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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第868页 > IXTQ36N50P
先进的技术信息
PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 500 V
= 36 A
170
Ω
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 MΩ
最大额定值
500
500
±20
±30
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
TO-3P ( IXTQ )
G
D
S
D( TAB )
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 4
Ω
T
C
= 25°C
36
100
36
50
1.5
10
500
-55 ... +150
150
-55 ... +150
TO- 268 ( IXTT )
G
S
D( TAB )
W
°C
°C
°C
°C
°C
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
塑体
安装力矩
TO-3P
TO-268
(TO-3P)
300
250
特点
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
5.5
5.0
g
g
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
V
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
优势
500
2.5
5.0
±100
25
250
170
V
V
nA
μA
μA
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
μs,
占空比
2 %
版权所有2004 IXYS所有权利。
DS99228(11/04)
IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
25
35
4800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
510
60
29
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 I
D25
R
G
= 4
Ω
(外部)
23
82
23
135
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
65
0.25
0.21
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
TO- 3P ( IXTQ )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
36
100
1.5
300
3.3
A
A
V
ns
μC
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
μs,
占空比
2 %
I
F
= 25A , -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
图。 1.输出特性
@ 25
C
36
32
28
V
GS
= 10V
8V
7V
80
70
60
V
GS
= 10V
8V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
24
20
16
12
8
4
0
0
1
2
3
4
5
6
7
5V
5.5V
6V
50
40
30
20
10
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
6.5V
6V
5.5V
5V
18
20
22
24
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
36
32
28
V
GS
= 10V
3.1
2.8
V
GS
= 10V
V
S
- 伏特
图。 4.
DS (上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
24
20
16
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
4.5V
5V
5.5V
R
S(O N)
- 归
7V
6V
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 18A
I
D
= 36A
I
D
- 安培
V
S
- 伏特
图。 5.
DS ( ON)
规范alized到
0.5 I
D25
价值与我
D
3.4
3
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
40
35
30
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
R
S(O N)
- 归
2.6
2.2
1.8
1.4
1
0.6
0
10
20
30
40
I
D
- 安培
T
J
= 25C
50
60
70
80
25
20
15
10
5
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
版权所有2004 IXYS所有权利。
IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
图。 7.输入上将ittance
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
T
J
= 125C
25C
-40C
60
50
40
30
20
10
T
J
= -40C
25C
125C
70
图。 8.跨导
V
的s
- 伏特
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
100
90
80
10
9
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 18A
I
G
= 10毫安
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
I
D
- 安培
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
70
V
的s
- 伏特
T
J
= 125C
T
J
= 25C
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
60
50
40
30
20
10
0
6
5
4
3
2
1
0
0
20
40
60
80
100
120
140
V
S.D。
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全工作区
1000
T
J
= 150C
图。 11.电容
10000
电容 - 皮法
国际空间站
1000
T
C
= 25C
I
D
- 安培
R
DS ( ON)
极限
100
OSS
100
25μs
10
100μs
1ms
F = 1MHz的
10
0
5
10
15
20
25
30
RSS
1
35
40
10
DC
10ms
100
1000
V
S
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
V
S
- 伏特
IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
图。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱 ES是tance
1.00
R
T H, J·C
-
C / W
0.10
0.01
0.1
1
浦LS东西ID日 - 米利斯权证 N D s
10
100
1000
版权所有2004 IXYS所有权利。
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXTQ36N50P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755-88917652分机801-83200050
联系人:柯
地址:深圳市福田区华强北振兴华101号华匀大厦二栋五楼516室 本公司可以开13%增值税发票 以及3%普通发票!!
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21+
9800
TO-3P
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
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18600
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联系人:曾小姐
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电话:18913062888
联系人:陈先生
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电话:0755-23945755 83248872
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼4A68-2室
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IXYS
22+
22620
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原装正品,公司现货库存假一罚十,电话:0755-23945755 QQ:3065848471
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2405+
9580
TO-3P
十年芯路!只有原装!优势MOS场效应管
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电话:0755-89697985
联系人:李
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IXTQ36N50P
Littelfuse Inc.
24+
10000
TO-3P
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXTQ36N50P
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2443+
23000
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电话:0755-83223003
联系人:朱
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IXYS
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18650
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