K9F1G08U0B
FL灰内存
K9XXG08UXB
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K9F1G08U0B
FL灰内存
文档标题
128M ×8位NAND闪存
修订历史
版本号
0.0
1.0
历史
1.初始发行
1. 1.8V的设备被淘汰
草案日期
5月26日2006年
九月27， 2006
备注
ADVANCE
最终科幻
所附的数据表准备并批准三星电子。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留权利
改变规格。三星电子将评估和回复您的要求和有关设备的问题。如果你有
有任何疑问，请联系三星分公司附近的办公室。
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K9F1G08U0B
FL灰内存
128M ×8位NAND闪存
产品列表
产品型号
K9F1G08U0B-P
VCC范围
2.70 ~ 3.60V
组织
x8
PKG型
TSOP1
特点
电源
- 3.3V器件（ K9F1G08U0B ） ： 2.70V 3.60V
组织
- 存储单元阵列： （ 128M + 4M ）× 8位
- 数据寄存器： （ 2K + 64 ）× 8位
自动编程和擦除
- 页编程： （ 2K + 64 ）字节
- 块擦除： （ 128K + 4K ）字节
页面读取操作
- 页面大小： （ 2K + 64 ）字节
- 随机读取：在25μs （最大值）
- 串行访问： 25ns的（最小）
快速写周期时间
- 页编程时间：为200μs （典型值）
- 块擦除时间： 1.5毫秒（典型值）。
命令/地址/数据多路复用I / O端口
硬件数据保护
- 编程/擦除锁定在电源转换
可靠的CMOS浮栅技术
-Endurance ： 100K编程/擦除周期（有1位/ 512字节
ECC ）
- 数据保存： 10年
命令式操作
智能拷贝回内部位/ 528Byte EDC
独特的ID为版权保护
包装：
- K9F1G08U0B - PCB0 / PIB0 ：无铅封装
48 - 引脚TSOP I（ 12 ×20 / 0.5 mm间距）
概述
提供在128Mx8bit的K9F1G08U0B是1G比特NAND闪存与备件32M位。它的NAND单元提供了最具成本
有效的解决了固态应用市场。一个程序可以运行在典型的为200ps的（ 2K + 64 ）字节进行
页和擦除操作可在典型的1.5ms的一个（ 128K + 4K ）字节块上进行。在数据寄存器中的数据可以被读出
每字节25ns的周期时间。在I / O引脚作为地址和数据输入/输出以及命令输入的端口。片上
写控制器自动完成所有的编程和擦除功能，包括脉冲重复，在必要时，和内部验证和
裕数据。即使是写密集型系统可以采取K9F1G08U0B的扩展的100K计划的可靠性的优势/
通过提供ECC （纠错码）与实时映射出的算法擦除周期。该K9F1G08U0B是最佳解决方案
灰对于大的非易失性存储应用的诸如固态存储文件和其他需要的非挥发性的便携式应用。
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K9F1G08U0B
引脚配置（ TSOP1 ）
K9F1G08U0B-PCB0/PIB0
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
R / B
RE
CE
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
CLE
ALE
WE
WP
N.C
N.C
N.C
N.C
N.C
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
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15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
N.C
N.C
N.C
N.C
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
N.C
N.C
N.C
VCC
VSS
N.C
N.C
N.C
I/O3
I/O2
I/O1
I/O0
N.C
N.C
N.C
N.C
FL灰内存
48引脚TSOP1
标准型
12毫米X 20毫米
包装尺寸
48引脚无铅塑料轻薄小本OUT直插式封装类型（I ）
48 - TSOP1 - 1220F
单位：毫米/英寸
0.10
最大
0.004
#48
( 0.25 )
0.010
12.40
0.488 MAX
0.50
0.0197
#24
#25
1.00
±0.05
0.039
±0.002
0.25
0.010 TYP
18.40
±0.10
0.724
±0.004
+0.075
20.00
±0.20
0.787
±0.008
0.008
-0.001
+0.07
+0.003
0.20
-0.03
#1
12.00
0.472
0.05
0.002 MIN
0.125
0.035
0~8°
0.45~0.75
0.018~0.030
( 0.50 )
0.020
4
0.005
-0.001
+0.003
1.20
0.047MAX
K9F1G08U0B
引脚说明
引脚名称
I / O
0
- I / O
7
引脚功能
FL灰内存
数据输入/输出
在I / O引脚在读操作期间用于输入命令，地址和数据，并输出数据。在I /
O管脚浮到高阻当芯片被取消或当输出被禁止。
命令锁存使能
在CLE输入控制用于发送到命令寄存器的命令的激活路径。当高电平有效，
命令被锁存到通过上WE信号的上升沿，在I / O端口的命令寄存器。
地址锁存使能
在ALE的输入控制的激活路径为地址为内部地址寄存器。地址是
锁存WE与ALE高的上升沿。
芯片使能
行政长官输入设备选择控制。当设备处于忙状态时， CE的高被忽略，并且
该设备不返回到待机模式在编程或擦除操作。
读使能
对RE输入是串行数据输出控制，并且当有源驱动器中的数据到I / O总线。数据是有效的
RE的下降沿也加一内部列地址计数器后TREA 。
写使能
在WE输入控制写入到I / O端口。命令，地址和数据被锁存的上升沿
在WE脉冲。
写保护
WP引脚提供了在电源转换意外的程序/擦除保护。内部高电压
年龄发生器复位，当WP引脚为低电平有效。
READY / BUSY输出
中的R / B输出指示设备操作的状态。当低，则表明一编程，擦除或
随机读取操作过程中和完成后返回高电平状态。这是一个漏极开路输出，
不浮到高阻状态时，芯片是取消或输出被禁止。
动力
V
CC
是用于设备的电源。
地
无连接
铅是没有内部连接。
CLE
ALE
CE
RE
WE
WP
R / B
VCC
VSS
N.C
记
：将所有V
CC
和V
SS
每个设备共用电源输出的引脚。
不要让V
CC
或V
SS
断开。
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