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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第58页 > KMB010P30QA
半导体
技术参数
概述
此沟道MOSFET具有更好的特性，如快速切换时间，低
导通电阻,,低栅极电荷和优异的雪崩characteristiscs 。这主要是
适用于便携式的便携式设备和开关电源。
D
KMB010P30QA
P沟道沟槽MOSFET
H
T
P
G
L
特点
V
DSS
= -30V ，我
D
=-10A.
漏极 - 源极导通电阻。
R
DS （ ON）
= 20米（最大） @ V
GS
=-10V
R
DS （ ON）
= 28米（最大） @ V
GS
=-4.5V
超级高密度电池设计
1
4
B1 B2
8
5
A
MOSFET的最大额定值（Ta = 25
特征
漏源电压
门源电压
DC
漏电流
脉冲
漏源二极管的正向电流
漏极功耗
最高结温
存储温度范围
热阻，结到环境
注： *表面装在FR4板
除非另有说明）
SYMBOL PATING
V
DSS
V
GSS
I
D
*
I
DP
I
S
P
D
*
T
j
T
英镑
R
thJA
*
-30
25
-10
-50
-1.7
2.0
150
-55~150
62.5
/W
单位
V
V
A
A
A
W
暗淡
A
B1
B2
D
G
H
L
P
T
MILLIMETERS
_
4.85
+
0.2
_
3.94
+
0.2
_
0.3
6.02
+
_
0.4
+
0.1
0.15+0.1/-0.05
_
1.63
+
0.2
_
0.65
+
0.2
1.27
0.20+0.1/-0.05
FLP-8
KMB010P
30QA
709
引脚连接（顶视图）
S
S
S
G
1
8
D
D
D
D
1
2
3
8
7
6
5
2
7
3
6
4
4
5
2007. 6. 29
版本号： 1
1/4
KMB010P30QA
电气特性（ TA = 25
特征
STATIC
漏源击穿电压
排水截止电流
栅极漏电流
栅极阈值电压
漏源导通电阻
通态漏电流
正向跨导
动态
输入Capaclitance
输出继电器容量
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
开启Delat时间
开启上升时间
开启Deley时间
开启下降时间
源极 - 漏极二极管评级
源极 - 漏极的正向电压
记
1.脉冲测试：脉冲宽度
10
，占空比
1%
V
SDF *
V
GS
= 0V时，我
DR
=-1.7A,
-
-0.73
-1.2
V
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g*
Q
GS *
Q
GD *
t
D（上） *
t
r*
t
D（关闭） *
t
r*
V
DD
=-15V, V
GS
=-10V
R
L
=1.25
, R
G
=6
V
DS
=-15V, V
GS
= -10V ，我
D
=-10A
V
DS
=-15V, V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2530
635
445
44.6
7.7
11.5
10.2
6.3
22.5
10.6
-
-
-
-
-
-
-
-
ns
-
-
nC
pF
BV
DSS
I
DSS
I
GSS
V
th
R
DS （ ON） *
V
GS
= -4.5V ，我
D
=-8A
I
D（上） *
G
FS *
V
DS
=-5V, V
GS
=-10V
V
DS
= -15V ，我
D
=-10A
-
-30
-
20
-
14
28
-
-
A
S
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250 A
V
DS
=-24V, V
GS
=0V
V
GS
=
25V, V
DS
=0V
-30
-
-
-1.3
-
-
-
-
-1.9
12
-
-1
100
-2.5
20
m
V
A
nA
V
符号
） ，除非另有说明
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
=V
GS ，
I
D
=-250 A
V
GS
= -10V ，我
D
=-10A
2007. 6. 29
版本号： 1
2/2
KMB010P30QA
Fig1 。我
D
- V
DS
25
V
GS
=10,9,8,7,6,5,4V
Fig2 。我
D
- V
GS
25
漏电流I
D
(A)
15
10
5
0
0
2
4
6
8
V
GS
=3.0V
漏电流I
D
(A)
20
20
15
10
125
C
5
0
25
C
-55
C
10
12
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
漏 - 源极电压V
DS
(V)
栅 - 源电压V
GS
(V)
Fig3 。 - V
DS
4200
1.8
V
GS
=-20V
I
D
=-10A
图四。
DS （ ON）
- T
j
上阻抗R
DS （ ON）
（欧姆）
3500
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-55
电容（pF）
西塞
2800
2100
1400
700
0
0
5
10
15
20
25
30
科斯
CRSS
-25
0
25
50
75
100
125
漏源Volatage V
DS
(V)
结温Tj （ C）
Fig5 。 V
th
- T
j
相反的源极 - 漏极电流I
DR
(A)
归一化门源阈值
电压V
th
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100
125
V
GS
=V
DS
I
D
=-250A
图6.我
DR
- V
SDF
20
V
GS
=0V
10
1
0.4
0.6
0.7
0.9
1.1
1.3
结温Tj （ C）
源极 - 漏极前页电压V
SDF
(V)
2007. 6. 29
版本号： 1
3/4
KMB010P30QA
Fig7 。 V
GS
- Q
g
10
Fig8 。安全工作区
10
2
栅极至源极电压V
GS
(V)
V
DS
=-15V
漏电流I
D
(A)
8
6
4
2
0
0
I
D
=-10A
10
1
1ms
10
0
操作在此
区由R限于
DS （ ON）
10ms
100ms
1s
10s
DC
10
-1
V
GS
= 10V
单脉冲
10
-2
8
16
24
32
40
48
56
64
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
总栅极电荷Q
g
（ NC ）
漏 - 源极电压V
DS
(V)
Fig9 。瞬态热响应曲线
归一化瞬态热阻
10
0
占空比= 0.5
P
DM
t
1
0.1
0.05
0.02
单一时脉
t
2
t
1
0.2
10
-1
1.占空比D =
t
2
2.每单位基础= R
θJA
= 62.5 C / W
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
3
10
-2
10
-4
10
-3
方波脉冲持续时间（秒）
2007. 6. 29
版本号： 1
4/4
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