【www.fairchildsemi.comKA5x02xx-SERIESKA5H0265RC ， K】,IC型号KA5M02659R,KA5M02659R PDF资料,KA5M02659R经销商,ic,电子元器件-51电子网

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KA5x02xx-SERIES

KA5H0265RC ， KA5M0265R ， KA5L0265R ，

KA5H02659RN / KA5M02659RN ， KA5H0280R ，

KA5M0280R

飞兆功率开关（ FPS ）

特点

精密固定工作频率（100 /67 / 50kHz的）

低启动电流（典型为100uA ）

逐个脉冲电流限制

过载保护

过电压保护（最小25V ）

内部热关断功能

欠压锁定

内部高压感FET

自动重启动模式

描述

飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专

专为离线SMPS具有最少的外部

组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）由高

电源电压值SenseFET和电流模式PWM IC 。包括

PWM控制器具有集成固定振荡器，

欠压锁定，前沿消隐，优化的栅极导通/

关断驱动器，热关断保护，过电压

保护和温度补偿精密电流

来源回路补偿和故障保护circuitry-

相比分立式MOSFET和控制器或R

CC

开关转换器解决方案。飞兆半导体的功率开关（FPS ）

可以在降低总元件数量，缩小设计尺寸，重量和

同时提高效率，生产率和系统

可靠性。它有一个基本平台非常适用于成本效益的

设计中的任一一个回扫转换器，或正向转换器。

TO-220F-4L

8-DIP

TO220-5L

1

1. GND

2.漏

3. Vcc的

4. FB

1.6.7.8 。漏

2. GND

3. Vcc的

4. FB

5.数控

1

1.漏

2. GND

3. Vcc的

4. FB

5. S/S

内部框图

V

CC

32V

5V

VREF

良好

逻辑

国内

BIAS

漏

SFET

*

软启动

5V

uA

OSC

S

R

Q

5A

1毫安2.5R

1R

9V

+

7.5V

+

27V

热S / D

过电压S / D

+

0.1V

S

R

Q

GND

FB

L.E.B

上电复位

* KA5H0265RC

Rev.1.0.4

2003仙童半导体公司

KA5X02XX-SERIES

绝对最大额定值

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

特征

KA5x0265xRx

漏，栅极电压（R

GS

=1M)

门源（ GND ）电压

漏电流脉冲

(1)

连续漏电流（T

C

=25°C)

连续漏电流（T

C

=100°C)

单脉冲雪崩能量

(2)

最大电源电压

模拟输入电压范围

总功耗

工作结温。

工作环境温度。

存储温度范围。

KA5x0280R

漏，栅极电压（R

GS

=1M)

门源（ GND ）电压

漏电流脉冲

(1)

连续漏电流（T

C

=25°C)

连续漏电流（T

C

=100°C)

单脉冲雪崩能量

(2)

最大电源电压

模拟输入电压范围

总功耗

工作结温。

工作环境温度。

存储温度范围。

V

DGR

V

GS

I

DM

I

D

I

D

E

AS

V

CC ，最大

V

FB

P

D

疾飞

T

J

T

A

T

英镑

800

±30

8.0

2.0

1.3

90

30

-0.3到V

SD

35

0.28

+160

-25至+85

-55到+150

V

A

DC

A

DC

A

DC

mJ

V

W

W / ℃，

°C

V

DGR

V

GS

I

DM

I

D

I

D

E

AS

V

CC ，最大

V

FB

P

D

疾飞

T

J

T

A

T

英镑

650

±30

8.0

2.0

1.3

68

30

-0.3到V

SD

42

0.33

+160

-25至+85

-55到+150

V

A

DC

A

DC

A

DC

mJ

V

W

W / ℃，

°C

符号

价值

单位

注意：

1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 51mH ，起始物为

j

= 25°C

2

KA5X02XX-SERIES

电气特性（ SFET部分）

（ TA = 25 ° C除非另有说明）

参数

KA5x0265xRx

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

静态漏源导通电阻

（注）

正向跨导

（注）

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

（栅极 - 源+栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

KA5x0280R

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

静态漏源导通电阻

（注）

正向跨导

（注）

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

（栅极 - 源+栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

注意：

1.

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

1

2.

S

= ---

-

R

符号

BV

DSS

I

DSS

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

条件

V

GS

= 0V时，我

D

=50A

V

DS

=最大。评级，V

GS

=0V

V

DS

= 0.8Max 。评级

V

GS

= 0V ，T

C

=125°C

V

GS

= 10V ，我

D

=0.5A

V

DS

= 50V ，我

D

=0.5A

V

GS

=0V, V

DS

=25V,

f=1MHz

V

DD

= 0.5B V

DSS

, I

D

=1.0A

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

工作温度）

V

GS

= 10V ，我

D

=1.0A,

V

DS

= 0.5B V

DSS

（ MOSFET

切换时间是基本上

独立运营的

温度）

V

GS

= 0V时，我

D

=50A

V

DS

=最大。评级，V

GS

=0V

V

DS

= 0.8Max 。评级

V

GS

= 0V ，T

C

=125°C

V

GS

= 10V ，我

D

=0.5A

V

DS

= 50V ，我

D

=0.5A

V

GS

=0V, V

DS

=25V,

f=1MHz

V

DD

= 0.5B V

DSS

, I

D

=1.0A

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

工作温度）

V

GS

= 10V ，我

D

=1.0A,

V

DS

= 0.5B V

DSS

（ MOSFET

切换时间是基本上

独立运营的

温度）

分钟。

650

-

1.5

-

典型值。

-

5.0

2.5

550

38

17

20

15

55

25

-

3

12

马克斯。

-

50

200

6.0

-

35

-

单位

V

A

S

pF

nS

nC

BV

DSS

I

DSS

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

800

-

1.5

-

5.6

2.5

250

52

25

21

28

77

24

-

15

20

-

50

200

7.0

-

60

-

V

A

S

pF

nS

nC

3

KA5X02XX-SERIES

电气特性（控制部分）

（续）

（ TA = 25 ° C除非另有说明）

参数

UVLO节

启动阈值电压

停止阈值电压

振荡器部分

初始精度

频率随温度变化

(2)

最大占空比

反馈部分

反馈源电流

关机反馈电压

关机延迟电流

软启动第

软启动电压

软启动电流

参考科

输出电压

(1)

温度稳定性

(1)(2)

峰值电流限制

保护科

过电压保护

热关断温度

(1)

设备总段

启动电流

工作电源电流

（控制部分只）

I

开始

I

OPR

V

CC

=14V

V

CC

≤

28

-

100

7

170

12

A

mA

V

OVP

T

SD

V

CC

≥

24V

-

25

140

27

160

29

-

V

°C

VREF

VREF / ΔT

I

过度

I

过度

Ta=25°C

-25°C

≤

Ta

≤

+85°C

KA5x02659RN

KA5x0265Rx

KA5x0280R

4.80

-

0.79

1.05

5.00

0.3

0.9

1.2

5.20

0.6

1.01

1.34

V

毫伏/°C的

A

V

SS

I

SS

KA5H0265RC

4.7

0.8

5.0

1.0

5.3

1.2

V

mA

I

FB

V

SD

IDELAY

TA = 25° C， 0V

≤

VFB

≤

3V

VFB

≤

6.5V

TA = 25℃ ， 5V

≤

VFB

≤

V

SD

0.7

6.9

4

0.9

7.5

5

1.1

8.1

6

mA

V

A

F

OSC

F

OSC

F

OSC

ΔF /ΔT

DMAX

KA5H0265xRx

KA5H0280R

KA5M0265xRx

KA5M0280R

KA5L0265R

-25°C

≤

Ta

≤

+85°C

KA5H0265xRx

KA5H0280R

KA5M0265xRx

KA5M0280R

KA5L0265R

90

61

45

-

62

72

100

67

50

±5

67

77

110

73

55

±10

72

82

千赫

%

V

开始

V

停止

V

FB

= GND

V

FB

= GND

14

8.2

15

8.8

16

9.4

V

符号

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

电流限制（自我保护）第

注意：

1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试

2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（晶圆测试）过程

4

KA5X02XX-SERIES

典型性能特性

（这些特征图是归在Ta = 25℃）

图1工作频率

1.2

1.15

1.1

1.05

FOSC

1

0.95

0.9

0.85

0.8

-25

0

25

50

75

100 125 150

图2反馈源电流

1.2

1.15

1.1

1.05

IFB

1

0.95

0.9

0.85

0.8

-25

0

25

50

75

100

125 150

温度[° C]

图1.工作频率

温度[° C]

图2.反馈源电流

图3工作电流

1.2

1.15

1.1

1.05

IOP

1

0.95

0.9

0.85

0.8

-25

1.1

1.05

图4最大电感电流

I

IPEAK

1

过度

0.95

0.9

0.85

0

25

50

75

100 125 150

0.8

-25

0

25

50

75

100 125 150

温度[° C]

图3.工作电源电流

温度[° C]

图4.峰值电流限制

1.5

1.3

图5启动电流

1.15

1.1

1.05

图6启动阈值电压

ISTART

1.1

0.9

0.7

0.5

-25

VSTART

1

0.95

0.9

0

25

50

75

100 125 150

0.85

-25

0

25

50

75

100 125 150

温度[° C]

图5.启动电流

温度[° C]

图6.启动阈值电压

5

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KA5x02xx-SERIES

KA5H0265RC ， KA5M0265R ， KA5L0265R ，

KA5H02659RN / KA5M02659RN ， KA5H0280R ，

KA5M0280R

飞兆功率开关（ FPS ）

特点

精密固定工作频率（100 /67 / 50kHz的）

逐个脉冲电流限制

过电流保护

过电压保护（最小25V ）

内部热关断功能

欠压锁定

内部高压感FET

自动重启动模式

描述

飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专

专为离线SMPS具有最少的外部

组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）由高

电源电压值SenseFET和电流模式PWM IC 。包括

PWM控制器具有集成固定振荡器，

欠压锁定，前沿消隐，优化的栅极导通/

关断驱动器，热关断保护，过电压

保护和温度补偿精密电流

来源回路补偿和故障保护电路。

相比分立式MOSFET和控制器或R

CC

开关转换器解决方案，一飞兆功率开关（ FPS ）

可以在降低总元件数量，缩小设计尺寸，重量和

同时提高效率，生产率和系统

可靠性。它有一个基本平台非常适用于成本效益的

设计中的任一一个回扫转换器，或正向转换器。

TO-220F-4L

8-DIP

TO220-5L

1

1. GND

2.漏

3. Vcc的

4. FB

1.6.7.8 。漏

2. GND

3. Vcc的

4. FB

5.数控

1

1.漏

2. GND

3. Vcc的

4. FB

5. S/S

内部框图

V

CC

32V

5V

VREF

良好

逻辑

软启动

uA

国内

BIAS

漏

SFET

5V

OSC

S

R

Q

5A

1毫安2.5R

1R

9V

+

7.5V

+

27V

热S / D

过电压S / D

+

FB

L.E.B

0.1V

S

R

Q

GND

上电复位

Rev.1.0.2

2001仙童半导体公司

KA5X02XX-SERIES

绝对最大额定值

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

特征

KA5x0265xRx

最大漏极电压

漏，栅极电压（R

GS

=1M)

门源（ GND ）电压

漏电流脉冲

(1)

连续漏电流（T

C

=25°C)

连续漏电流（T

C

=100°C)

单脉冲雪崩能量

最大电源电压

模拟输入电压范围

总功耗

工作结温。

工作环境温度。

存储温度范围。

KA5x0280R

最大漏极电压

漏，栅极电压（R

GS

=1M)

门源（ GND ）电压

漏电流脉冲

(1)

(2)

符号

V

D， MAX

V

DGR

V

GS

I

DM

I

D

I

D

E

AS

V

CC ，最大

V

FB

P

D

降额

T

J

T

A

T

英镑

V

D， MAX

V

DGR

V

GS

I

DM

I

D

I

D

E

AS

V

CC ，最大

V

FB

P

D

降额

T

J

T

A

T

英镑

价值

650

±30

8.0

2.0

1.3

68

30

0.3

到V

SD

42

0.33

+160

25

+85

55

+150

800

±30

8.0

2.0

1.3

90

30

0.3

到V

SD

35

0.28

+160

25

+85

55

+150

单位

V

A

DC

A

DC

A

DC

mJ

V

W

W / ℃，

°C

V

A

DC

A

DC

A

DC

mJ

V

W

W / ℃，

°C

连续漏电流（T

C

=25°C)

连续漏电流（T

C

=100°C)

单脉冲雪崩能量

(2)

最大电源电压

模拟输入电压范围

总功耗

工作结温。

工作环境温度。

存储温度范围。

注意：

1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 51mH ，开始TJ = 25°C

2

KA5X02XX-SERIES

电气特性（ SFET部分）

（ TA = 25 ° C除非另有说明）

参数

KA5x0265xRx

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

静态漏源导通电阻

（注）

正向跨导

（注）

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

（栅极 - 源+栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

KA5x0280R

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

静态漏源导通电阻

（注）

正向跨导

（注）

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

（栅极 - 源+栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

注意：

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

1

S

= ---

-

R

符号

BV

DSS

I

DSS

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

条件

V

GS

= 0V时，我

D

=50A

V

DS

=最大。评级，V

GS

=0V

V

DS

= 0.8Max 。评级

V

GS

= 0V ，T

C

=125°C

V

GS

= 10V ，我

D

=0.5A

V

DS

= 50V ，我

D

=0.5A

V

GS

=0V, V

DS

=25V,

f=1MHz

V

DD

=0.5BV

DSS

, I

D

=1.0A

（ MOSFET开关

时间的本质

独立

工作温度）

V

GS

= 10V ，我

D

=1.0A,

V

DS

=0.5BV

DSS

（ MOSFET

开关时间

基本上是独立的

工作温度）

V

GS

= 0V时，我

D

=50A

V

DS

=最大。评级，V

GS

=0V

V

DS

= 0.8Max 。评级

V

GS

= 0V ，T

C

=125°C

V

GS

= 10V ，我

D

=0.5A

V

DS

= 50V ，我

D

=0.5A

V

GS

=0V, V

DS

=25V,

f=1MHz

V

DD

=0.5BV

DSS

, I

D

=1.0A

（ MOSFET开关

时间的本质

独立

工作温度）

V

GS

= 10V ，我

D

=1.0A,

V

DS

=0.5BV

DSS

（ MOSFET

开关时间

基本上是独立的

工作温度）

分钟。

650

-

1.5

-

典型值。

-

5.0

2.5

550

38

17

20

15

55

25

-

3

12

马克斯。

-

50

200

6.0

-

35

-

单位

V

A

S

pF

nS

nC

BV

DSS

I

DSS

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

800

-

1.5

-

5.6

2.5

250

52

25

21

28

77

24

-

15

20

-

50

200

7.0

-

60

-

V

A

S

pF

nS

nC

3

KA5X02XX-SERIES

电气特性（控制部分）

（ TA = 25 ° C除非另有说明）

参数

UVLO节

启动阈值电压

停止阈值电压

振荡器部分

初始精度

频率随温度变化

(2)

最大占空比

反馈部分

反馈源电流

关机反馈电压

关机延迟电流

软启动第

软启动电压

软启动电流

参考科

输出电压

(1)

温度稳定性

(1)(2)

峰值电流限制

保护科

过电压保护

热关断温（Tj ）

(1)

设备总段

启动电流

工作电源电流

（控制部分只）

I

开始

I

OPR

V

CC

=14V

V

CC

≤

28

-

100

7

170

12

A

mA

V

OVP

T

SD

V

CC

≥

24V

-

25

140

27

160

29

-

V

°C

VREF

VREF / ΔT

I

过度

I

过度

Ta=25°C

25°C ≤

Ta

≤

+85°C

KA5x02659RN

KA5x0265Rx

KA5x0280R

4.80

-

0.79

1.05

5.00

0.3

0.9

1.2

5.20

0.6

1.01

1.34

V

毫伏/°C的

A

V

SS

I

SS

KA5H0265RC

4.7

0.8

5.0

1.0

5.3

1.2

V

mA

I

FB

V

SD

IDELAY

TA = 25° C， 0V

≤

VFB

≤

3V

VFB

≤

6.5V

TA = 25℃ ， 5V

≤

VFB

≤

V

SD

0.7

6.9

4

0.9

7.5

5

1.1

8.1

6

mA

V

A

F

OSC

F

OSC

F

OSC

ΔF /ΔT

DMAX

KA5H0265xRx

KA5H0280R

KA5M0265xRx

KA5M0280R

KA5L0265R

25°C ≤

Ta

≤

+85°C

KA5H0265xRx

KA5H0280R

KA5M0265xRx

KA5M0280R

KA5L0265R

90

61

45

-

62

72

100

67

50

±5

67

77

110

73

55

±10

72

82

千赫

%

V

开始

V

停止

V

FB

= GND

V

FB

= GND

14

8.4

15

9

16

9.6

V

符号

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

电流限制（自我保护）第

注意：

1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试

2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（晶圆测试）过程

4

KA5X02XX-SERIES

典型性能特性

（这些特征图是归在Ta = 25℃）

图1工作频率

1.2

1.15

1.1

1.05

FOSC

1

0.95

0.9

0.85

0.8

-25

0

25

50

75

100 125 150

图2反馈源电流

1.2

1.15

1.1

1.05

IFB

1

0.95

0.9

0.85

0.8

-25

0

25

50

75

100

125 150

温度[° C]

图1.工作频率

温度[° C]

图2.反馈源电流

图3工作电流

1.2

1.15

1.1

1.05

IOP

1

0.95

0.9

0.85

0.8

-25

1.1

1.05

图4最大电感电流

IIpeak

1

过度

0.95

0.9

0.85

0

25

50

75

100 125 150

0.8

-25

0

25

50

75

100 125 150

温度[° C]

图3.工作电源电流

温度[° C]

图4.峰值电流限制

1.5

1.3

图5启动电流

1.15

1.1

1.05

图6启动阈值电压

ISTART

1.1

0.9

0.7

0.5

-25

VSTART

1

0.95

0.9

0

25

50

75

100 125 150

0.85

-25

0

25

50

75

100 125 150

温度[° C]

图5.启动电流

温度[° C]

图6.启动阈值电压

5

www.fairchildsemi.com

KA5x02xx-SERIES

KA5H0265RC ， KA5M0265R ， KA5L0265R ，

KA5H02659RN / KA5M02659RN ， KA5H0280R ，

KA5M0280R

飞兆功率开关（ FPS ）

特点

精密固定工作频率（100 /67 / 50kHz的）

低启动电流（典型为100uA ）

逐个脉冲电流限制

过载保护

过电压保护（最小25V ）

内部热关断功能

欠压锁定

内部高压感FET

自动重启动模式

描述

飞兆半导体的功率开关（FPS ）产品系列是专

专为离线SMPS具有最少的外部

组件。飞兆半导体的功率开关（FPS ）由高

电源电压值SenseFET和电流模式PWM IC 。包括

PWM控制器具有集成固定振荡器，

欠压锁定，前沿消隐，优化的栅极导通/

关断驱动器，热关断保护，过电压

保护和温度补偿精密电流

来源回路补偿和故障保护circuitry-

相比分立式MOSFET和控制器或R

CC

开关转换器解决方案。飞兆半导体的功率开关（FPS ）

可以在降低总元件数量，缩小设计尺寸，重量和

同时提高效率，生产率和系统

可靠性。它有一个基本平台非常适用于成本效益的

设计中的任一一个回扫转换器，或正向转换器。

TO-220F-4L

8-DIP

TO220-5L

1

1. GND

2.漏

3. Vcc的

4. FB

1.6.7.8 。漏

2. GND

3. Vcc的

4. FB

5.数控

1

1.漏

2. GND

3. Vcc的

4. FB

5. S/S

内部框图

V

CC

32V

5V

VREF

良好

逻辑

国内

BIAS

漏

SFET

*

软启动

5V

uA

OSC

S

R

Q

5A

1毫安2.5R

1R

9V

+

7.5V

+

27V

热S / D

过电压S / D

+

0.1V

S

R

Q

GND

FB

L.E.B

上电复位

* KA5H0265RC

Rev.1.0.4

2003仙童半导体公司

KA5X02XX-SERIES

绝对最大额定值

（ TA = 25℃ ，除非另有规定）

特征

KA5x0265xRx

漏，栅极电压（R

GS

=1M)

门源（ GND ）电压

漏电流脉冲

(1)

连续漏电流（T

C

=25°C)

连续漏电流（T

C

=100°C)

单脉冲雪崩能量

(2)

最大电源电压

模拟输入电压范围

总功耗

工作结温。

工作环境温度。

存储温度范围。

KA5x0280R

漏，栅极电压（R

GS

=1M)

门源（ GND ）电压

漏电流脉冲

(1)

连续漏电流（T

C

=25°C)

连续漏电流（T

C

=100°C)

单脉冲雪崩能量

(2)

最大电源电压

模拟输入电压范围

总功耗

工作结温。

工作环境温度。

存储温度范围。

V

DGR

V

GS

I

DM

I

D

I

D

E

AS

V

CC ，最大

V

FB

P

D

疾飞

T

J

T

A

T

英镑

800

±30

8.0

2.0

1.3

90

30

-0.3到V

SD

35

0.28

+160

-25至+85

-55到+150

V

A

DC

A

DC

A

DC

mJ

V

W

W / ℃，

°C

V

DGR

V

GS

I

DM

I

D

I

D

E

AS

V

CC ，最大

V

FB

P

D

疾飞

T

J

T

A

T

英镑

650

±30

8.0

2.0

1.3

68

30

-0.3到V

SD

42

0.33

+160

-25至+85

-55到+150

V

A

DC

A

DC

A

DC

mJ

V

W

W / ℃，

°C

符号

价值

单位

注意：

1.重复评价：脉冲宽度有限的最高结温

2， L = 51mH ，起始物为

j

= 25°C

2

KA5X02XX-SERIES

电气特性（ SFET部分）

（ TA = 25 ° C除非另有说明）

参数

KA5x0265xRx

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

静态漏源导通电阻

（注）

正向跨导

（注）

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

（栅极 - 源+栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

KA5x0280R

漏源击穿电压

零栅极电压漏极电流

静态漏源导通电阻

（注）

正向跨导

（注）

输入电容

输出电容

反向传输电容

打开延迟时间

上升时间

关闭延迟时间

下降时间

总栅极电荷

（栅极 - 源+栅极 - 漏极）

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极（米勒）电荷

注意：

1.

脉冲测试：脉冲宽度

≤

300μS ，占空比

≤

2%

1

2.

S

= ---

-

R

符号

BV

DSS

I

DSS

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

条件

V

GS

= 0V时，我

D

=50A

V

DS

=最大。评级，V

GS

=0V

V

DS

= 0.8Max 。评级

V

GS

= 0V ，T

C

=125°C

V

GS

= 10V ，我

D

=0.5A

V

DS

= 50V ，我

D

=0.5A

V

GS

=0V, V

DS

=25V,

f=1MHz

V

DD

= 0.5B V

DSS

, I

D

=1.0A

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

工作温度）

V

GS

= 10V ，我

D

=1.0A,

V

DS

= 0.5B V

DSS

（ MOSFET

切换时间是基本上

独立运营的

温度）

V

GS

= 0V时，我

D

=50A

V

DS

=最大。评级，V

GS

=0V

V

DS

= 0.8Max 。评级

V

GS

= 0V ，T

C

=125°C

V

GS

= 10V ，我

D

=0.5A

V

DS

= 50V ，我

D

=0.5A

V

GS

=0V, V

DS

=25V,

f=1MHz

V

DD

= 0.5B V

DSS

, I

D

=1.0A

（ MOSFET开关时间

基本上是独立的

工作温度）

V

GS

= 10V ，我

D

=1.0A,

V

DS

= 0.5B V

DSS

（ MOSFET

切换时间是基本上

独立运营的

温度）

分钟。

650

-

1.5

-

典型值。

-

5.0

2.5

550

38

17

20

15

55

25

-

3

12

马克斯。

-

50

200

6.0

-

35

-

单位

V

A

S

pF

nS

nC

BV

DSS

I

DSS

R

DS （ ON）

政府飞行服务队

西塞

科斯

CRSS

TD （上）

tr

TD （关闭）

tf

Qg

QGS

QGD

800

-

1.5

-

5.6

2.5

250

52

25

21

28

77

24

-

15

20

-

50

200

7.0

-

60

-

V

A

S

pF

nS

nC

3

KA5X02XX-SERIES

电气特性（控制部分）

（续）

（ TA = 25 ° C除非另有说明）

参数

UVLO节

启动阈值电压

停止阈值电压

振荡器部分

初始精度

频率随温度变化

(2)

最大占空比

反馈部分

反馈源电流

关机反馈电压

关机延迟电流

软启动第

软启动电压

软启动电流

参考科

输出电压

(1)

温度稳定性

(1)(2)

峰值电流限制

保护科

过电压保护

热关断温度

(1)

设备总段

启动电流

工作电源电流

（控制部分只）

I

开始

I

OPR

V

CC

=14V

V

CC

≤

28

-

100

7

170

12

A

mA

V

OVP

T

SD

V

CC

≥

24V

-

25

140

27

160

29

-

V

°C

VREF

VREF / ΔT

I

过度

I

过度

Ta=25°C

-25°C

≤

Ta

≤

+85°C

KA5x02659RN

KA5x0265Rx

KA5x0280R

4.80

-

0.79

1.05

5.00

0.3

0.9

1.2

5.20

0.6

1.01

1.34

V

毫伏/°C的

A

V

SS

I

SS

KA5H0265RC

4.7

0.8

5.0

1.0

5.3

1.2

V

mA

I

FB

V

SD

IDELAY

TA = 25° C， 0V

≤

VFB

≤

3V

VFB

≤

6.5V

TA = 25℃ ， 5V

≤

VFB

≤

V

SD

0.7

6.9

4

0.9

7.5

5

1.1

8.1

6

mA

V

A

F

OSC

F

OSC

F

OSC

ΔF /ΔT

DMAX

KA5H0265xRx

KA5H0280R

KA5M0265xRx

KA5M0280R

KA5L0265R

-25°C

≤

Ta

≤

+85°C

KA5H0265xRx

KA5H0280R

KA5M0265xRx

KA5M0280R

KA5L0265R

90

61

45

-

62

72

100

67

50

±5

67

77

110

73

55

±10

72

82

千赫

%

V

开始

V

停止

V

FB

= GND

V

FB

= GND

14

8.2

15

8.8

16

9.4

V

符号

条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

电流限制（自我保护）第

注意：

1.这些参数，虽然保证的，是不是100％在生产测试

2.这些参数，虽然保证，在EDS测试（晶圆测试）过程

4

KA5X02XX-SERIES

典型性能特性

（这些特征图是归在Ta = 25℃）

图1工作频率

1.2

1.15

1.1

1.05

FOSC

1

0.95

0.9

0.85

0.8

-25

0

25

50

75

100 125 150

图2反馈源电流

1.2

1.15

1.1

1.05

IFB

1

0.95

0.9

0.85

0.8

-25

0

25

50

75

100

125 150

温度[° C]

图1.工作频率

温度[° C]

图2.反馈源电流

图3工作电流

1.2

1.15

1.1

1.05

IOP

1

0.95

0.9

0.85

0.8

-25

1.1

1.05

图4最大电感电流

I

IPEAK

1

过度

0.95

0.9

0.85

0

25

50

75

100 125 150

0.8

-25

0

25

50

75

100 125 150

温度[° C]

图3.工作电源电流

温度[° C]

图4.峰值电流限制

1.5

1.3

图5启动电流

1.15

1.1

1.05

图6启动阈值电压

ISTART

1.1

0.9

0.7

0.5

-25

VSTART

1

0.95

0.9

0

25

50

75

100 125 150

0.85

-25

0

25

50

75

100 125 150

温度[° C]

图5.启动电流

温度[° C]

图6.启动阈值电压

5