【IRFBF20S ， IRFBF20L ， SiHFBF20S ， SiHFBF20LVishay 】,IC型号IRFBF20S,IRFBF20S PDF资料,IRFBF20S经销商,ic,电子元器件-51电子网

IRFBF20S ， IRFBF20L ， SiHFBF20S ， SiHFBF20L

Vishay Siliconix公司

功率MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

(Ω)

（最大值）（ NC ）

（ NC ）

CON组fi guration

= 10 V

4.7

单身

特点

900

8.0

表面贴装（ IRFBF20S / SiHFBF20S ）

小尺寸通孔（ IRFBF20L / SiHFBF20L ）

=可用

TAPE

(IRFBF20S/SiHFBF20S)

动态的dv / dt额定值

150 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

铅（Pb），免费提供

和

可用的

REEL

RoHS指令*

柔顺

PAK

(TO-262)

PAK （ TO-263 ）

描述

N沟道

MOSFET

第三代功率MOSFET组成的Vishay提供

设计师与快速切换的最佳组合，

加固装置的设计，低导通电阻和

成本效益。

对D

PAK是一个表面贴装功率封装capabel

容纳模具尺寸高达HEX - 4 。它提供了

最高功率能力和尽可能低的

的导通电阻，在任何现有的表面贴装型封装。该

白是适合的，因为高电流应用其

较低的内部连接性和功耗最高

2.0 W的一个典型的表面安装的应用程序。该

贯通孔版（ IRFBF20L / SiHFBF20L ）是可用于

低调的申请。

订购信息

包

铅（Pb ） - 免费

SNPB

记

一。请参阅设备的方向。

PAK （ TO-263 ）

IRFBF20SPbF

SiHFBF20S-E3

IRFBF20S

SiHFBF20S-E3

PAK （ TO-263 ）

IRFBF20STRLPbF

SiHFBF20STL-E3

IRFBF20STRL

SiHFBF20STL

PAK （ TO-263 ）

IRFBF20STRRPbF

SiHFBF20STR-E3

IRFBF20STRR

SiHFBF20STR

PAK （ TO- 262 ）

IRFBF20LPbF

SiHFBF20L-E3

IRFBF20L

SiHFBF20L

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

脉冲漏

当前

A，E

能源

B，E

在10 V

= 25 °C

= 100 °C

符号

= 25 °C

dv / dt的

极限

900

± 20

1.7

1.1

6.8

0.43

180

1.7

5.4

3.1

1.5

W / ℃，

V / ns的

单位

线性降额因子

单脉冲雪崩

重复性雪崩

当前

能源

最大功率耗散

峰值二极管恢复的dv / dt

C，E

*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免

文档编号： 91121

S-挂起-REV 。 A， 23军08

www.vishay.com

WORK -IN -PROGRESS

IRFBF20S ， IRFBF20L ， SiHFBF20S ， SiHFBF20L

Vishay Siliconix公司

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明

参数

工作结存储温度范围

焊接建议（峰值温度）

安装力矩

10秒

6-32或M3螺丝

符号

, T

英镑

极限

- 55至+ 150

300

单位

°C

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。 V

= 50 V ;起始物为

= 25 ° C，L = 117 mH的，R

= 25

Ω,

= 1.7 A（见图12 ）。

C.我

≤

1.7 A， di / dt的

≤

70 A / μs的，V

≤

, T

≤

150 °C.

。 1.6毫米的情况。

。使用IRFBF20 / SiHFBF20数据和试验条件。

热电阻额定值

参数

最大结到环境（PCB

安装，稳态）

最大结到外壳

符号

thJA

thJC

典型值。

马克斯。

2.3

单位

° C / W

记

一。当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

特定网络阳离子

= 25 ℃，除非另有说明

参数

STATIC

漏源击穿电压

温度COEF网络cient

门源阈值电压

栅源漏

零栅极电压漏极电流

漏源导通电阻

正向跨导

动态

输入电容

输出电容

反向传输电容

总栅极电荷

栅极 - 源电荷

栅极 - 漏极电荷

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

= 450 V，I

= 1.7 A,

= 18

Ω,

= 10V ，见图。 10

= 10 V

= 1.7 A，V

= 360 V,

参见图。 6和13

= 0 V,

= 25 V,

F = 1.0兆赫，见图。五

490

8.0

4.7

ΔV

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250 A

参考至25℃ ，我

= 1毫安

= V

, I

= 250 A

= ± 20 V

= 900 V, V

= 0 V

= 720 V, V

= 0 V ，T

= 125 °C

= 10 V

= 1.0 A

= 50 V，I

= 1.0 A

900

2.0

0.6

1.1

4.0

± 100

100

500

8.0

毫伏/°C的

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

www.vishay.com

文档编号： 91121

S-挂起-REV 。 A， 23军08

IRFBF20S ， IRFBF20L ， SiHFBF20S ， SiHFBF20L

Vishay Siliconix公司

特定网络阳离子

= 25 ℃，除非另有说明

参数

漏源体二极管特性

连续源极 - 漏极二极管电流

脉冲二极管正向

体二极管电压

体二极管反向恢复时间

体二极管反向恢复电荷

向前开启时间

当前

MOSFET符号

展示

整体反转

P - N结二极管

符号

测试条件

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

350

0.85

1.7

6.8

1.5

530

1.3

= 25 ° C，I

= 1.7 A，V

= 0 V

= 25 ° C，I

= 1.7 A， di / dt的= 100 A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

和L

)

笔记

一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。

B 。脉冲宽度

≤

300微秒;占空比

≤

2 %.

。使用IRFBF20 / SiHFBF20数据和试验条件。

典型特征

25 ℃，除非另有说明

图。 1 - 典型的输出特性

图。 2 - 典型的输出特性

文档编号： 91121

S-挂起-REV 。 A， 23军08

www.vishay.com

IRFBF20S ， IRFBF20L ， SiHFBF20S ， SiHFBF20L

Vishay Siliconix公司

图。 3 - 典型的传输特性

图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压

图。 4 - 归通电阻与温度的关系

图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压

www.vishay.com

文档编号： 91121

S-挂起-REV 。 A， 23军08

IRFBF20S ， IRFBF20L ， SiHFBF20S ， SiHFBF20L

Vishay Siliconix公司

图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压

图。 9 - 最大漏极电流与外壳温度

D.U.T.

脉冲

宽度

≤

占空比

≤

0.1

图。 10A - 开关时间测试电路

D（上）

D（关闭）

图。 8 - 最高安全工作区

图。 10B - 开关时间波形

文档编号： 91121

S-挂起-REV 。 A， 23军08

www.vishay.com

PD - 9.1665

初步

IRFBF20S/L

HEXFET

功率MOSFET

表面贴装（ IRFBF20S ）

通孔低调（ IRFBF20L ）

可在磁带&卷（ IRFBF20S ）

动态的dv / dt额定值

150 ° C工作温度

快速开关

全额定雪崩

DSS

= 900V

DS （ ON）

= 8.0

= 1.7A

描述

国际整流器公司第三代HEXFETs提供了设计者的

快速切换的最佳组合，加固装置的设计，低导通电阻和

成本效益。

对D

白是一种表面贴装能够国税发accommodatingdie尺寸功率封装

达HEX -4。它提供了最高的功率输出能力和尽可能低的导通

在任何现有的表面电阻贴装封装。对D

白是适合于高

因为它的低的内部连接电阻和能的当前应用

耗散高达2.0W在一个典型的表面安装的应用程序。通孔版

（ IRFBF20L ）可用于小尺寸应用。

D 2白

T O服务-2 6 2

绝对最大额定值

参数

@ T

= 25°C

@ T

= 100°C

= 25°C

dv / dt的

英镑

连续漏电流， V

@ 10V

连续漏电流， V

@ 10V

漏电流脉冲

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩能量????

雪崩电流？

重复性雪崩能量？

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

1.7

1.1

6.8

3.1

0.43

± 20

180

1.7

5.4

1.5

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

W / ℃，

V / ns的

°C

热阻

参数

θJC

θJA

结到外壳

结到环境（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

2.3

单位

° C / W

7/10/97

IRFBF20S/L

电气特性@ T

= 25 ℃（除非另有规定）

（ BR ） DSS

DS （ ON）

GS （ TH）

DSS

GSS

D（上）

D（关闭）

国际空间站

OSS

RSS

参数

漏极至源极击穿电压

击穿电压温度。系数

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

正向跨导

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

分钟。

900

–––

2.0

0.60

–––

典型值。

–––

1.1

–––

8.0

MAX 。单位

条件

–––

= 0V时，我

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

=1mA

8.0

= 10V ，我

= 1.0A

4.0

= V

, I

= 250A

–––

= 50V ，我

= 1.0A

100

= 900V, V

= 0V

500

= 720V, V

= 0V ，T

= 125°C

100

= 20V

-100

= -20V

= 1.7A

4.7

= 360V

= 10V ，参照图6和13

–––

= 450V

–––

= 1.7A

–––

= 18

–––

= 280Ω ，参照图10

铅之间，

7.5 –––

而中心的模具接触

490 –––

= 0V

55 –––

= 25V

18 –––

= 1.0MHz的，见图。 5 ？

源极 - 漏极额定值和特性

注意事项：

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

MOSFET符号

––– –––

1.7

展示

整体反转

––– ––– 6.8

p-n结二极管。

––– ––– 1.5

= 25 ° C，I

= 1.7A ，V

= 0V

––– 350 530

= 25 ° C，I

= 1.7A

––– 0.85 1.3

μC的di / dt = 100A / μs的

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

)

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（参见图11）

脉冲宽度

≤

300μS ;占空比

≤

2%.

使用IRFBF20数据和测试条件

= 50V ，起始物为

= 25℃时，L = 117mH

= 25, I

= 1.7A 。（参见图11 ）

≤

1.7A ， di / dt的

≤

70A / μs的，V

≤

（ BR ） DSS

≤

150°C

**当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10材料）。

对于推荐的足迹和焊接技术是指应用笔记＃ AN- 994 。

IRFBF20S/L

IRFBF20S/L

IRFBF20S/L