先进的技术信息
沟槽功率MOSFET
ISOPLUS220
TM
电气隔离返回地面
IXUC160N075
V
DSS
= 75 V
I
D25
= 160 A
R
DS （ ON）
= 6.5 m
ISOPLUS 220
TM
符号
V
DSS
V
GS
I
D25
I
D90
I
S25
I
S90
I
D（ RMS）
E
AS
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
连续
T
C
= 25°C ;注1
T
C
= 90 ° C，注1
T
C
= 25°C ;注1,2
T
C
= 90℃，注1,2
封装引线电流限制
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
最大额定值
75
±20
160
130
160
120
45
待定
300
-55 ... +175
175
-55 ... +150
V
V
A
A
A
A
A
mJ
W
°C
°C
°C
°C
V~
G =门，
S =源
*专利申请中
G
D
S
孤立的背面*
D =排水，
特点
l
对直接铜键合硅片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
l
沟槽MOSFET
- 非常低R
DS （ ON）
- 快速切换
- 可用的内在反向二极管
l
低漏片电容（ <15pF ）
l
非钳位感应开关（ UIS）
评级
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
有效值引线到标签上， 50/60赫兹， t为1分钟
安装力
300
2500
11 ... 65 / 2.4 ... 11 N /磅
2
g
应用
汽车42V和12V系统
- 电子开关来代替继电器
和保险丝
- 直升机，以取代一系列下探
用于马达，加热器等的电阻
- 逆变器交流驱动器，例如起动机
发电机
- DC-DC变换器，例如12V至42V ，等等。
l
电源
- 直流 - 直流转换器
- 太阳能逆变器
l
电池供电系统
- 菜刀或逆变器电机控制
手工具
- 电池充电器
l
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6.5 m
m
4
20
1
±200
V
A
mA
nA
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 10 V，I
D
= 100 A，注3
V
GS
= 10 V，I
D
= I
D90
，注3
V
DS
= V
GS
, I
D
= 2毫安
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
2
10.2
优势
l
l
l
易于组装：无螺丝或隔离
需要箔
节省空间
高功率密度
版权所有2001 IXYS所有权利。
98830 (05/01)
IXUC160N075
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
250
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 100 A
待定
待定
50
V
GS
= 10 V, V
DS
=40 V,
I
D
= 90 A，R
G
= 4.7
40
190
55
0.5
0.30
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
K / W
K / W
ISOPLUS220概要
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
R
thCH
源极 - 漏极二极管
符号
V
SD
t
rr
测试条件
I
F
= 80 A，V
GS
= 0 V
注3
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.1
120
1.5
V
ns
注：所有接线端子焊锡镀。
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
I
F
= 90 A， di / dt的= -250 A / μs的，V
DS
= 0.5 V
DSS
注：1， MOSFET芯片的能力
2.本征二极管能力
3.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
艾赛斯的MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利： 4835592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
QQ：2881677436 复制
