标准
功率MOSFET
N沟道增强模式
V
DSS
IXTH / IXTM 6 N80 800 V
IXTH / IXTM 6 N80A 800 V
I
D25
6A
6A
R
DS （ ON）
1.8
1.4
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
最大额定值
800
800
±20
±30
6
24
180
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
W
°C
°C
°C
AD TO- 247 （ IXTH ）
D（ TAB ）
TO- 204 AA （ IXTM ）
G
G =门，
S =源，
D =排水，
TAB =漏
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
TO- 204 = 18克， TO- 247 = 6克
300
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
特点
q
q
q
q
q
国际标准封装
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
坚固的多晶硅栅单元结构
低封装电感（ < 5 NH）
- 易于驾驶和保护
快速开关时间
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
800
2
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
1
1.8
1.4
V
V
nA
A
mA
应用
q
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250
A
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
q
q
q
开关模式和谐振模
电源
电机控制
不间断电源（ UPS ）
直流斩波器
优势
q
6N80
6N80A
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
q
q
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）
节省空间
高功率密度
91542E(5/96)
I
XYS保留改变限，测试条件，和尺寸的权利。
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉， CA 95054
电话： 408-982-0700传真： 408-496-0670
IXYS半导体
Edisonstr 。 15 ， D- 68623兰佩尔泰姆，德国
电话： + 49-6206-5030
传真： + 49-6206-503629
IXTH 6N80
IXTM 6N80
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
4
6
2800
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
250
100
35
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
,
（外部）
40
100
60
110
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
15
50
100
110
200
100
130
30
70
0.7
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
IXTH 6N80A
IXTM 6N80A
AD TO- 247 （ IXTH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
1
2
3
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6
24
1.5
900
A
A
V
ns
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
2.87
3.12
b
2
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
重复;脉冲宽度限制T
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= I
S
， -di / DT = 100 A / μs的，V
R
= 100 V
TO- 204AA （ IXTM ）大纲
引脚
1 - GATE
2 - 源
案例 - 漏
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
6.4
11.4
A1
3.42
b
.97
1.09
D
22.22
e
10.67 11.17
e1
5.21
5.71
L
7.93
p
3.84
4.19
p1
3.84
4.19
q
30.15 BSC
R
13.33
R1
4.77
s
16.64 17.14
英寸
分钟。马克斯。
.250 .450
.135
.038 .043
.875
.420 .440
.205 .225
.312
.151 .165
.151 .165
1.187 BSC
.525
.188
.655 .675
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
IXTH 6N80
IXTM 6N80
IXTH 6N80A
IXTM6N80A
图。 1输出特性
9
8
7
T
J
= 25°C
V
GS
= 10V
7V
图。 2输入导纳
9
8
7
I
D
- 安培
6
5
4
3
2
1
0
6V
I
D
- 安培
6
5
4
3
2
1
T
J
= 25°C
0
5
10
15
20
25
30
0
3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 6.5 7.0 7.5
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
图。 3 R
DS （ ON）
与漏电流
3.0
T
J
= 25°C
图。 4温度依赖性
的漏极至源极电阻
2.50
2.25
2.8
R
DS （ ON）
- 归
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
0.75
I
D
= 2.5A
R
DS （ ON）
- 欧姆
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
0
2
4
6
8
10
V
GS
= 15V
V
GS
= 10V
0.50
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
I
D
- 安培
T
J
- 摄氏度
图。 5漏极电流 -
外壳温度
7
6
6N80A
图。 6温度依赖性
分解和阈值电压
1.2
BV
CES
1.1
V
GS （ TH）
I
D
- 安培
5
4
3
2
1
0
6N80
BV / V
G（ TH ）
- 归
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
0.5
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150
T
C
- 摄氏度
I
XYS保留改变限，测试条件，和尺寸的权利。
T
J
- 摄氏度
IXYS公司
3540巴西特街，圣克拉拉， CA 95054
电话： 408-982-0700传真： 408-496-0670
IXYS半导体
Edisonstr 。 15 ， D- 68623兰佩尔泰姆，德国
电话： + 49-6206-5030
传真： + 49-6206-503629
IXTH 6N80
IXTM 6N80
IXTH 6N80A
IXTM6N80A
图7栅极电荷特性曲线
10
9
V
DS
= 500V
8
7
I
D
= 3.0A
I
G
= 10毫安
图8正向偏置安全工作区
10us
10
限于由R
DS （ ON）
100us
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
I
D
- 安培
V
GE
- 伏特
1ms
1
10ms
100ms
0.1
1
10
100
1000
栅极电荷 - nCoulombs
V
DS
- 伏特
图9电容曲线
2750
2500
2250
2000
1750
1500
1250
1000
750
500
250
0
0
5
C
国际空间站
图10源电流和源
漏极电压
9
8
7
电容 - pF的
F = 1 MHz的
V
DS
= 25V
I
D
- 安培
6
5
4
3
2
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
C
OSS
C
RSS
1
0
10
15
20
25
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
V
CE
- 伏特
V
DS
- 伏特
图11瞬态热阻抗
1
热响应 - K / W
D=0.5
D=0.2
0.1
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D=0.01
0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
时间 - SECONDS
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025
QQ：2881677436 复制
