添加收藏夹  设为首页  深圳服务热线：13751165337  13692101218
Pdf资料  |  热门库存  |  IC详细资料  |  网站地图
IC供应 PDF资料 非IC供应
51电子网联系电话：13751165337
首页
供应信息
求购信息
非IC专区
技术资料
电子资讯
招聘中心
会展信息 51旺铺 会员中心
位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第868页 > IXBH42N170
高电压，高增益
BIMOSFET
TM
单片
双极型晶体管MOS
IXBH 42N170
IXBT 42N170
V
CES
= 1700 V
= 75 A
I
C25
V
CE （ SAT ）
= 3.6
V
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
T
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 10
钳位感性负载
V
GE
= 15 V, V
CES
= 1200V ，T
J
= 125°C
R
G
= 10
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
1700
1700
±20
±30
75
42
180
I
CM
=
V
CES
=
90
1350
10
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
350
260
6
4
V
V
V
V
A
A
A
A
V
s
W
°C
°C
°C
°C
°C
g
g
TO- 268 （ IXBT ）
G
E
（ TAB ）
的TO- 247的AD
（ IXBH ）
G
C（ TAB ）
C
E
C =收藏家，
TAB =收藏家
G =门，
E =发射器，
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
最高选项卡下的10秒贴片焊接设备
M
d
重量
安装扭矩（ M3 ）
的TO- 247的AD
TO-268
1.13/10Nm/lb.in.
特点
高阻断电压
JEDEC TO -268表面
JEDEC TO- 247 AD
低传导损耗
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
成型环氧符合UL 94 V- 0
易燃性分类科幻阳离子
应用
交流电机调速
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
电容放电电路
优势
更低的传导损耗比MOSFET的
高功率密度
适于表面安装
易与1个螺丝安装，
（隔绝安装螺纹孔）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1700
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
5.5
50
1.5
±100
3.6
T
J
= 125°C
3.7
V
V
A
mA
nA
V
V
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 250
A,
V
GE
= 0 V
= 750
A,
V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
2004 IXYS版权所有
DS98710B(12/04)
IXBH 42N170
IXBT 42N170
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
20
30
3500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
195
45
147
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
40
70
感性负载，T
J
= 25°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.5 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
V
CE
= 0.5 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
45
35
365
465
9
45
38
50
390
730
12.8
S
P
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.35 K / W
DIM 。
e
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 268外形
(TO-247)
0.25
K / W
反向二极管
符号
V
F
I
RM
t
rr
测试条件
I
F
t
I
F
v
R
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
3.0
24
360
V
A
ns
= I
C90
, V
GE
= 0 V ，脉冲测试，
< 300我们，占空比 < 2 ％
=
25A,
V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 50 A /美
= 100V
闵推荐足迹
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
IXBH 42N170
IXBT 42N170
图。 1.输出Characte ristics
@ 25度。
90
80
70
V
GE
= 15V
13V
11V
250
225
200
9V
175
图。 2.扩展的输出Characte ristics
@ 25代克。
V
GE
= 17V
15V
13V
I
C
- 安培
I
C
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
150
125
100
75
50
11V
7V
9V
5V
5
6
7
25
0
0
2
4
6
8
10
12
7V
14
16
18
V
权证
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125度。
90
80
70
V
GE
= 15V
13V
11V
1.8
1.7
1.6
V
权证
- 伏特
图。 V 4.德彭代NCE
CE （ SAT ）
on
tem温度
V
GE
= 15V
I
C
= 84A
V
权证（SAT）
- 归
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
I
C
- 安培
60
50
40
30
20
10
0
0
1
2
3
4
5
9V
I
C
= 42A
7V
5V
0.8
0.7
6
7
-50
-25
0
25
50
75
I
C
= 21A
100
125
150
V
CE
- 伏特
图。 5.收集到EM伊特尔电压
与门到EM伊特尔电压
10
9
8
T
J
= 25C
80
70
60
T
J
- 摄氏
图。 6.输入上将ittance
I
C
- 安培
V
权证
- 伏特
7
6
5
4
3
2
5
6
7
8
9
I
C
= 84A
42A
21A
50
40
30
20
10
0
T
J
= 125C
25C
-40C
V
摹ê
- 伏特
10
11 12 13 14
15 16 17
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
V
摹ê
- 伏特
2004 IXYS版权所有
IXBH 42N170
IXBT 42N170
图。 7.跨导
45
40
35
T
J
= -40C
25C
125C
200
180
160
图。 8. FORW ARD的电压降
征二极管
I
F
- 安培
g
F小号
- 西门子
30
25
20
15
10
5
0
0
140
120
100
80
60
40
20
0
T
J
= 25
C
T
J
= 125
C
10
20
30
40
50
60
70
80
0.5
1
1
.5
I
C
- 安培
图。 9.依赖的导通关
能源R上
G
35
T
J
= 125C
V
GE
= 15V
V
CE
= 850V
V
F
- 伏特
2
2.5
3
3.5
图。 10.依赖性的Turn-关闭
能在我
c
24
22
R
G
= 10
V
GE
= 15V
V
CE
= 850V
30
I
C
= 84A
20
E
关闭
- 毫焦耳
25
E
关闭
- 毫焦耳
18
16
14
12
10
T
J
= 25C
T
J
= 125C
20
I
C
= 42A
15
I
C
= 21A
10
8
6
5
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
4
20
30
40
50
60
70
80
90
R
G
- 欧姆
图。 11.依赖的关断
精力tem温度
24
22
20
I
C
= 84A
12
15
V
CE
= 600V
I
C
= 42A
I
G
= 10毫安
I
C
- 安培
图。 12.栅极电荷
E
关闭
- 毫焦耳
18
16
14
12
10
8
6
4
25
I
C
= 42A
V
摹ê
- 伏特
R
G
= 10
V
GE
= 15V
V
CE
= 850V
9
6
3
I
C
= 21A
0
35
45
55
65
75
85
95
105 115 125
0
20
40
T
J
- 摄氏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
Q
G
- nanocoulombs
60
80
100
120
140
160
IXBH 42N170
IXBT 42N170
图。 13.电容
10000
F = 1 MHz的
C
IES
1000
C
OES
电容 - P F
100
C
水库
10
0
5
10
15
V
权证
- 伏特
20
25
30
35
40
图。 14.马克西姆嗯瞬态千卡人抵抗
1
R
（ TH） J·C
- （ C / W）
0.1
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 毫秒
10
100
1000
2004 IXYS版权所有
查看更多IXBH42N170PDF信息
推荐型号
IDT72815LB35BG
IRGBC30KD2-S
IDT7016L15GG
IRKKF112-02HM
IXTF02N450
IDT7205L12TD
IRKTF151-02FM
ICS83026BMI-01LF
IDT79RV4700-200GH
IDT79RV4700-200-GH
IS61LV25616_01
IRM-2636
IDT79RC64T575-200DP
IS61LPS25636A-200TQ
IDT54FCT139AE
IRKUF71-10GJ
IDT7027S20PFB
ICE3B1065
IP4060CX16/LF
IXTQ36N50P
供货商
型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXBH42N170
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

更多配单专家
上海齐创科技有限公司（上海青岛北京）
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2394092314 复制 点击这里给我发消息 QQ：792179102 复制 点击这里给我发消息 QQ：841523240 复制

电话：021-62153656青岛0532-82001686军工专家真诚为您服务
联系人：李小姐/郭先生/钱先生-本公司可开具13%增值税发票
地址：上海公司：上海市静安区海宁路1399号金城大厦 北京公司：海淀区中关村大街 32 号蓝天科技综合楼 青岛公司：城阳区正阳路205号海都国际A座805
IXBH42N170
IXYS代理
25+热销
8000新到货
TO-247
热卖全新原装现货特价长期供应
昆山隆诚翔电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885615943 复制
电话：0512-82613006
联系人：曾小姐
地址：昆山市朝阳东路99号4楼
IXBH42N170
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
深圳市恒佳微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1807086236 复制 点击这里给我发消息 QQ：2322757237 复制

电话：0755-82533156 82710336
联系人：朱经理、张小姐
地址：深圳市福田区华强北上步工业区501栋11楼1109-1110室
IXBH42N170
IXYS
19+
15000
十年专营，供应原装正品！热卖现货！
深圳市杰兴微电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：3004205530 复制 点击这里给我发消息 QQ：3004205445 复制

电话：0755-23995152
联系人：林
地址：广东省深圳市福田区华强北国利大厦25层2533室
IXBH42N170
IXYS
23+
12000
原厂封装
原装现货可含税
深圳市晶美隆科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2885348339 复制 点击这里给我发消息 QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630
联系人：李林
地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
IXBH42N170
IXYS
24+
11758
TO-247
全新原装现货热卖
深圳市源丰诚电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407
联系人：朱先生
地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518
IXBH42N170
IXYS
17+
4550
TO-247
进口原装正品现货！
深圳市芯泽盛世科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881147140 复制

电话：0755-89697985
联系人：李
地址：深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IXBH42N170
IXYS
24+
10000
TO-247AD
原厂一级代理，原装现货
深圳市创芯联盈电子有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559
联系人：陈泽强
地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IXBH42N170
IXYS/艾赛斯
2443+
23000
TO-247
一级代理专营，原装现货，价格优势
深圳市诺洋电子科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2881501652 复制 点击这里给我发消息 QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003
联系人：朱
地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316
IXBH42N170
IXYS
24+
3769
TO-247AD
全新原装现货，原厂代理。
深圳市正信鑫科技有限公司
QQ： 点击这里给我发消息 QQ：1686616797 复制 点击这里给我发消息 QQ：2440138151 复制
电话：0755-22655674/15099917285
联系人：小邹
地址：深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
IXBH42N170
ＩＸＹＳ
22+
3635
原厂封装
原装正品★真实库存★价格优势★欢迎来电洽谈
查询更多IXBH42N170供应信息
深圳市碧威特网络技术有限公司
 复制成功！