数据表号PD60240 REVA
IRS20124S(PbF)
D
IGITAL
A
UDIO
D
河流
D
ISCRETE
D
EAD
-
时间和
P
ROTECTION
特点
200V高电压等级提供高达1000W
输出功率D类音频放大器
应用
集成死区时间生成和双向
过电流检测简化设计
可编程补偿预置死区时间
改善THD性能随温度
高噪声抗扰度
关断功能可以防止设备过载
条件
工作频率高达1MHz的
3.3V / 5V逻辑兼容输入
产品概述
V
供应
IO +/-
200V最大。
1A / 1.2A （典型值） 。
可选死区时间
二十五分之十五/ 35 /为45nS （典型值） 。
传播延迟时间
双向过
电流检测
70ns的典型。
包
14引脚SOIC
典型应用图
<20V
<200V
IN
<20V
OC
IN
OCSET
1
DT / SD
OCSET
2
OC
COM
NC
NC
VB
HO
VS
NC
V
CC
SD
LO
国税局20124
www.irf.com
1
IRS20124S(PbF)
描述
该IRS20124S是一种高电压，内部死区时间和关机高速功率MOSFET驱动器
功能专门设计的D类音频放大器的应用程序。
内部死区时间生成模块提供精确的栅极开关时序，使紧张的死区时间
设置更好的THD性能。
为了最大限度地提高其它音频性能特征，所有的开关时间被设计用于免疫
从外部干扰，如VCC扰动和来电切换噪声对DT引脚。逻辑
输入与LSTTL输出或标准CMOS下降到3.0V无速度退化兼容。该
输出驱动器具有可输出1.0A和1.2A那颗大电流缓冲器。内部延时
优化以达到最小死区时间的变化。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术
保证操作下来VS = -4V ，提供锁存器和浪涌豁免权以优异的性能
坚固耐用的单片式结构。
绝对最大额定值
绝对最大额定值表明持续的界限，可能会损坏设备。所有电压参数
是参照COM绝对的电压。所有的电流为流入任何铅。热敏电阻和功率
耗散额定值下板安装和静止空气条件下测得的。
符号
V
B
Vs
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
OC
V
OCSET1
V
OCSET2
DVS / DT
Pd
RTH
JA
T
J
T
S
T
L
德网络nition
高侧浮动电源电压
高侧浮动电源电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
输入电压
OC引脚的输入电压
OCSET1引脚输入电压
OCSET2引脚输入电压
允许Vs电压摆率
最大功率耗散
热阻，结到环境
结温
储存温度
引线温度（焊接， 10秒）
分钟。
-0.3
VB-20
Vs-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-0.3
-
-
-
-
-55
-
马克斯。
220
VB+0.3
VB+0.3
20
Vcc+0.3
Vcc+0.3
Vcc+0.3
Vcc+0.3
Vcc+0.3
50
1.25
100
150
150
300
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V / ns的
W
° C / W
°
C
°
C
°
C
2
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IRS20124S(PbF)
推荐工作条件
对于正确的操作，该设备应在推荐的条件内使用。在VS和COM
胶印评级与偏置在15V的差分所有电源进行测试。
符号
V
B
V
S
V
HO
V
CC
V
LO
V
IN
V
OC
V
OCSET1
V
OCSET2
T
A
德网络nition
高侧浮动电源电压的绝对值
高侧浮动电源偏置电压
高侧浮动输出电压
低压侧电源电压
低侧输出电压
逻辑输入电压
OC引脚的输入电压
OCSET1引脚输入电压
OCSET2引脚输入电压
环境温度
分钟。
Vs+10
注1
Vs
10
0
0
0
0
0
-40
马克斯。
Vs+18
200
V
B
18
VCC
VCC
VCC
VCC
VCC
125
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
°C
注1 ：
逻辑运算的V
S
等于-8V为200V 。举办了V逻辑状态
S
等于-8V到-V
BS
.
动态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V ，C
L
= 1nF的和T
A
= 25°C除非另有规定。图2示出的时序定义。
符号
吨
花花公子
tr
tf
TSD
TOC
TWOC分钟
TOC FILT
DT1
DT2
DT3
DT4
德网络nition
&高低端导通传播延迟
高&低端关断传播延迟
开启上升时间
关断下降时间
关断传播延迟
传播延迟时间从Vs>Vsoc + OC到
OC脉冲宽度
OC输入滤波时间
死区时间： LO关断何导通（ DT
LO- HO
)
&何关断到LO开启（ DT
HO- LO
)
死区时间： LO关断何导通（ DT
LO- HO
)
&何关断到LO开启（ DT
HO- LO
)
死区时间： LO关断何导通（ DT
LO- HO
)
&何关断到LO开启（ DT
HO- LO
)
死区时间： LO关断何导通（ DT
LO- HO
)
&何关断到LO开启（ DT
HO- LO
)V
D
T = V
DT4
MIN 。 TYP 。
—
—
—
—
—
—
—
—
0
5
10
15
60
60
25
15
140
280
100
200
15
25
35
45
马克斯。单位测试条件
80
80
40
35
200
—
—
—
40
50
60
70
纳秒
V
S
=0V
V
S
=200V
OC
SET1
=3.22V
OC
SET2
=1.20V
V
DT
＆ GT ; V
DT1
V
DT1
＆ GT ; V
DT
＆ GT ; V
DT2
V
DT2
＆ GT ; V
DT
＆ GT ; V
DT3
V
DT3
＆ GT ; V
DT
＆ GT ; V
DT4
3
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IRS20124S(PbF)
静态电气特性
V
BIAS
(V
CC
, V
BS
） = 15V和T
A
= 25 ° C除非另有规定ED 。
符号
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
UV
CC+
UV
CC-
UV
BS +
UV
BS-
I
QBS
I
QCC
I
LK
I
IN +
I
IN-
I
o+
I
o-
V
DT1
V
DT2
V
DT3
V
DT4
V
SOC +
V
SOC-
德网络nition
逻辑高输入电压
逻辑低输入电压
高电平输出电压V
BIAS
– V
O
低电平输出电压，V
O
Vcc电源UVLO门限阳性
Vcc电源UVLO门限负
高端以及UVLO门限阳性
高端以及UVLO阈值的负
高端静态电流
低压侧静态电流
高至低侧漏电流
逻辑“1”的输入偏置电流
逻辑“0”输入偏置电流
分钟。
2.5
—
—
—
8.3
7.5
8.3
7.5
—
—
—
—
—
典型值。
—
—
—
—
9.0
8.2
9.0
8.2
—
—
—
3
0
马克斯。单位测试条件
—
1.2
1.2
0.1
9.7
8.9
9.7
8.9
1
4
50
10
1.0
Vcc=10~20V
Io=0A
Io=0A
V
mA
A
V
DT
-vcc
V
B
=V
S
=200V
V
IN
=3.3V
V
IN
=0V
VO = 0V ， PW<10μS
VO = 15V ， PW<10μS
高输出短路电流（来源）
—
1.0
—
低输出短路电流（漏）
—
1.2
—
DT模式选择阈值1
0.8xVcc 0.89xVcc 0.97xVcc
DT模式选择的阈值2
0.51xVcc 0.57xVcc 0.63xVcc
DT模式选择的阈值3
DT模式选择的阈值4
在VS正OC门槛
在VS负OC门槛
0.32xVcc 0.36xVcc 0.40xVcc
0.21xVcc 0.23xVcc 0.25xVcc
0.75
1.0
1.25
-1.25
-1.0
-0.75
A
V
OC
SET1
=3.22V
OC
SET
2=1.20
OC
SET1
=3.22V
OC
SET2
=1.20V
4
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IRS20124S(PbF)
铅定义
符号说明
VCC
VB
HO
VS
IN
DT / SD
COM
LO
OC
OC
SET1
OC
SET2
低压侧逻辑电源电压
高压侧浮动电源
高侧输出的
高侧浮动电源返回
高和低侧栅极驱动器输出（HO和LO ） ，同相何逻辑输入
输入可编程死区时间，引用COM 。关闭LO和HO时绑COM
低端电源回路
低侧输出
在电流输出（负逻辑）
输入用于设置负过流门限
输入设置正过流门限
1
2
3
4
5
6
7
IN
NC 14
OCSET1 NC 13
DT / SD
OCSET2
OC
COM
LO
VB 12
何11
VS 10
NC
V
CC
9
8
IR20124S 14引脚SOIC （窄体）
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5
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