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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第868页 > IRLIZ24N
以前的数据表
指数
下一页数据表
PD - 9.1344
初步
IRLIZ24N
D
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
先进的工艺技术
独立包装
高电压隔离= 2.5KVRMS
沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米
全额定雪崩
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS ( ON)
= 0.06
I
D
= 14A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
器件设计用于其HEXFET功率MOSFET
众所周知,为设计者提供了一个非常
有效的装置,用于在各种各样的应用中使用。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻
和外部散热器。这种隔离是相当于使用
一个100微米云母屏障与标准的TO-220的产品。
该FULLPAK使用单个夹子安装在散热器或
通过单螺杆固定。
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩电流
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝。
马克斯。
14
9.9
72
26
0.17
±20
68
11
4.5
4.6
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅在( 1.1N m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
分钟。
––––
––––
典型值。
––––
––––
马克斯。
5.8
65
单位
° C / W
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRLIZ24N
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏水槽容量
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
分钟。
55
–––
–––
–––
–––
1.0
8.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.061
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.1
74
20
29
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安?
0.060
V
GS
= 10V ,我
D
= 8.4A
0.075
V
GS
= 5.0V ,我
D
= 8.4A
0.105
V
GS
= 4.0V ,我
D
= 7.0A
2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ,我
D
= 11A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
15
I
D
= 11A
3.7
nC
V
DS
= 44V
8.5
V
GS
= 5.0V ,见图。 6和13
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 11A
ns
–––
R
G
= 12, V
GS
= 5.0V
–––
R
D
= 2.4Ω ,参照图10
铅之间,
4.5 –––
6毫米(0.25英寸)。
nH
从包
7.5 –––
而中心的模具接触
480 –––
V
GS
= 0V
130 –––
pF
V
DS
= 25V
61 –––
= 1.0MHz的,见图。 5 ?
12 –––
= 1.0MHz的
D
G
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
60
130
14
A
72
1.3
90
200
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 8.4A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 11A
的di / dt = 100A / μs的
D
G
S
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
T = 60 , = 60Hz的
使用IRLZ24N数据和测试条件
V
DD
= 25V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 790μH
R
G
= 25, I
AS
= 11A 。 (参见图12)
I
SD
如图11A所示, di / dt的
290A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
175°C
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRLIZ24N
100
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
100
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
10
10
2.5V
1
1
2.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
0.1
1
10
0.1
A
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175°C
10
A
100
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性,
T
J
= 25
o
C
图2 。
典型的输出特性,
T
J
= 175
o
C
100
3.0
T
J
= 25°C
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= 18A
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
2.5
T
J
= 175°C
10
2.0
1.5
1
1.0
0.5
0.1
2
3
4
5
6
V
DS
= 15V
20μs的脉冲宽度
7
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
A
8 0 100 120 140 160 180
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRLIZ24N
800
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
C,电容(pF )
600
C
国际空间站
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
15
I
D
= 11A
V
DS
= 44V
V
DS
= 28V
12
9
400
C
OSS
6
200
C
RSS
3
0
1
10
100
A
0
0
4
8
测试电路
见图13
12
16
20
A
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
I
D
,漏电流( A)
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
10
100
10s
10
100s
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS
= 0V
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
单脉冲
10
1ms
10ms
100
2.0
A
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRLIZ24N
V
DS
14
R
D
V
GS
12
D.U.T.
+
R
G
I
D
,漏极电流( AMPS )
-
V
DD
10
5.0V
8
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
6
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
4
2
0
25
50
75
100
125
150
A
175
T
C
,外壳温度( ° C)
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10
图10B 。
开关时间波形
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
t
1
t2
1
/ t
2
0.01
0.00001
2.峰值TJ = P DM X Z thJC + T C
A
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
PD - 9.1344
初步
IRLIZ24N
D
HEXFET
功率MOSFET
l
l
l
l
l
l
逻辑电平栅极驱动
先进的工艺技术
独立包装
高电压隔离= 2.5KVRMS
沉铅爬DIST 。 = 4.8毫米
全额定雪崩
V
DSS
= 55V
G
S
R
DS ( ON)
= 0.06
I
D
= 14A
描述
国际整流器第五代HEXFETs
利用先进的加工技术,实现了
尽可能低的导通电阻每硅片面积。这样做的好处,
结合快速开关速度和加固
器件设计用于其HEXFET功率MOSFET
众所周知,为设计者提供了一个非常
有效的装置,用于在各种各样的应用中使用。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻
和外部散热器。这种隔离是相当于使用
一个100微米云母屏障与标准的TO-220的产品。
该FULLPAK使用单个夹子安装在散热器或
通过单螺杆固定。
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
V
GS
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流, V
GS
@ 10V
连续漏电流, V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩电流
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝。
马克斯。
14
9.9
72
26
0.17
±20
68
11
4.5
4.6
-55 + 175
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅在( 1.1N m)的
单位
A
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
结到外壳
结到环境
分钟。
––––
––––
典型值。
––––
––––
马克斯。
5.8
65
单位
° C / W
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRLIZ24N
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
参数
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏水槽容量
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
g
fs
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
分钟。
55
–––
–––
–––
–––
1.0
8.3
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.061
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
7.1
74
20
29
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C,I
D
= 1毫安?
0.060
V
GS
= 10V ,我
D
= 8.4A
0.075
V
GS
= 5.0V ,我
D
= 8.4A
0.105
V
GS
= 4.0V ,我
D
= 7.0A
2.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
–––
S
V
DS
= 25V ,我
D
= 11A
25
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 44V, V
GS
= 0V ,T
J
= 150°C
100
V
GS
= 20V
nA
-100
V
GS
= -20V
15
I
D
= 11A
3.7
nC
V
DS
= 44V
8.5
V
GS
= 5.0V ,见图。 6和13
–––
V
DD
= 28V
–––
I
D
= 11A
ns
–––
R
G
= 12, V
GS
= 5.0V
–––
R
D
= 2.4Ω ,参照图10
铅之间,
4.5 –––
6毫米(0.25英寸)。
nH
从包
7.5 –––
而中心的模具接触
480 –––
V
GS
= 0V
130 –––
pF
V
DS
= 25V
61 –––
= 1.0MHz的,见图。 5 ?
12 –––
= 1.0MHz的
D
G
S
源极 - 漏极额定值和特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
注意事项:
参数
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
60
130
14
A
72
1.3
90
200
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 8.4A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 11A
的di / dt = 100A / μs的
D
G
S
重复评价;脉冲宽度有限的
最大。结温。 (参见图11)
脉冲宽度
300μS ;占空比
2%.
T = 60 , = 60Hz的
使用IRLZ24N数据和测试条件
V
DD
= 25V ,起始物为
J
= 25℃时,L = 790μH
R
G
= 25, I
AS
= 11A 。 (参见图12)
I
SD
如图11A所示, di / dt的
290A / μs的,V
DD
V
( BR ) DSS
,
T
J
175°C
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRLIZ24N
100
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
100
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
顶部
10
10
2.5V
1
1
2.5V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25°C
0.1
1
10
0.1
A
0.1
0.1
1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175°C
10
A
100
100
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性,
T
J
= 25
o
C
图2 。
典型的输出特性,
T
J
= 175
o
C
100
3.0
T
J
= 25°C
R
DS ( ON)
,漏极 - 源极导通电阻
(归一化)
I
D
= 18A
I
D
,漏极 - 源极电流(A )
2.5
T
J
= 175°C
10
2.0
1.5
1
1.0
0.5
0.1
2
3
4
5
6
V
DS
= 15V
20μs的脉冲宽度
7
8
9
10
A
0.0
-60 -40 -20
V
GS
= 10V
0
20
40
60
A
8 0 100 120 140 160 180
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
J
,结温( ° C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRLIZ24N
800
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
C,电容(pF )
600
C
国际空间站
V
GS
= 0V,
F = 1MHz的
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
15
I
D
= 11A
V
DS
= 44V
V
DS
= 28V
12
9
400
C
OSS
6
200
C
RSS
3
0
1
10
100
A
0
0
4
8
测试电路
见图13
12
16
20
A
V
DS
,漏极至源极电压( V)
Q
G
,总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
I
SD
,反向漏电流( A)
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
I
D
,漏电流( A)
T
J
= 175°C
T
J
= 25°C
10
100
10s
10
100s
1
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS
= 0V
A
1
1
T
C
= 25°C
T
J
= 175°C
单脉冲
10
1ms
10ms
100
2.0
A
V
SD
,源极到漏极电压(V )
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
TO ORDER
以前的数据表
指数
下一页数据表
IRLIZ24N
V
DS
14
R
D
V
GS
12
D.U.T.
+
R
G
I
D
,漏极电流( AMPS )
-
V
DD
10
5.0V
8
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
6
图10A 。
开关时间测试电路
V
DS
90%
4
2
0
25
50
75
100
125
150
A
175
T
C
,外壳温度( ° C)
10%
V
GS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
10
图10B 。
开关时间波形
热响应(Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
P
DM
0.1
单脉冲
(热反应)
注意事项:
1.负载因数D = T
t
1
t2
1
/ t
2
0.01
0.00001
2.峰值TJ = P DM X Z thJC + T C
A
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t
1
,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
TO ORDER
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