IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
25
35
4800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
510
60
29
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 I
D25
R
G
= 4
Ω
(外部)
23
82
23
135
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
30
65
0.25
0.21
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
TO- 3P ( IXTQ )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。典型值。马克斯。
36
100
1.5
300
3.3
A
A
V
ns
μC
TO- 268外形
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
I
F
= 25A , -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利:
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
IXTQ 36N50P
IXTT 36N50P
图。 1 3 。 M IM AX UM牛逼失败者即NT牛逼有源冰箱 ES是tance
1.00
R
T H, J·C
-
C / W
0.10
0.01
0.1
1
浦LS东西ID日 - 米利斯权证 N D s
10
100
1000
版权所有2004 IXYS所有权利。