PD91753A
IRG4IBC30UD
具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
2.5kV的， 60年代绝缘电压
U
4.8毫米爬电距离散热器
超快：高操作优化
频率8-40 kHz的硬开关， >200
kHz的谐振模式
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管
严格的参数分布
工业标准隔离TO- 220 FULLPAK
TM
概要
C
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 1.95V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 12A
正查NN报
好处
简化装配
最高的效率和功率密度
HEXFRED
TM
反并联二极管最小化
开关损耗和EMI
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
VISOL
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲？ Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
RMS的隔离电压，终端到CaseU
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
17
8.9
92
92
8.5
92
2500
± 20
45
18
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
–––
–––
2.0 (0.07)
马克斯。
2.8
4.1
65
–––
单位
° C / W
克（盎司）
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1
7/17/2000
IRG4IBC30UD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿Voltage
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
分钟。
600
–––
–––
–––
–––
栅极阈值电压
3.0
温度COEFF 。阈值电压的---
正向跨导？吨
3.1
零栅极电压集电极电流
–––
–––
二极管的正向压降
–––
–––
门极 - 发射极漏电流
–––
典型值。
–––
0.63
1.95
2.52
2.09
–––
-11
8.6
–––
–––
1.4
1.3
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
--- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
2.1
I
C
= 12A
V
GE
= 15V
–––
V
I
C
= 23A
参见图。 2,5
–––
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
---毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
–––
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 12A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
2500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.7
V
I
C
= 12A
参见图。 13
1.6
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
50
8.1
18
40
21
91
80
0.38
0.16
0.54
40
22
120
180
0.89
7.5
1100
73
14
42
80
3.5
5.6
80
220
180
120
MAX 。单位
条件
75
I
C
= 12A
12
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
27
V
GE
= 15V
–––
T
J
= 25°C
–––
ns
I
C
= 12A ，V
CC
= 480V
140
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
130
能量损失包括"tail"和
–––
二极管的反向恢复。
–––
毫焦耳参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
0.9
–––
T
J
= 150℃ ，参照图9 ， 10 ， 11 ， 18
–––
ns
I
C
= 12A ，V
CC
= 480V
–––
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
–––
能量损失包括"tail"和
–––
毫焦耳二极管的反向恢复。
–––
nH
从包装测量5毫米
–––
V
GE
= 0V
–––
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
–––
= 1.0MHz的
60
ns
T
J
= 25°C见图
120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 12A
6.0
A
T
J
= 25°C见图
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
180
nC
T
J
= 25°C见图
600
T
J
= 125°C
16
的di / dt 200A / μs的
--- A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
–––
T
J
= 125°C
17
2
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12
F R B 日：
10
负载电流（A ）
ü TY 乐： 5 0 ％
TJ = 1 2 5℃
牛逼片= 9 0 ℃，
克忒 RIV E A S S小P权证ifie
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N =
13
W
8
S Q U A重新W A V E：
6
率的D 6 0 ％
沃尔特GE
I
4
身份证电子一升 IO （E S）
2
0
0.1
1
10
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，C欧莱CTO R-为-E米itte R C ④此T（A ）
T
J
= 2 5 ° C
T
J
= 1 5 0 °C
10
I
C
，C LLE CTO R-为-E米itte R C ④此T（A ）
T
J
= 1 5 0 °C
10
T
J
= 2 5 °C
1
1
0.1
0.1
1
V
摹ê
= 1 5 V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
A
10
0.1
5
6
7
8
V
CC
= 10V
5 μ S·P ü L南东西ID牛逼
9
10
11
A
12
V
权证
，C LLE CTO R-为-E米itte诉 LTA克E（ V）
V
摹ê
，G一德以诚-E米itte诉 LTA克E（ V）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
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3
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20
3.0
V
权证
，C ollector到EM伊特尔沃尔特GE （ V）
V
GE
= 15V
8 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
I
C
= 2 4 A
最大直流电集电极电流（ A）
16
2.5
12
8
I
C
= 1 2 A
2.0
4
I
C
= 6 .0 A
A
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
25
50
75
100
125
150
1.5
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
鞠N c个TIO N率T e米P·E RA TU RE（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.0001
0.001
0.01
0.01
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
P
DM
t
1
t
2
10
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳
4
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2000
V
摹ê
，G一德以诚-E米itte诉 LTA克E（ V）
A
C，C APA CITA NC E（ pF）的
1600
V
GE
=
C
即s
=
C
RE S
=
C
OES
=
0V ,
F = 1MHz的
C
摹ê
+ C
克碳
, C
ce
中文 TE
C
gc
C
ce
+ C
克碳
20
V
CE
= 400V
I
C
= 12A
16
C
即s
1200
12
800
C
OES
8
400
C
RE S
4
0
1
10
0
0
10
20
30
40
A
50
100
V
权证
，C LLE C到R-为-E米itte诉 LTA克E（ V）
Q
g
，T TA L G TE的建华一RG E（N C）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.60
10
总Switchig损失（兆焦耳）
0.58
总Switchig损失（兆焦耳）
V
C C
= 480V
V
摹ê
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 12A
R
G
= 23
V
摹ê
= 15V
V
C C
= 480V
I
C
= 24A
0.56
1
I
C
= 12A
0.54
I
C
= 6.0A
0.52
0.50
0
10
20
30
40
50
A
60
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120 140
A
160
R
G
，栅极电阻（
)
T
J
，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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具有绝缘栅双极型晶体管
超快软恢复二极管
特点
2.5kV的， 60年代绝缘电压
U
4.8毫米爬电距离散热器
超快：高操作优化
频率8-40 kHz的硬开关， >200
kHz的谐振模式
IGBT共同封装与HEXFRED
TM
超快，
超软恢复反并联二极管
严格的参数分布
工业标准隔离TO- 220 FULLPAK
TM
概要
C
超快CoPack IGBT
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 1.95V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 12A
正查NN报
好处
简化装配
最高的效率和功率密度
HEXFRED
TM
反并联二极管最小化
开关损耗和EMI
的TO-220 FULLPAK
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
I
F
@ T
C
= 100°C
I
FM
VISOL
V
GE
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲？ Q
钳位感性负载电流
R
二极管连续正向电流
二极管的最大正向电流
RMS的隔离电压，终端到CaseU
门极 - 发射极电压
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒。
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
17
8.9
92
92
8.5
92
2500
± 20
45
18
-55到+150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
在10磅 （ 1.1牛顿米）
单位
V
A
V
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJC
R
θJA
Wt
结到外壳 - IGBT
结到外壳 - 二极管
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
–––
–––
2.0 (0.07)
马克斯。
2.8
4.1
65
–––
单位
° C / W
克（盎司）
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IRG4IBC30UD
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿Voltage
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。击穿电压
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
分钟。
600
–––
–––
–––
–––
栅极阈值电压
3.0
温度COEFF 。阈值电压的---
正向跨导？吨
3.1
零栅极电压集电极电流
–––
–––
二极管的正向压降
–––
–––
门极 - 发射极漏电流
–––
典型值。
–––
0.63
1.95
2.52
2.09
–––
-11
8.6
–––
–––
1.4
1.3
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
--- V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
2.1
I
C
= 12A
V
GE
= 15V
–––
V
I
C
= 23A
参见图。 2,5
–––
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
---毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
–––
S
V
CE
= 100V ，我
C
= 12A
250
A
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
2500
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
1.7
V
I
C
= 12A
参见图。 13
1.6
I
C
= 12A ，T
J
= 150°C
±100 nA的
V
GE
= ±20V
V
GE （日）
V
GE （日）
/
T
J
g
fe
I
CES
V
FM
I
GES
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
QGE
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
t
rr
I
rr
Q
rr
di
（ REC ）M
/ DT
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
二极管的反向恢复时间
二极管的峰值反向恢复电流
二极管的反向恢复电荷
回收秋季二极管峰值速率
在t
b
分钟。
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
50
8.1
18
40
21
91
80
0.38
0.16
0.54
40
22
120
180
0.89
7.5
1100
73
14
42
80
3.5
5.6
80
220
180
120
MAX 。单位
条件
75
I
C
= 12A
12
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
27
V
GE
= 15V
–––
T
J
= 25°C
–––
ns
I
C
= 12A ，V
CC
= 480V
140
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
130
能量损失包括"tail"和
–––
二极管的反向恢复。
–––
毫焦耳参见图。 9 ， 10 ， 11 ， 18
0.9
–––
T
J
= 150℃ ，参照图9 ， 10 ， 11 ， 18
–––
ns
I
C
= 12A ，V
CC
= 480V
–––
V
GE
= 15V ，R
G
= 23
–––
能量损失包括"tail"和
–––
毫焦耳二极管的反向恢复。
–––
nH
从包装测量5毫米
–––
V
GE
= 0V
–––
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
–––
= 1.0MHz的
60
ns
T
J
= 25°C见图
120
T
J
= 125°C
14
I
F
= 12A
6.0
A
T
J
= 25°C见图
10
T
J
= 125°C
15
V
R
= 200V
180
nC
T
J
= 25°C见图
600
T
J
= 125°C
16
的di / dt 200A / μs的
--- A / μs的牛逼
J
= 25°C见图
–––
T
J
= 125°C
17
2
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12
F R B 日：
10
负载电流（A ）
ü TY 乐： 5 0 ％
TJ = 1 2 5℃
牛逼片= 9 0 ℃，
克忒 RIV E A S S小P权证ifie
P 2 O宽E R d为的IP一个TIO N =
13
W
8
S Q U A重新W A V E：
6
率的D 6 0 ％
沃尔特GE
I
4
身份证电子一升 IO （E S）
2
0
0.1
1
10
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
100
100
I
C
，C欧莱CTO R-为-E米itte R C ④此T（A ）
T
J
= 2 5 ° C
T
J
= 1 5 0 °C
10
I
C
，C LLE CTO R-为-E米itte R C ④此T（A ）
T
J
= 1 5 0 °C
10
T
J
= 2 5 °C
1
1
0.1
0.1
1
V
摹ê
= 1 5 V
2 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
A
10
0.1
5
6
7
8
V
CC
= 10V
5 μ S·P ü L南东西ID牛逼
9
10
11
A
12
V
权证
，C LLE CTO R-为-E米itte诉 LTA克E（ V）
V
摹ê
，G一德以诚-E米itte诉 LTA克E（ V）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
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3
IRG4IBC30UD
20
3.0
V
权证
，C ollector到EM伊特尔沃尔特GE （ V）
V
GE
= 15V
8 0 μ S·P ü L南东西ID牛逼
I
C
= 2 4 A
最大直流电集电极电流（ A）
16
2.5
12
8
I
C
= 1 2 A
2.0
4
I
C
= 6 .0 A
A
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100 120 140 160
0
25
50
75
100
125
150
1.5
T
C
，外壳温度（
°
C)
T
J
鞠N c个TIO N率T e米P·E RA TU RE（ ° C）
图。 4
- 最大集电极电流 -
外壳温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
10
热响应（Z
thJC
)
D = 0.50
1
0.20
0.10
0.05
0.1
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
0.0001
0.001
0.01
0.01
0.00001
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.1
1
P
DM
t
1
t
2
10
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大IGBT有效的瞬态热阻抗，结至外壳
4
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IRG4IBC30UD
2000
V
摹ê
，G一德以诚-E米itte诉 LTA克E（ V）
A
C，C APA CITA NC E（ pF）的
1600
V
GE
=
C
即s
=
C
RE S
=
C
OES
=
0V ,
F = 1MHz的
C
摹ê
+ C
克碳
, C
ce
中文 TE
C
gc
C
ce
+ C
克碳
20
V
CE
= 400V
I
C
= 12A
16
C
即s
1200
12
800
C
OES
8
400
C
RE S
4
0
1
10
0
0
10
20
30
40
A
50
100
V
权证
，C LLE C到R-为-E米itte诉 LTA克E（ V）
Q
g
，T TA L G TE的建华一RG E（N C）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
0.60
10
总Switchig损失（兆焦耳）
0.58
总Switchig损失（兆焦耳）
V
C C
= 480V
V
摹ê
= 15V
T
J
= 25°C
I
C
= 12A
R
G
= 23
V
摹ê
= 15V
V
C C
= 480V
I
C
= 24A
0.56
1
I
C
= 12A
0.54
I
C
= 6.0A
0.52
0.50
0
10
20
30
40
50
A
60
0.1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120 140
A
160
R
G
，栅极电阻（
)
T
J
，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
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