IXTA 16N50P IXTP 16N50P
IXTQ 16N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
9
16
2250
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V , F = 1兆赫
240
12
24
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 10
Ω
(外部)
28
70
25
43
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
15
12
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.42
° C / W
(TO-220)
(TO-3P)
0.25
0.21
° C / W
° C / W
TO- 263 ( IXTA )大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
,脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
16
48
1.5
A
A
V
TO- 220 ( IXTP )大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试,T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
I
F
= 16 A
-di / DT = 100 A / μs的
400
ns
TO-3P概要
销: 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2