高速
4K ×8双端口
静态RAM
与SEMAPHORE
特点
◆
IDT71342SA/LA
◆
高速存取
- 商业： 20/25 /35 / 55分之45 / 70ns的（最大）
- 工业：25 /35 / 55ns （最大）
低功耗工作
- IDT71342SA
主动：为700mW （典型值）。
待机： 5毫瓦（典型值）。
- IDT71342LA
主动：为700mW （典型值）。
待机：为1mW （典型值）。
◆
◆
◆
◆
◆
◆
从任何一个端口完全异步操作
全片上硬件支持信号量的信号BE-
补口
电池备份操作-2V数据保留（ LA只）
TTL兼容;单5V （ ± 10 ％ ）电源
可在塑料封装
工业级温度范围（ ？ 40 ° C至+ 85°C ），可
对于选定的速度
功能框图
读/写
L
CE
L
读/写
R
CE
R
OE
L
I / O
控制
I / O
控制
OE
R
I / O
0L
- I / O
7L
I / O
0R
- I / O
7R
内存
ARRAY
SEMAPHORE
逻辑
SEM
L
地址
解码器
地址
解码器
SEM
R
A
0L
- A
11L
A
0R
- A
11R
2721 DRW 01
2001年1月
1
2000集成设备技术有限公司
DSC十二分之二千六百二十一
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
工业和商业温度范围
描述
该IDT71342是一个高速4K ×8双端口静态RAM与全
片上硬件支持信号量的2之间的信令
端口。
该IDT71342提供了独立的两个独立端口
控制，地址和I / O引脚，其允许独立的，异步
存取以进行读或写操作的任何位置在存储器中。协助
端口之间进行仲裁，完全独立的信号逻辑块
提供。该模块包含未分配的标志可以是
任何一方访问;然而，仅在一侧可以控制标志，在任何
时间。自动断电功能，通过控制
CE
和
扫描电镜，
允许执行片上的电路的每个端口的输入非常低的待机功耗
模式（包括
CE
和
SEM
HIGH ） 。
采用IDT的CMOS高性能技术制造的这一点，
设备通常运行在只有700mW的功率。低功耗（ LA ）
版本提供电池备份的数据保持能力，与每个端口
通常从2V的电池消耗200μW 。该器件封装
在任何一个64引脚TQFP和52引脚PLCC封装。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
读/写
R
SEM
R
A
11R
SEM
L
读/写
L
CE
L
指数
7 6 5
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
A
7L
A
8L
A
9L
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
I / O
3L
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
4 3
2
1
52 51 50 49 48 47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
I / O
7R
IDT71342J
J52-1
(4)
52引脚PLCC
顶视图
(5)
21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33
I / O
5L
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
4R
I / O
5R
I / O
3R
I / O
6R
I / O
4L
I / O
6L
I / O
7L
V
CC
CE
R
A
10R
OE
L
A
10L
A
11L
A
0L
2721 DRW 02
指数
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
N / C
A
7L
A
8L
A
9L
N / C
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
N / C
N / C
A
10L
A
11L
SEM
L
读/写
L
CE
L
V
CC
N / C
CE
R
读/写
R
SEM
R
A
11R
A
10R
N / C
N / C
注意事项：
1.所有的Vcc引脚必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3. J52包体约为0.79英寸x 0.79英寸x 0.17英寸
PN64包体约为14毫米X 14毫米X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文并不表示实际的部分标记的方向。
I / O
3L
N / C
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
N / C
N / C
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
N / C
I / O
4R
I / O
5R
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
71342PF
PN64-1
(4)
64引脚TQFP
顶视图
(5)
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
N / C
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
N / C
I / O
7R
I / O
6R
2721 DRW 03
6.42
2
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
等级
端电压
对于
到GND
温度
在偏置
存储
温度
动力
耗散
DC输出
当前
广告
＆放大器;产业
-0.5到+7.0
单位
V
最大工作
温度和电源电压
(1,2)
GRADE
广告
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
5.0V
+
10%
5.0V
+
10%
2721 TBL 03
T
BIAS
T
英镑
P
T
(3)
I
OUT
-55到+125
-65到+150
1.5
50
o
C
C
产业
o
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
W
mA
2721 TBL 01
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值可能
对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能
该设备在这些或以上的任何其它条件的操作指示的
本规范的业务部门是不是暗示。暴露在绝对
最大额定值条件下工作会影响其可靠性。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％的周期时间的25％以上或10纳秒
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> Vcc的+ 10％ 。
建议的直流工作
条件
符号
V
CC
GND
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
4.5
0
2.2
-0.5
(1)
典型值。
5.0
0
____
马克斯。
5.5
0
6.0
(2)
0.8
单位
V
V
V
V
2721 TBL 04
____
电容
(1)
(T
A
= + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
2721 TBL 02
注意事项：
1. V
IL
（分钟） > -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
必须不超过Vcc的+ 10％ 。
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
切换为0V至3V和3V至0V 。
DC电气特性在工作
温度和电源电压
(V
CC
= 5V ± 10%)
71342SA
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
参数
输入漏电流
(1)
输出漏电流
输出低电压
测试条件
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 6毫安
I
OL
= 8毫安
V
OH
输出高电压
I
OH
= -4mA
分钟。
___
71342LA
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
0.5
___
马克斯。
5
5
0.4
0.5
___
单位
A
A
V
V
V
2721 TBL 05
___
___
___
___
___
___
2.4
2.4
注意：
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
3
6.42
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1)
(V
CC
= 5.0V ± 10%)
71342X20
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
,
输出禁用
SEM
=不关心
f = f
最大
(3)
CE
L
和
CE
R
= V
IH
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
IH
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
(2)
170
170
____
____
71342X25
Com'l &工业
典型值。
(2)
160
160
160
160
25
25
25
25
95
95
95
95
1.0
0.2
1.0
0.2
95
95
95
95
马克斯。
280
240
310
260
80
50
100
80
180
150
210
170
15
4.0
30
10
170
120
210
190
71342X35
Com'l &工业
典型值。
(2)
150
150
150
150
25
25
25
25
85
85
85
85
1.0
0.2
1.0
0.2
85
85
85
85
马克斯。
260
200
300
250
75
45
75
55
170
140
200
160
15
4.0
30
10
150
110
190
130
2721 TBL 06A
马克斯。
280
240
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
25
25
____
____
80
80
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(3)
105
105
____
____
180
150
____
____
mA
I
SB3
全待机电流（两个
端口 -
CMOS电平输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
f = 0
(3)
一个端口
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
or
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(3)
1.0
0.2
____
____
15
4.5
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
105
105
____
____
170
130
____
____
mA
71342X45
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
= V
IL
,
输出禁用
SEM
=不关心
f = f
最大
(3)
CE
L
和
CE
R
= V
IH
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
IH
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
Com'l
IND
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
SA
LA
典型值。
(2)
140
140
____
____
71342X55
Com'l &工业
典型值。
(2)
140
140
140
140
25
25
25
25
75
75
75
75
1.0
0.2
1.0
2.0
75
75
75
75
马克斯。
240
200
270
220
70
40
70
50
160
130
180
150
15
4.0
30
10
150
100
170
120
71342X70
Com'l只有
典型值。
(2)
140
140
____
____
马克斯。
240
200
____
____
马克斯。
240
200
____
____
单位
mA
I
SB1
待机电流
（这两个端口 - TTL
电平输入）
25
25
____
____
70
40
____
____
25
25
____
____
70
40
____
____
mA
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(3)
75
75
____
____
160
130
____
____
75
75
____
____
160
130
____
____
mA
I
SB3
全待机电流（两个
端口 -
CMOS电平输入）
这两个端口
CE
L
和
CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2
V
f = 0
(3)
一个端口
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
or
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
SEM
L
=
SEM
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
活动端口输出禁用，
f = f
最大
(3)
1.0
0.2
____
____
15
4.0
____
____
1.0
0.2
____
____
15
4.0
____
____
mA
I
SB4
全待机电流
（单端口 -
CMOS电平输入）
75
75
____
____
150
100
____
____
75
75
____
____
150
100
____
____
mA
2721 TBL 06B
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（ SA或LA） 。
2. V
CC
= 5V ，T
A
= + 25°C的典型，而参数不生产测试。
3. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。仅适用于在输入CMOS电平的待机我
SB3.
6.42
4
IDT71342SA/LA
HIGH -SPEED 4K ×8双口静态RAM，带有SEMAPHORE
工业和商业温度范围
数据保持特性
符号
V
DR
I
CCDR
t
CDR
(3)
t
R
(3)
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
（ LA版本） V
LC
= 0.2V, V
HC
= V
CC
- 0.2V
测试条件
___
分钟。
2.0
典型值。
(1)
马克斯。
___
单位
V
A
ns
ns
2721 TBL 07
V
CC
= 2V,
CE
＆ GT ; V
HC
SEM
＆ GT ; V
HC
V
IN
＆ GT ; V
HC
或< V
LC
COM'L 。 & IND 。
___
100
___
1500
___
0
t
RC
(2)
___
___
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
数据Rention波形
数据保持方式
V
CC
4.5V
t
CDR
CE
V
IH
V
DR
V
DR
＆ GT ;
2V
4.5V
t
R
V
IH
2721 DRW 04
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
5ns
1.5V
1.5V
图1和图2
2721 TBL 08
+5V
1250
数据
OUT
775
30pF
2721 DRW 05
,
+5V
1250
数据
OUT
775
5pF的*
,
2721 DRW 06
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
LZ
, t
HZ
, t
WZ
, t
OW
)
*包括范围和夹具
5
6.42
QQ：2880707522 复制
