K6F8016U6D家庭
文档标题
CMOS SRAM
512K X16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
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0.0
0.1
最初的草案
修订
- 更新DC参数（我
CC
1, I
CC
2, I
SB
1, I
DR
)
敲定
- 增加了无铅产品。
草案日期
2004年4月26日
2004年9月13日
备注
初步
初步
1.0
2005年1月31日
最终科幻
所附的说明书是由三星电子提供的。 SAMSUNG ELECTRONICS CO 。 ， LTD 。保留更改规格的权利，
产品。三星电子将回答有关设备的问题。如果您有任何疑问，请联系三星分公司。
1
修订版1.0
2005年1月
K6F8016U6D家庭
特点
工艺技术：全CMOS
组织： 512K X16
电源电压： 2.7 3.3V
低数据保持电压： 1.5V （最小值）
三态输出
封装类型： 48 - FBGA - 6.00x7.00
CMOS SRAM
512K ×16位超低功耗和低电压全CMOS静态RAM
概述
该K6F8016U6D家庭是由三星公司制造
先进的全CMOS工艺技术。家庭支持
工业工作温度范围，并有芯片级
包装系统设计的用户灵活性。家属还
支持低数据保持电压为电池备份操作
低数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
K6F8016U6D-F
工作温度
Industrial(-40~85°C)
VCC范围
2.7~3.3V
速度
55
1)
/70ns
待机
(I
SB1
， TYP 。 ）
4A
2)
操作
(I
CC1
，最大值）
4mA
PKG型
48-FBGA-6.00x7.00
1.参数的测量条件为30pF的测试负载。
2.典型的值在V测量
CC
= 3.0V ， TA = 25℃ ，而不是100％测试
引脚说明
1
2
3
4
5
6
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
A
LB
OE
A0
A1
A2
CS2
VCC
VSS
B
I/O9
UB
A3
A4
CS1
I/O1
ROW
地址
C
ROW
SELECT
I/O10
I/O11
A5
A6
I/O2
I/O3
存储阵列
1024行
512 × 16列
D
VSS
I/O12
A17
A7
I/O4
VCC
数据
CONT
数据
CONT
数据
CONT
I / O电路
列选择
E
VCC
I/O13
DNU
A16
I/O5
VSS
I / O
1
-I / O
8
F
I / O
9
-I / O
16
I/O15
I/O14
A14
A15
I/O6
I/O7
G
I/O16
DNU
A12
A13
WE
I/O8
列地址
H
A18
A8
A9
A10
A11
DNU
CS1
48球FBGA - 顶视图（球下）
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
A
0
~A
18
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
名字
VCC
VSS
UB
LB
DNU
功能
动力
地
高字节（ I / O
9
~
16
)
低字节（ I / O
1
~
8
)
不要使用
CS2
OE
WE
UB
LB
控制逻辑
I / O
1
-I / O
16
数据输入/输出
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2
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K6F8016U6D家庭
产品列表
工业产品温度（ -40 85°C ）
部件名称
K6F8016U6D-FF55
K6F8016U6D-FF70
K6F8016U6D-XF55
K6F8016U6D-XF70
CMOS SRAM
功能
48 - FBGA ， 55ns ， 3.0V
48 - FBGA ，为70ns ， 3.0V
48 - FBGA ， 55ns ， 3.0V ，无铅
48 - FBGA ，为70ns ， 3.0V ，无铅
功能说明
CS
1
H
X
1)
X
1)
L
L
L
L
L
L
L
L
CS
2
X
1)
L
X
1)
H
H
H
H
H
H
H
H
OE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
L
L
L
X
1)
X
1)
X
1)
WE
X
1)
X
1)
X
1)
H
H
H
H
H
L
L
L
LB
X
1)
X
1)
H
L
X
1)
L
H
L
L
H
L
UB
X
1)
X
1)
H
X
1)
L
H
L
L
H
L
L
I / O
1~8
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
高-Z
DOUT
DIN
高-Z
DIN
I / O
9~16
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
DOUT
DOUT
高-Z
DIN
DIN
模式
取消
取消
取消
输出禁用
输出禁用
低字节读
高字节读
字读
低字节写入
高字节写
字写
动力
待机
待机
待机
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
活跃
1， X表示不关心。 （必须是低或高的状态）
绝对最大额定值
1)
项
任何引脚相对于VSS的电压
在VCC电源相对于Vss电压
功耗
储存温度
工作温度
符号
V
IN
, V
OUT
V
CC
P
D
T
英镑
T
A
评级
-0.5到V
CC
+ 0.3V （最大3.6V ）
-0.3 3.6
1.0
-65到150
-40到85
单位
V
V
W
°C
°C
1.强调大于下"Absolute最大Ratings"可能会对设备造成永久性损坏。功能操作应
推荐的工作条件下，受限制的被使用。暴露在绝对最大额定值条件下1秒以上会影响其可靠性。
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K6F8016U6D家庭
交流工作条件
测试条件
（测试负载和输入/输出参考）
输入脉冲电平： 0.4 2.2V
输入上升和下降时间： 5ns的
输入和输出参考电压： 1.5V
输出负载（见右图） ：C
L
=100pF+1TTL
C
L
=30pF+1TTL
CMOS SRAM
V
TM
3)
R
1
2)
C
L
1)
R
2
2)
1.包括范围和夹具电容
2. R
1
=3070
,
R
2
=3150
3. V
TM
=2.8V
AC特性
（ VCC = 2.7 3.3V ，工业产品：T已
A
= -40 85 ℃）下
速箱
参数表
符号
民
读周期时间
地址访问时间
芯片选择输出
输出使能到输出有效
UB ， LB访问时间
读
芯片选择低阻抗输出
UB ， LB启用以低阻抗输出
输出使能为低阻抗输出
芯片禁用到高阻输出
UB ， LB禁用高Z输出
输出禁止到高阻输出
从地址变更输出保持
写周期时间
片选写的结束
地址建立时间
地址有效到写结束
UB ， LB有效到结束写入的
写
把脉冲宽度
写恢复时间
写入输出高阻
数据写入时间重叠
从时间写数据保持
结束写入到输出低Z
t
RC
t
AA
t
CO
t
OE
t
BA
t
LZ
t
BLZ
t
OLZ
t
HZ
t
BHZ
t
OHZ
t
OH
t
WC
t
CW
t
AS
t
AW
t
BW
t
WP
t
WR
t
WHZ
t
DW
t
DH
t
OW
55
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
10
55
45
0
45
45
40
0
0
25
0
5
55ns
最大
-
55
55
25
55
-
-
-
20
20
20
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
民
70
-
-
-
-
10
10
5
0
0
0
10
70
60
0
60
60
50
0
0
30
0
5
70ns
最大
-
70
70
35
70
-
-
-
25
25
25
-
-
-
-
-
-
-
-
20
-
-
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
数据保持特性
项
VCC为数据保留
数据保持电流
数据保留的建立时间
恢复时间
符号
V
DR
I
DR
t
SDR
t
RDR
测试条件
CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
VCC = 1.5V ， CS
1
≥Vcc-0.2V
1)
看到数据保存波形
民
1.5
-
0
TRC
典型值
2)
-
1.0
-
-
最大
3.3
6
-
-
单位
V
A
ns
1. 1 ） CS
1
≥Vcc-0.2V,
CS
2
≥Vcc-0.2V(CS
1
控制）或
2 ） 0≤CS
2
≤0.2V(CS
2
控制）
2.典型值是在T测
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
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2005年1月
QQ：2880707522 复制
