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HIGH CURRENT

Megamos

FET

N沟道增强模式

初步数据表

IXTK 80N25

DSS

D25

DS （ ON）

= 250 V

= 80 A

= 33 m

符号

DSS

DGR

GSM

D25

D（ RMS）

dv / dt的

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1.0 M

连续

短暂

= 25°C的MOSFET芯片的能力

外部引线电流限制

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25°C

最大额定值

250

±20

±30

320

2.5

540

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

纳米/ lb.in 。

TO- 264 AA （ IXTK ）

D（ TAB ）

G =门

S =源

=漏

TAB =漏

特点

低R

DS （ ON）

HDMOS

过程

坚固的多晶硅栅单元结构

国际标准套餐

快速开关时间

应用

从案例10秒1.6毫米（ 0.063英寸）

安装力矩

TO-264

300

0.7/6

电机控制

直流斩波器

开关模式电源

优势

符号测试条件

= 25 ° C除非另有规定编）

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 1毫安

= V

, I

= 250

= ± 20 V DC ，V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 25°C

= 125°C

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

250

2.0

4.0

±100

容易用一颗螺丝安装

（隔绝安装螺纹孔）

节省空间

高功率密度

= 10 V，I

= 0.5 I

D25

脉冲测试，T

≤

300毫秒，占空比

≤

33 m

DS98953A(11/03)

IXTK 80N25

符号

测试条件

= 25 ° C除非另有规定编）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

0.15

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= 0.5 I

D25

= 1.0

（外部）

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

= 10 V ;我

= 0.5 I

D25

，脉冲测试

特征值

MIN 。 TYP 。

马克斯。

6000

1125

420

240

110

0.23 K / W

K / W

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91

26.16

19.81

19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32

20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

分钟。

英寸

马克斯。

TO- 264 AA大纲

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 0V

额定值和特性

= 25 ° C除非另有规定编）

分钟。

典型值。

马克斯。

320

1.5

300

3.0

重复;脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V,

脉冲测试，T

≤

300微秒，占空比

≤

2 %

= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的，V

= 100V

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665

6,534,343 6,583,505

IXTK 80N25

图。 1.输出特性

@ 25代克。

= 10V

200

180

160

140

图。 2.扩展的输出Characteris抽动

@ 25代克。

= 10V

- 安培

0.5

1.5

120

100

2.5

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125度。

= 10V

2.6

2.4

2.2

- 伏特

图。 4.

DS （ ON）

规范alized到我

D25

值与

结特温度

= 10V

S（上）

- 归

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

0.6

0.4

= 80A

= 40A

- 安培

-50

-25

100

125

150

- 伏特

图。 5.

DS （ ON）

规范艾莉婕d可我

D25

价值VS 。我

2.8

2.6

= 10V

= 125C

- 摄氏

图。 6.漏电流与案例

TEM PE叉涂抹

S（上）

- 归

2.4

2.2

1.8

1.6

1.4

1.2

0.8

100 120 140 160 180 200

= 25C

- 安培

-50

-25

100

125

150

- 安培

- 摄氏

IXTK 80N25

图。 7.输入上将ittance

140

120

100

4.5

5.5

6.5

7.5

= 125C

25C

-40C

= -40C

25C

125C

图。 8.跨导

F小号

- 西门子

- 安培

100

120

140

160

的s

- 伏特

图。 9.源电流与。来源- TO -

漏极电压

200

180

160

= 125V

= 40A

= 10毫安

- 安培

图。 10.栅极电荷

- 安培

140

120

100

0.4

0.6

0.8

1.2

1.4

= 25C

= 125C

的s

- 伏特

100

150

200

250

S.D。

- 伏特

图。 11.电容

10000

F = 1MHz的

1000

= 25C

- nanocoulombs

图。 12. FORW ARD偏置安全

工作区

25s

电容 - pF的

国际空间站

（上）

极限

- 安培

100

1ms

1000

OSS

RSS

100

- 伏特

100

1000

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXTK 80N25

图。 13.佛RW AR 偏置版Saf 运算器ATIN克REA （ FBSOA ）

0. 2 4

0. 2 2

0. 2 0

0. 1 8

（ TH） J·C

- （ C / W）

0. 1 6

0. 1 4

0. 1 2

0. 1 0

0. 0 8

0. 0 6

0. 0 4

0. 0 2

0. 0 0

10 0

10 0 0

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