.45~0.75
17.00
±0.20
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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