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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第214页 > IRFR15N20D
PD - 94245
开关电源MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
好处
l
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
IRFR15N20D
IRFU15N20D
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
200V
R
DS （ ON）
最大
0.165
I
D
17A
D- PAK
IRFR15N20D
I- PAK
IRFU15N20D
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗*
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
17
12
68
140
3.0
0.96
± 30
8.3
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） *
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.04
50
110
单位
° C / W
笔记
通过
在第10页
www.irf.com
1
7/25/01
IRFR/U15N20D
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
200
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.26
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.165
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
25
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 30V
nA
-100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
4.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
27
6.9
14
9.7
32
17
8.9
910
170
31
1380
67
150
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 10A
41
I
D
= 10A
10
nC
V
DS
= 160V
21
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 100V
–––
I
D
= 10A
ns
–––
R
G
= 6.8
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
260
10
14
单位
mJ
A
mJ
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
17
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– –––
68
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.5
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10A ，V
GS
= 0V
––– 130 200
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10A
––– 610 920
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
2
www.irf.com
IRFR/U15N20D
100
VGS
顶部
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
顶部
10
1
5.0V
1
0.1
5.0V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.01
0.1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.5
I
D
= 17A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 175
°
C
10
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
3.0
2.5
2.0
1.5
1
T
J
= 25
°
C
1.0
0.1
0.5
0.0
-60 -40 -20
0.01
5
6
7
8
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
9
10
11
12
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFR/U15N20D
20
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + C
ds
gd
I
D
= 10A
V
DS
= 160V
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
16
C，电容（pF ）
1000
西塞
12
100
科斯
8
CRSS
10
1
10
100
1000
4
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
T
J
= 175
°
C
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
100sec
T
J
= 25
°
C
1
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
100
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10msec
1000
0.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFR/U15N20D
20
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
15
R
G
-
V
DD
V
GS
10
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
5
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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PD - 94245
开关电源MOSFET
应用
l
高频DC- DC转换器
好处
l
低栅极 - 漏极电荷降低
开关损耗
l
充分界定电容含
有效的C
OSS
为简化设计， （见
应用程序。注AN1001 ）
l
充分界定雪崩电压
和电流
IRFR15N20D
IRFU15N20D
HEXFET
功率MOSFET
V
DSS
200V
R
DS （ ON）
最大
0.165
I
D
17A
D- PAK
IRFR15N20D
I- PAK
IRFU15N20D
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C
I
D
@ T
C
= 100°C
I
DM
P
D
@T
C
= 25°C
P
D
@T
A
= 25°C
V
GS
dv / dt的
T
J
T
英镑
连续漏电流， V
GS
@ 10V
连续漏电流， V
GS
@ 10V
漏电流脉冲
功耗
功耗*
线性降额因子
栅极 - 源极电压
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
马克斯。
17
12
68
140
3.0
0.96
± 30
8.3
-55 + 175
300 （ 1.6毫米从案例）
单位
A
W
W / ℃，
V
V / ns的
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
结到环境（印刷电路板安装） *
结到环境
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
1.04
50
110
单位
° C / W
笔记
通过
在第10页
www.irf.com
1
7/25/01
IRFR/U15N20D
静态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
V
（ BR ） DSS
漏极至源极击穿电压
V
（ BR ） DSS
/T
J
击穿电压温度。系数
R
DS （ ON）
静态漏 - 源极导通电阻
V
GS （ TH）
栅极阈值电压
I
DSS
I
GSS
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
分钟。
200
–––
–––
3.0
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
0.26
–––
–––
–––
–––
–––
–––
MAX 。单位
条件
–––
V
V
GS
= 0V时，我
D
= 250A
--- V / ° C参考到25° C，I
D
= 1毫安
0.165
V
GS
= 10V ，我
D
= 10A
5.5
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
25
V
DS
= 200V, V
GS
= 0V
A
250
V
DS
= 160V, V
GS
= 0V ，T
J
= 150°C
100
V
GS
= 30V
nA
-100
V
GS
= -30V
动态@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
g
fs
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
参数
正向跨导
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
分钟。
4.0
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
典型值。
–––
27
6.9
14
9.7
32
17
8.9
910
170
31
1380
67
150
MAX 。单位
条件
–––
S
V
DS
= 50V ，我
D
= 10A
41
I
D
= 10A
10
nC
V
DS
= 160V
21
V
GS
= 10V,
–––
V
DD
= 100V
–––
I
D
= 10A
ns
–––
R
G
= 6.8
–––
V
GS
= 10V
–––
V
GS
= 0V
–––
V
DS
= 25V
–––
pF
= 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 160V ， = 1.0MHz的
–––
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至160V
雪崩特性
参数
E
AS
I
AR
E
AR
单脉冲雪崩能量？
雪崩电流？
重复性雪崩能量？
典型值。
–––
–––
–––
马克斯。
260
10
14
单位
mJ
A
mJ
二极管的特性
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
参数
连续源电流
（体二极管）
脉冲源电流
（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向RecoveryCharge
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
条件
D
MOSFET符号
17
––– –––
展示
A
G
整体反转
––– –––
68
S
p-n结二极管。
––– ––– 1.5
V
T
J
= 25 ° C，I
S
= 10A ，V
GS
= 0V
––– 130 200
ns
T
J
= 25 ° C，I
F
= 10A
––– 610 920
nC
的di / dt = 100A / μs的
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
+L
D
)
2
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100
VGS
顶部
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
100
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
10
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
VGS
15V
12V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
BOTTOM 5.0V
顶部
10
1
5.0V
1
0.1
5.0V
20μs的脉冲宽度
T
J
= 25
°
C
1
10
100
0.01
0.1
0.1
0.1
20μs的脉冲宽度
T
J
= 175
°
C
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
100
3.5
I
D
= 17A
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 175
°
C
10
R
DS （ ON）
，漏极 - 源极导通电阻
（归一化）
3.0
2.5
2.0
1.5
1
T
J
= 25
°
C
1.0
0.1
0.5
0.0
-60 -40 -20
0.01
5
6
7
8
V DS = 50V
20μs的脉冲宽度
9
10
11
12
V
GS
= 10V
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
T
J
，结温（
°
C)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
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3
IRFR/U15N20D
20
10000
VGS = 0V，
F = 1 MHz的
西塞= C + Cgd的，C
gs
DS短路
CRSS = C
gd
COSS = C + C
ds
gd
I
D
= 10A
V
DS
= 160V
V
DS
= 100V
V
DS
= 40V
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
16
C，电容（pF ）
1000
西塞
12
100
科斯
8
CRSS
10
1
10
100
1000
4
0
0
10
20
测试电路
见图13
30
40
VDS ，漏极至源极电压（ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
100
1000
T
J
= 175
°
C
I
SD
，反向漏电流（ A）
在这一领域
限于由R DS （ ON）
10
ID ，漏极 - 源极电流（A ）
100
10
100sec
T
J
= 25
°
C
1
1msec
1
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
100
0.1
0.0
V
GS
= 0 V
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
10msec
1000
0.1
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
VDS ，漏toSource电压（V ）
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRFR/U15N20D
20
V
DS
V
GS
R
D
D.U.T.
+
I
D
，漏电流（ A）
15
R
G
-
V
DD
V
GS
10
脉冲宽度
≤ 1
s
占空比
≤ 0.1 %
图10A 。
开关时间测试电路
5
V
DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
，外壳温度
( °C)
10%
V
GS
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
图10B 。
开关时间波形
10
热响应（Z
thJC
)
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.001
0.01
0.1
0.01
0.00001
0.0001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图11 。
最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
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