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K7R323682C
K7R321882C
K7R320982C
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR
TM
II B2 SRAM
36MB QDRII SRAM规格
165 FBGA与铅&无铅
(符合RoHS )
信息在本文档提供有关三星产品,
并随时更改,恕不另行通知。
本条中的任何文件应当解释为授予任何许可,
明示或暗示,被禁止的或其他方式,
任何知识产权权利三星的产品或技术。
所有信息在本文档提供
作为"AS IS"基础不承担任何声明或保证。
1.对于更新或有关三星产品的更多信息,请联系您最近的三星办公。
2.三星的产品不得用于生命支持,重症监护,医疗,安全设备,或者西米用
LAR应用产品故障可能导致人身或人身伤害,或任何军事损失
或国防应用程序,或任何政府采购,以这特殊条款或规定可能适用。
*三星电子保留随时更改产品或规格,恕不另行通知。
-1-
修订版1.1 2006年8月
K7R323682C
K7R321882C
K7R320982C
文档标题
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR
TM
II B2 SRAM
1Mx36位, 2Mx18位, 4Mx9位QDR
TM
II B2 SRAM
修订历史
版本号
0.0
0.1
历史
1.初始文件。
1.将数据在直流特性表中,引脚电容
和耐热性。
1.添加300MHz的宾
2.更改交流特性。
1.更改三星JEDEC代码的ID寄存器定义
1.决赛
2.更改Vss的/ SA为NC / SA的引脚配置
1.纠正错字
草案日期
2006年1月17日
2006年4月26日
备注
ADVANCE
初步
0.2
五月。 04,2006
初步
0.3
1.0
2006年6月5日
2006年7月10日
初步
最终科幻
1.1
2006年8月23日
最终科幻
-2-
修订版1.1 2006年8月
K7R323682C
K7R321882C
K7R320982C
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR
TM
II B2 SRAM
1Mx36位, 2Mx18位, 4Mx9位QDR
TM
II B2 SRAM
特点
1.8V + 0.1V / -0.1V电源。
DLL电路的宽输出数据有效窗口和未来的频
昆西缩放。
I / O电源电压1.5V + 0.1V / -0.1V的1.5VI / O, 1.8V + 0.1V /
-0.1V为1.8V的I / O 。
单独的独立读写数据端口
并发读写操作
HSTL I / O
完整的数据一致性,提供最新的数据。
读取同步管道与自定时早期写。
注册地址,控制和数据输入/输出。
在读写端口DDR (双倍数据速率)接口。
修正了2位的突发读取和写入操作。
时钟停止支持,以降低电流。
两个输入时钟(K和K)用于在时钟的精确DDR定时
上升沿只。
输出数据的两个输入时钟( C和C ) ,以尽量减少
时钟偏移和飞行时间的不匹配。
两个回波时钟( CQ和CQ) ,以提高输出数据
可追溯性。
单地址总线。
字节写入( X9 , X18 , X36 )的功能。
独立的读/写控制引脚(R ,W)的
简单的深度扩展,没有数据争用。
可编程输出阻抗。
JTAG 1149.1兼容的测试访问端口。
165FBGA ( 11×15阵列球FBGA )与15x17mm的机身尺寸
&无铅
组织。
部分
K7R323682C-F(E)C(I)30
X36
K7R323682C-F(E)C(I)25
K7R323682C-F(E)C(I)20
K7R321882C-F(E)C(I)30
X18
K7R321882C-F(E)C(I)25
K7R321882C-F(E)C(I)20
K7R320982C-F(E)C(I)30
X9
K7R320982C-F(E)C(I)25
K7R320982C-F(E)C(I)20
周期
时间
3.3
4.0
5.0
3.3
4.0
5.0
3.3
4.0
5.0
ACCESS
单位
时间
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
0.45
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
* -F ( E) C( I)
F( E) 【包装类型】 : E-无铅, F-铅
C( I) [工作温度] : C-商业, I-工业
功能框图
36 (或18 )
数据
REG
D( DATA IN )
36 (或18 )
19
(或20 )
写/读DECODE
36 (或18 )
写入驱动器
地址
19 (或20 )
添加
REG
输出选择
R
W
BW
X
4 (或2)
CTRL
逻辑
1Mx36
(2Mx18)
内存
ARRAY
检测放大器
输出REG
72
(或36 )
72
(或36 )
输出驱动器
36 (或18 )
Q(数据输出)
CQ , CQ
K
K
C
C
(回波时钟输出)
CLK
选择输出控制
注意事项:
1.数字在()内为×18设备, ×9的设备也同样具有深度和宽度适当调整。
QDR SRAM和四倍数据速率包括由赛普拉斯,瑞萨, IDT , NEC和三星的技术开发产品家族的新成员。
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K7R323682C
K7R321882C
K7R320982C
1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
Q27
D27
D28
Q29
Q30
D30
DOFF
D31
Q32
Q33
D33
D34
Q35
TDO
2
NC / SA *
Q18
Q28
D20
D29
Q21
D22
V
REF
Q31
D32
Q24
Q34
D26
D35
TCK
3
NC / SA *
D18
D19
Q19
Q20
D21
Q22
V
DDQ
D23
Q23
D24
D25
Q25
Q26
SA
4
W
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR
TM
II B2 SRAM
5
BW
2
BW
3
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
6
K
K
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
BW
1
BW
0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
R
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
D17
D16
Q16
Q15
D14
Q13
V
DDQ
D12
Q12
D11
D10
Q10
Q9
SA
10
NC / SA *
Q17
Q7
D15
D6
Q14
D13
V
REF
Q4
D3
Q11
Q1
D9
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
销刀豆网络gurations
( TOP VIEW )
K7R323682C(1Mx36)
注意事项:
1. *选中无连接( NC)或Vss引脚为高密度的地址,即3A为72MB , 10A为144MB和2A为288MB保留。
2. BW
0
控制写入D0 : D8 , BW
1
控制写入D9 : D17 , BW
2
控制写入D18 : D26和BW
3
控制写入D27 : D35 。
引脚名称
符号
K, K
C, C
CQ , CQ
DOFF
SA
D0-35
PIN号码
6B ,6A
6P , 6R
11A, 1A
1H
9A,4B,8B,5C-7C,5N-7N,4P,5P,7P,8P,3R-5R,7R-9R
10P,11N,11M,10K,11J,11G,10E,11D,11C,10N,9M,9L
9J,10G,9F,10D,9C,9B,3B,3C,2D,3F,2G,3J,3L,3M,2N
1C,1D,2E,1G,1J,2K,1M,1N,2P
11P,10M,11L,11K,10J,11F,11E,10C,11B,9P,9N,10L
9K,9G,10F,9E,9D,10B,2B,3D,3E,2F,3G,3K,2L,3N
3P,1B,2C,1E,1F,2J,1K,1L,2M,1P
4A
8A
7B,7A,5A,5B
2H,10H
11H
5F,7F,5G,7G,5H,7H,5J,7J,5K,7K
4E,8E,4F,8F,4G,8G,3H,4H,8H,9H,4J,8J,4K,8K,4L,8L
图4C ,8C, 4D- 8D , 5E- 7E, 6F ,6G ,6H, 6J ,6K, 5L -7L ,4M, 8M, 4N, 8N
10R
11R
2R
1R
2A,3A,10A,
描述
输入时钟
输入时钟的输出数据
输出回波时钟
DLL禁用时低
地址输入
数据输入
1
Q0-35
W
R
BW
0
, BW
1,
BW
2
, BW
3
V
REF
ZQ
V
DD
V
DDQ
V
SS
TMS
TDI
TCK
TDO
NC
数据输出
写控制引脚,低电平有效
阅读控制引脚,低电平有效
块写入控制引脚,低电平有效
输入参考电压
输出驱动器阻抗控制输入
电源( 1.8 V )
输出电源( 1.5V或1.8V )
JTAG测试模式选择
JTAG测试数据输入
JTAG测试时钟
JTAG测试数据输出
无连接
3
2
注意事项:
1.使用C,C ,K或K不能被设定为V
REF
电压。
2.当ZQ引脚直接连接到V
DD
输出阻抗设置为最小值,并且它不能被连接到地或悬空。
3.不连接到芯片的焊盘内部。
-4-
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K7R323682C
K7R321882C
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1
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
P
R
CQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
DOFF
NC
NC
NC
NC
NC
NC
TDO
2
NC / SA *
Q9
NC
D11
NC
Q12
D13
V
REF
NC
NC
Q15
NC
D17
NC
TCK
3
SA
D9
D10
Q10
Q11
D12
Q13
V
DDQ
D14
Q14
D15
D16
Q16
Q17
SA
4
W
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
1Mx36 & 2Mx18 & 4Mx9 QDR
TM
II B2 SRAM
5
BW
1
NC
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
6
K
K
SA
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
V
SS
SA
C
C
7
NC
BW
0
SA
V
SS
V
SS
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
DD
V
SS
V
SS
SA
SA
SA
8
R
SA
V
SS
V
SS
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
DDQ
V
SS
V
SS
SA
SA
9
SA
NC
NC
NC
NC
NC
NC
V
DDQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
SA
10
NC / SA *
NC
Q7
NC
D6
NC
NC
V
REF
Q4
D3
NC
Q1
NC
D0
TMS
11
CQ
Q8
D8
D7
Q6
Q5
D5
ZQ
D4
Q3
Q2
D2
D1
Q0
TDI
销刀豆网络gurations
( TOP VIEW )
K7R321882C(2Mx18)
注意事项:
1. *选中无连接( NC)引脚被保留用于更高密度的地址,即10A为72MB和2A为144MB 。
2. BW
0
控制写入D0 : D8和BW
1
控制写入D9 : D17 。
引脚名称
符号
K, K
C, C
CQ , CQ
DOFF
SA
D0-17
Q0-17
W
R
BW
0
, BW
1
V
REF
ZQ
V
DD
V
DDQ
V
SS
TMS
TDI
TCK
TDO
NC
PIN号码
6B ,6A
6P , 6R
11A, 1A
1H
3A,9A,4B,8B,5C-7C,5N-7N,4P,5P,7P,8P,3R-5R,7R-9R
10P,11N,11M,10K,11J,11G,10E,11D,11C,3B,3C,2D,
3F,2G,3J,3L,3M,2N
11P,10M,11L,11K,10J,11F,11E,10C,11B,2B,3D,3E,
2F,3G,3K,2L,3N,3P
4A
8A
7B , 5A
2H,10H
11H
5F,7F,5G,7G,5H,7H,5J,7J,5K,7K
4E,8E,4F,8F,4G,8G,3H,4H,8H,9H,4J,8J,4K,8K,4L,8L
4C,8C,4D-8D,5E-7E,6F,6G,6H,6J,6K,5L-7L,4M-8M,4N,8N
10R
11R
2R
1R
2A,7A,10A,1B,5B,9B,10B,1C,2C,9C,1D,9D,10D,1E,2E,9E,1F,9F,
10F,1G,9G,10G,1J,2J,9J,1K,2K,9J,1L,9L,10L,1M,2M,
9M,1N,9N,10N,1P,2P,9P
描述
输入时钟
输入时钟的输出数据
输出回波时钟
DLL禁用时低
地址输入
数据输入
数据输出
写控制引脚,低电平有效
阅读控制引脚,低电平有效
块写入控制引脚,低电平有效
输入参考电压
输出驱动器阻抗控制输入
电源( 1.8 V )
输出电源( 1.5V或1.8V )
JTAG测试模式选择
JTAG测试数据输入
JTAG测试时钟
JTAG测试数据输出
无连接
3
2
1
注意事项:
1.使用C,C ,K或K不能被设定为V
REF
电压。
2.当ZQ引脚直接连接到V
DD
输出阻抗设置为最小值,并且它不能被连接到地或悬空。
3.不连接到芯片的焊盘内部。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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