【软开关系列IHW30N100TqC低损耗DuoPack ： IGBT在TRENCHSTOP和场终止技】,IC型号IHW30N100T,IHW30N100T PDF资料,IHW30N100T经销商,ic,电子元器件-51电子网

51电子网联系电话：13692101218

位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第868页 > IHW30N100T

软开关系列

IHW30N100T

q

C

低损耗DuoPack ： IGBT在TRENCHSTOP

和场终止技术

与反并联二极管

产品特点：

反并联整流二极管1.1V正向电压

指明的

T

JMAX

= 175°C

TRENCHSTOP

和场终止技术1000 V应用

提供：

- 参数分布非常紧凑

- 高耐用性，温度稳定的行为

- 因正易并行交换能力

温度系数

V

CE （ SAT ）

低EMI

根据JEDEC合格

1

为目标的应用

反向二极管的专用优化

无铅镀铅;符合RoHS标准

应用范围：

微波炉

软开关应用

TYPE

IHW30N100T

V

CE

1000V

I

C

30A

V

CE(sat),Tj=25°C

1.55V

T

， MAX

175°C

记号

H30T100

包

PG-TO-247-3

G

E

PG-TO-247-3

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

集电极电流脉冲，

t

p

受

T

JMAX

关闭安全工作区

V

CE

≤

1000V,

T

j

≤

175°C

二极管的正向电流

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

二极管脉冲电流，

t

p

受

T

JMAX

栅极 - 发射极电压

瞬态栅极 - 发射极电压（叔

p

＆ LT ; 5毫秒）

功耗，

T

C

= 25°C

工作结温

储存温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

P

合计

T

j

T

英镑

-

I

Fpuls

V

GE

I

Cpuls

-

I

F

22

12

36

±20

±25

412

-40...+175

-55...+175

260

W

°C

°C

V

符号

V

CE

I

C

60

30

90

90

价值

1000

单位

V

A

1

J- STD- 020和JESD -022

1

第2.7版11月8日

功率半导体

软开关系列

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

二极管热阻

结 - 案

热阻，

结 - 环境

电气特性，

at

T

j

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

（ B R ）C （E S）

V

摹ê

=0 V,

I

C

=500

μA

V

CE （ SAT ）

V

摹ê

= 15 V,

I

C

=30A

T

j

= 25°C

T

j

= 150

°C

T

j

= 175

°C

二极管的正向电压

V

F

V

摹ê

=0 V,

I

F

= 1 0 A

T

j

= 25°C

T

j

= 150

°C

T

j

= 175

°C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

V

GE （日）

I

CES

I

C

=700

μA ，V

权证

=V

摹ê

V

权证

= 10 00 V

,

V

摹ê

=0 V

T

j

= 25°C

T

j

= 175

°C

栅极 - 发射极漏电流

跨

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

门

L

E

V

权证

=25V,

V

摹ê

=0 V,

f=1MHz

V

C C

= 80 0 V,

I

C

=30A

V

摹ê

=15V

I

GES

g

fs

V

权证

= 0 V ,V

摹ê

=20V

V

权证

=20V,

I

C

=30A

符号

条件

R

thJA

R

thJCD

R

thJC

符号

条件

IHW30N100T

q

马克斯。值

0.36

1.1

40

单位

K / W

价值

分钟。

1000

1.3

-

-

-

-

-

5.1

典型值。

-

1.55

1.7

1.8

1.1

1.0

1.0

5.8

马克斯。

-

1.7

-

-

1.3

-

-

6.4

单位

V

μA

-

-

-

-

-

-

-

28

5

2500

600

-

nA

S

-

-

-

-

-

3573

98

76

217

13

-

-

-

-

-

pF

nC

nH

功率半导体

2

第2.7版11月8日

软开关系列

IHW30N100T

q

开关特性，电感负载，

at

T

j

=25

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 25°C ,

V

C C

= 60 0 V,

I

C

=30A,

V

摹ê

= 0 /1 5 V,

R

G

= 1 5Ω ,

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

-

-

-

-

-

-

-

35

22

546

27

-

1.6

-

-

-

-

42

-

2.6

-

mJ

ns

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关特性，电感负载，

at

T

j

=175

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

= 175

°C

V

C C

= 60 0 V,

I

C

=30A,

V

摹ê

= 0 /1 5 V,

R

G

= 1 5Ω

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

-

-

-

-

-

-

-

33

36

623

37

-

2.3

-

-

-

-

70

-

4

-

mJ

ns

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

功率半导体

3

第2.7版11月8日

软开关系列

IHW30N100T

q

t

p

=1s

90A

80A

20s

I

C

,

集电极电流

70A

60A

50A

40A

30A

20A

10A

0A

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

T

C

=80°C

T

C

=110°C

I

C

,

集电极电流

10A

50s

100s

500s

I

c

1A

DC

10ms

0.1A

1V

10V

100V

1000V

f,

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率为三角形

目前（E

on

= 0时，硬关断）

(T

j

≤

175°C,

D =

0.5,

V

CE

= 400V,

V

GE

= 0/+15V,

R

G

= 26.9Ω)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图2.安全工作区

(D

=

0,

T

C

= 25°C,

T

j

≤175°C;

V

GE

=15V)

400W

350W

50A

I

C

,

集电极电流

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

功耗

300W

250W

200W

150W

100W

50W

0W

25°C

40A

30A

P

合计

,

20A

10A

0A

25°C

75°C

125°C

T

C

,

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

(T

j

≤

175°C)

T

C

,

外壳温度

图4.集电极电流的一个函数

外壳温度

(V

GE

≥

15V,

T

j

≤

175°C)

功率半导体

4

第2.7版11月8日

软开关系列

IHW30N100T

q

100A

V

GE

=20V

100A

I

C

,

集电极电流

80A

15V

13V

I

C

,

集电极电流

80A

V

GE

=20V

15V

13V

11V

60A

11V

9V

60A

40A

7V

40A

9V

7V

20A

20A

0A

0V

1V

2V

3V

0A

0V

1V

2V

3V

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图5.典型的输出特性

(T

j

= 25°C)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图6.典型的输出特性

(T

j

= 175°C)

V

CE （SAT），

集热器

-

发射极饱和电压

100A

2.5V

I

C

=80A

I

C

,

集电极电流

80A

2.0V

I

C

=40A

60A

1.5V

I

C

=20A

40A

T

J

=175°C

20A

25°C

1.0V

0.5V

0A

0V

2V

4V

6V

8V

10V

0.0V

-50°C

0°C

50°C

100°C

150°C

V

GE

,

栅极 - 发射极电压

图7.典型的传输特性

(V

CE

=20V)

T

J

,

结温

图8.典型的集电极 - 发射极

饱和电压的函数

结温

(V

GE

= 15V)

功率半导体

5

第2.7版11月8日

软开关系列

IHW30N100T

q

C

低损耗DuoPack ： IGBT在TRENCHSTOP

和场终止技术

与反并联二极管

产品特点：

反并联整流二极管1.1V正向电压

指明的

T

JMAX

= 175°C

TRENCHSTOP

和场终止技术1000 V应用

提供：

- 参数分布非常紧凑

- 高耐用性，温度稳定的行为

- 因正易并行交换能力

温度系数

V

CE （ SAT ）

低EMI

1

根据JEDEC的目标应用资格

反向二极管的专用优化

无铅镀铅;符合RoHS标准

应用范围：

微波炉

软开关应用

TYPE

IHW30N100T

V

CE

1000V

I

C

30A

V

CE(sat),Tj=25°C

1.55V

T

， MAX

175°C

记号

H30T100

包

PG-TO-247-3-21

G

E

PG-TO-247-3-21

最大额定值

参数

集电极 - 发射极电压

DC集电极电流

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

集电极电流脉冲，

t

p

受

T

JMAX

关闭安全工作区

V

CE

≤

1200V,

T

j

≤

150°C

二极管的正向电流

T

C

= 25°C

T

C

= 100°C

二极管脉冲电流，

t

p

受

T

JMAX

栅极 - 发射极电压

瞬态栅极 - 发射极电压（叔

p

＆ LT ; 5毫秒）

功耗，

T

C

= 25°C

工作结温

储存温度

焊接温度， 1.6毫米（ 0.063英寸）从案例10秒

P

合计

T

j

T

英镑

-

I

FPUL s

V

GE

I

Cpul s

-

I

F

22

12

36

±20

±25

412

-40...+175

-55...+175

260

W

°C

°C

V

符号

V

CE

I

C

60

30

90

90

价值

1000

单位

V

A

1

J- STD- 020和JESD -022

1

修订版2.4 06年5月

功率半导体

软开关系列

热阻

参数

特征

IGBT的热电阻，

结 - 案

二极管热阻

结 - 案

热阻，

结 - 环境

电气特性，

at

T

j

= 25

°C,

除非另有说明

参数

静态特性

集电极 - 发射极击穿电压

集电极 - 发射极饱和电压

V

（ B R ）C （E S）

V

摹ê

= 0V ,

I

C

= 5 00

A

V

CE （ SAT ）

V

摹ê

= 15 V ,

I

C

= 30 A

T

j

=2 5

°C

T

j

=1 5 0° C

T

j

=1 7 5° C

二极管的正向电压

V

F

V

摹ê

= 0V ,

I

F

= 1 0 A

T

j

=2 5

°C

T

j

=1 5 0° C

T

j

=1 7 5° C

栅极 - 发射极阈值电压

零栅极电压集电极电流

V

GE （日）

I

CES

I

C

= 70 0

A

,

V

权证

=

V

摹ê

V

权证

= 10 0 0V

,

V

摹ê

= 0V

T

j

=2 5

°C

T

j

=1 7 5° C

栅极 - 发射极漏电流

跨

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

栅极电荷

内置发射器电感

（ 0.197英寸）的情况下测得的5毫米

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

Q

门

L

E

V

权证

= 25 V ,

V

摹ê

= 0V ,

f=

1 MH

V

C C

= 80 0 V,

I

C

=3 0 A

V

摹ê

= 15 V

I

GES

g

fs

V

权证

= 0V ,

V

摹ê

=2 0 V

V

权证

= 20 V ,

I

C

= 30 A

符号

条件

R

thJA

R

thJCD

R

thJC

符号

条件

IHW30N100T

q

马克斯。值

0.36

1.1

40

单位

K / W

价值

分钟。

1000

1.3

-

-

-

-

-

5.1

典型值。

-

1.55

1.7

1.8

1.1

1.0

1.0

5.8

马克斯。

-

1.7

-

-

1.3

-

-

6.4

单位

V

A

-

-

-

-

-

-

-

28

5

2500

600

-

nA

S

-

-

-

-

-

3573

98

76

217

13

-

-

-

-

-

pF

nC

nH

功率半导体

2

修订版2.4 06年5月

软开关系列

IHW30N100T

q

开关特性，电感负载，

at

T

j

=25

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

=2 5

°C

,

V

C C

= 60 0 V,

I

C

= 3 0 A,

V

摹ê

= 0/ 15 V ,

R

G

= 26 . 9,

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

-

-

-

-

-

-

-

50

25

550

48

-

2.1

-

-

-

-

70

-

2.6

-

mJ

ns

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

开关特性，电感负载，

at

T

j

=175

°C

参数

IGBT特性

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

开启能量

关闭能源

总开关能量

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

E

on

E

关闭

E

ts

T

j

=1 7 5° C

V

C C

= 60 0 V,

I

C

= 30 A ,

V

摹ê

= 0/ 15 V ,

R

G

= 2 6. 9

能量损失包括

“尾巴”和二极管

反向恢复。

-

-

-

-

-

-

-

50

40

650

52

-

2.7

-

-

-

-

130

-

4

-

mJ

ns

符号

条件

价值

分钟。

典型值。

马克斯。

单位

功率半导体

3

修订版2.4 06年5月

软开关系列

IHW30N100T

q

t

p

=1s

90A

80A

20s

I

C

,

集电极电流

70A

60A

50A

40A

30A

20A

10A

0A

100Hz

1kHz

10kHz

100kHz

T

C

=80°C

T

C

=110°C

I

C

,

集电极电流

10A

50s

100s

500s

I

c

1A

DC

10ms

0.1A

1V

10V

100V

1000V

f,

开关频率

图1.集电极电流的一个函数

开关频率为三角形

目前（E

on

= 0时，硬关断）

(T

j

≤

175°C,

D =

0.5,

V

CE

= 400V,

V

GE

= 0/+15V,

R

G

= 26.9)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图2.安全工作区

(D

=

0,

T

C

= 25°C,

T

j

≤175°C;

V

GE

=15V)

400W

350W

50A

I

C

,

集电极电流

50°C

75°C

100°C

125°C

150°C

P

合计

,

功耗

300W

250W

200W

150W

100W

50W

0W

25°C

40A

30A

20A

10A

0A

25°C

75°C

125°C

T

C

,

外壳温度

图3.功耗作为一个函数

外壳温度

(T

j

≤

175°C)

T

C

,

外壳温度

图4.集电极电流的一个函数

外壳温度

(V

GE

≥

15V,

T

j

≤

175°C)

功率半导体

4

修订版2.4 06年5月

软开关系列

IHW30N100T

q

100A

V

GE

=20V

100A

I

C

,

集电极电流

80A

15V

13V

I

C

,

集电极电流

80A

V

GE

=20V

15V

13V

11V

60A

11V

9V

60A

40A

7V

40A

9V

7V

20A

20A

0A

0V

1V

2V

3V

0A

0V

1V

2V

3V

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图5.典型的输出特性

(T

j

= 25°C)

V

CE

,

集热器

-

发射极电压

图6.典型的输出特性

(T

j

= 175°C)

V

CE （SAT），

集热器

-

发射极饱和电压

100A

2.5V

I

C

=80A

I

C

,

集电极电流

80A

2.0V

I

C

=40A

60A

1.5V

I

C

=20A

40A

T

J

=175°C

20A

25°C

1.0V

0.5V

0A

0V

2V

4V

6V

8V

10V

0.0V

-50°C

0°C

50°C

100°C

150°C

V

GE

,

栅极 - 发射极电压

图7.典型的传输特性

(V

CE

=20V)

T

J

,

结温

图8.典型的集电极 - 发射极

饱和电压的函数

结温

(V

GE

= 15V)

功率半导体

5

修订版2.4 06年5月

查看更多IHW30N100TPDF信息

供货商

型号

厂家

批号

数量

封装

单价/备注

操作

柒号芯城电子商务（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881677436 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881620402 复制

电话：18922805453

联系人：连

地址：福田区华强北路1019号华强广场D座23楼

IHW30N100T

-

-

-

-

终端采购配单精选

深圳市壹芯创科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2880707522 复制

点击这里给我发消息

QQ：2369405325 复制

电话：0755-82780082

联系人：杨小姐

地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

IHW30N100T

-

-

-

-

终端采购配单精选

更多配单专家

深圳市晶美隆科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2885348339 复制

点击这里给我发消息

QQ：2885348317 复制

电话：0755- 82519391 0755-83209630

联系人：李林

地址：深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09

IHW30N100T

INFINEON

24+

11758

TO247

全新原装现货热卖

深圳市源丰诚电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1965785011 复制

电话：0755-23919407

联系人：朱先生

地址：深圳市福田区振兴路华康大厦二栋5楼518

IHW30N100T

Infineon technologies

17+

4550

进口全新原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881793588 复制

电话：0755-88291559

联系人：陈泽强

地址：深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318

IHW30N100T

INFINEON/英飞凌

2443+

23000

TO247

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市诺洋电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881501652 复制

点击这里给我发消息

QQ：2881501653 复制

电话：0755-83223003

联系人：朱

地址：福田区红荔路上步工业区201栋西座316

IHW30N100T

INFINEON/英飞凌

24+

9634

TO-247

全新原装现货，原厂代理。

深圳勤思达科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2881243225 复制

电话：0755-83268779

联系人：吴

地址：深圳市福田区华强北赛格科技园4栋西6楼A座611（本公司为一般纳税人，可以开17%增值税）

IHW30N100T

INFINEON

100

原装现货，价格优惠

瀚佳科技（深圳）有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3539722974 复制

点击这里给我发消息

QQ：2480898381 复制

电话：0755-23915992/23140719

联系人：李

地址：深圳市福田区振华路中航苑鼎城大夏1709室

IHW30N100T

INFINEON

24+

2177

MODULE

公司大量现货随时可以发货

深圳市恒达亿科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：3004390991 复制

点击这里给我发消息

QQ：3004390992 复制

点击这里给我发消息

QQ：1245773710 复制

电话：0755-82723761/82772189

联系人：夏先生朱小姐

地址：深圳市福田区华强北街道赛格科技园3栋东座10楼A2（本公司为一般纳税人，可开增票）

IHW30N100T

INFINEON

25+

4500

1249

原装正品特价销售

深圳和润天下电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：1139848500 复制

电话：0755-83798683

联系人：许先生

地址：深圳市前海深港合作区前湾一路 1 号 A 栋 201 室

IHW30N100T

INFINEON/英飞凌

22+

90629

TO-247

上海熠富电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：565106636 复制

点击这里给我发消息

QQ：414322027 复制

电话：15026993318 // 13764057178 // 15821228847

联系人：销售部

地址：门市：上海市黄浦区北京东路668号科技京城电子市场K室//科技京城电子市场T房

IHW30N100T

INFINEON/英飞凌

2024

18000

TO-247

上海原装现货库存，欢迎咨询合作

深圳市毅创腾电子科技有限公司

QQ：

点击这里给我发消息

QQ：2355507163 复制

点击这里给我发消息

QQ：2355507162 复制

电话：755-83219286 (FPGA原厂渠道）// 83210909 (CPLD原厂渠道）

联系人：张小姐

地址：深圳市福田区华强北街道华能大厦2502室（亚太地区XILINX（赛灵思）、ALTERA（阿特拉）专业分销商！)

IHW30N100T

【新到原装现货】

22+

6000

模块

【新到原装现货】诚信经营，热卖！量大可订货！可开17%增票!

查询更多IHW30N100T供应信息

深圳市碧威特网络技术有限公司

我要啦免费统计

复制成功！