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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第901页 > IXTP16N50P
PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTA 16N50P
IXTP 16N50P
IXTQ 16N50P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 500 V
= 16 A
400 mΩ
Ω
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, di / dt的
100 A / μs的,V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ,R
G
= 10
Ω
T
C
= 25°C
最大额定值
500
500
±30
±40
16
48
16
25
750
10
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
TO- 263 ( IXTA )
G
S
( TAB )
的TO-220 ( IXTP )
G
S
( TAB )
TO-3P ( IXTQ )
从案例10秒1.6毫米( 0.062英寸)
塑料机身10秒
安装力矩
TO-220
TO-263
TO-3P
( TO-220, TO-3P )
300
260
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
4
3
5.5
g
g
g
G
D
S
( TAB )
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0 V,I
D
= 250
μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
3.0
5.5
±10
5
100
V
V
nA
μA
μA
特点
国际标准封装
非钳位感应开关( UIS)
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
DS99323E(03/06)
V
GS
= 10 V,I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试,T
300
μs,
占空比
2 %
400 mΩ
2006 IXYS所有权利
IXTA 16N50P IXTP 16N50P
IXTQ 16N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
9
16
2250
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
240
12
24
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 10
Ω
(外部)
28
70
25
43
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
15
12
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
(TO-220)
(TO-3P)
0.25
0.21
° C / W
° C / W
TO- 263 ( IXTA )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
16
48
1.5
A
A
V
TO- 220 ( IXTP )大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
300
μs,
占空比
2 %
I
F
= 16 A
-di / DT = 100 A / μs的
400
ns
TO-3P概要
销: 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXTA 16N50P
图。 1.输出特性
@ 25C
20
18
16
14
V
GS
= 10V
8V
7V
20
18
16
14
IXTP 16N50P
IXTQ 16N50P
图。 2.输出特性
@ 125C
V
GS
= 10V
8V
7V
I
D
- 安培
I
D
- 安培
12
10
8
6
4
2
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
6V
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
5V
6V
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 。R
DS ( ON)
归到我
D
= 8A V秒。
结温
3.1
2.8
2.5
V
GS
= 10V
2.8
2.6
2.4
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 8A V秒。漏
当前
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
- 归
R
DS ( ON)
- 归
T
J
= 125C
2.2
2
1.8
1.6
1.4
T
J
= 25C
1.2
1
0.8
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
= 16A
I
D
= 8A
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 5,最大漏极电流V秒。
外壳温度
18
16
14
20
18
16
14
图。 6.输入导纳
I
D
- 安培
I
D
- 安培
12
10
8
6
4
2
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
12
10
8
6
4
2
0
4
4.5
5
T
J
= 125C
25C
- 40C
5.5
6
6.5
7
T
J
- 摄氏
V
GS
- 伏特
2006 IXYS所有权利
IXTA 16N50P IXTP 16N50P
IXTQ 16N50P
图。 7.跨导
26
24
22
20
60
50
70
图。 8.正向电压降
征二极管
g
F小号
- 西门子
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
I
S
- 安培
T
J
= - 40C
25C
125C
40
30
T
J
= 125C
T
J
= 25C
20
10
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
I
D
- 安培
V
SD
- 伏特
图。 9.栅极电荷
10
9
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 8A
I
G
= 10毫安
10,000
F = 1 MHz的
图。 10.电容
电容 - 皮法
1,000
国际空间站
V
GS
- 伏特
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
100
OSS
10
RSS
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
Q
G
- nanocoulombs
V
DS
- 伏特
图。 11.正向偏置安全工作区
100
1.00
图。 12.最大瞬态热
阻力
R
DS ( ON)
极限
25s
10
R
(日) JC
- C / W
I
D
- 安培
100s
1ms
10m
T
J
= 150C
T
C
= 25C
DC
0.10
1
10
100
1000
0.01
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲W ID - 秒
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
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封装
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
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