ISL6522B
数据表
2005年4月4日
FN9150.1
降压和同步整流器
脉宽调制（ PWM ）控制器
该ISL6522B提供完整的控制和保护的
的DC-DC转换器用于高性能优化
微处理器应用。它被设计用来驱动两个
N沟道MOSFET的同步整流降压拓扑结构。
该ISL6522B集成了所有的控制，输出调节，
监视和保护功能集成到单个封装中。
转换器的输出电压可被精确
调节到低至0.8V时，具有的最大耐受
±1%
在温度和线电压变化。
该ISL6522B提供简单的，单一的反馈回路，电压 -
模式控制，具有快速的瞬态响应。它包括一个200kHz的
自由运行的三角波振荡器，该振荡器是由可调
下面50kHz至1MHz的多。误差放大器的特点是
15MHz的增益带宽积和6V / μs压摆率这
实现了快速瞬态perform-高转换器带宽，
ANCE 。所产生的PWM占空比范围为0-100％ 。
该ISL6522B防止过流条件
抑制PWM操作。该ISL6522B监控
通过利用第r当前
DS （ ON）
上MOSFET的哪
省去了一个电流检测电阻器。
特点
驱动两个N沟道MOSFET
从+ 5V或+ 12V输入进行操作
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0-100％占空比
出色的输出电压调节
- 0.8V内部参考
-
±1%
在线路电压和温度
过电流故障监控器
- 不需要额外的电流传感元件
- 使用的MOSFET
DS （ ON）
转换器可以提供和吸收电流
预偏置负载启动向上
小尺寸转换器
- 恒定频率工作
- 从200kHz的自由运行的可编程振荡器
50kHz至1MHz的多
14引脚SOIC封装和16引脚的5x5mm QFN封装
QFN封装
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN-四方扁平
没有信息，产品外形
- 近晶片级封装足迹;提高印刷电路板
效率和稀释剂的个人资料
无铅可（符合RoHS ）
引脚配置
RT
OCSET
SS
COMP
FB
EN
GND
ISL6522B （ SOIC ）
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
14 VCC
13 PVCC
12 LGATE
11 PGND
10 BOOT
9
8
UGATE
相
应用
电源奔腾
，高能奔腾， PowerPC的
和
AlphaPC 微处理器
FPGA内核的DC / DC转换器
低电压分布式电源
ISL6522B （ QFN ）
顶视图
OCSET
VCC
13
12 PVCC
11 LGATE
10 PGND
9
5
NC
6
GND
7
PAHSE
8
UGATE
BOOT
NC
16
SS 1
比较2
FB 3
EN 4
15
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil公司（和设计）是Intersil Americas Inc.公司的注册商标。
版权所有 Intersil公司美洲2004年， 2005年版权所有。提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
PowerPC的
是IBM公司的一个注册商标。 AlphaPC 是数字设备公司的商标。奔腾
是Intel Corporation的注册商标。
1
RT
14
ISL6522B
订购信息
产品型号
ISL6522BCB*
ISL6522BCBZ*
（见注）
ISL6522BCR*
ISL6522BCRZ*
（见注）
ISL6522BIB*
ISL6522BIBZ*
（见注）
ISL6522BIR*
ISL6522BIRZ*
（见注）
温度。
范围（° C）
0到70
0到70
0到70
0到70
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
包
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
16 Ld的5×5 QFN
16 Ld的5×5 QFN
（无铅）
14 Ld的SOIC
14 Ld的SOIC
（无铅）
16 Ld的5×5 QFN
16 Ld的5×5 QFN
（无铅）
PKG 。
DWG 。 ＃
M14.15
M14.15
L16.5x5B
L16.5x5B
M14.15
M14.15
L16.5x5B
L16.5x5B
*添加“ -T ”后缀磁带和卷轴。
注： Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 ％雾锡
板终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。 Intersil无铅
产品分类MSL在无铅峰值回流温度下
达到或超过IPC / JEDEC J STD- 020对无铅要求。
2
ISL6522B
绝对最大额定值
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
启动电压，V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
输入，输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到V
CC
+0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热电阻（典型值，注1 ） 。 。 。
θ
JA
（ ° C / W）
θ
JC
（ ° C / W）
SOIC封装（注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 67
不适用
QFN封装（注2，注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36
5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150℃
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
最大的铅温度（焊接10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
（ SOIC - 只会提示）
推荐工作条件
电源电压，V
CC
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +12V
±10%
环境温度范围， ISL6522BC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
环境温度范围， ISL6522BI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
结温范围， ISL6522BC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至125°C
结温范围， ISL6522BI 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至125°C
注意：如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ，可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意事项：
1.
θ
JA
测定用安装在一个高位有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。见技术
简介TB379 。
3.
θ
JC
中， "case temp"位置是在封装底部的裸露金属焊盘的中心。
电气规格
参数
V
CC
电源电流
标称电源
关断电源
上电复位
瑞星V
CC
门槛
落V
CC
门槛
启用 - 输入阈值电压
V
OCSET
= 4.5VDC
V
OCSET
= 4.5VDC
ISL6522BC ，V
OCSET
= 4.5VDC
ISL6522BI ，V
OCSET
= 4.5VDC
瑞星V
OCSET
门槛
振荡器
自由运行频率
ISL6522BC ，R
T
=打开，V
CC
= 12
ISL6522BI ，R
T
=打开，V
CC
= 12
全变差
斜坡幅度
参考
参考电压容差
V
REF
广告
产业
参考电压
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
GBW
SR
COMP = 10pF的
-
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
-1
-2
-
-
-
0.800
+1
+1
-
%
%
V
V
OSC
6kΩ <
T
到GND < 200kΩ的
R
T
=打开
175
160
-20
-
200
200
-
1.9
230
230
+20
-
%
V
P-P
千赫
-
8.1
0.8
0.8
-
-
-
-
-
1.27
10.4
-
2.0
2.1
-
V
V
V
V
V
I
CC
EN = V
CC
; UGATE和LGATE开放
EN = 0V
-
-
5
50
-
100
mA
A
推荐工作条件，除非另有说明
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
4
QQ：2880707522 复制
