【PD- 96128开关电源MOSFETIRF7478QPbFHEXFET功率MOSFETllllll】,IC型号IRF7478QPBF,IRF7478QPBF PDF资料,IRF7478QPBF经销商,ic,电子元器件-51电子网

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PD- 96128

开关电源MOSFET

IRF7478QPbF

HEXFET

功率MOSFET

l

l

l

l

l

l

l

l

先进的工艺技术

超低导通电阻

N沟道MOSFET

表面贴装

可在磁带卷&

150 ° C工作温度

汽车[ Q101 ]合格

LEAD -FREE

V

DSS

60V

R

DS （ ON）

最大值（ mW）的

26@V

GS

= 10V

30@V

GS

= 4.5V

A

A

D

D

D

D

I

D

4.2A

3.5A

S

S

S

G

1

2

3

4

8

7

描述

专为汽车应用。另外

这些汽车合格HEXFET功率的特点

MOSFET的是一个150 ℃的结的工作温度，

开关速度快和改进的重复雪崩

投资评级。这些好处结合起来，使该设计的

非常高效，在汽车使用可靠的设备

应用程序和各种各样的其它应用。

高效率的SO -8封装提供了增强的热

特性使其成为理想中的各种力量

应用程序。这种表面安装型SO-8可以大幅

减少电路板空间，也可

在磁带&卷轴。

6

5

顶视图

SO-8

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

A

= 25°C

I

D

@ T

A

= 70°C

I

DM

P

D

@T

A

= 25°C

V

GS

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

功耗？

线性降额因子

栅极 - 源极电压

峰值二极管恢复的dv / dt

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

7.0

5.6

56

2.5

0.02

± 20

3.7

-55到+ 150

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

V / ns的

°C

热阻

符号

R

θJL

R

θJA

参数

结到漏极引线

结到环境

典型值。

–––

–––

马克斯。

20

50

单位

° C / W

笔记

通过

是第8页

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1

09/04/07

IRF7478QPbF

静态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

V

GS （ TH）

I

DSS

I

GSS

静态漏 - 源极导通电阻

栅极阈值电压

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

分钟。

60

–––

–––

–––

1.0

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

0.065

20

23

–––

–––

–––

–––

–––

MAX 。单位

条件

–––

V

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

26

V

GS

= 10V ，我

D

= 4.2A

m

30

V

GS

= 4.5V ，我

D

= 3.5A

3.0

V

V

DS

= V

GS

, I

D

= 250A

20

V

DS

= 48V, V

GS

= 0V

A

100

V

DS

= 48V, V

GS

= 0V ，T

J

= 125°C

100

V

GS

= 20V

nA

-100

V

GS

= -20V

动态@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

g

fs

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

参数

正向跨导

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

输出电容

有效输出电容

分钟。

17

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

典型值。

–––

21

4.3

9.6

7.7

2.6

44

13

1740

300

37

1590

220

410

MAX 。单位

条件

–––

S

V

DS

= 50V ，我

D

= 4.2A

31

I

D

= 4.2A

–––

NC V

DS

= 48V

–––

V

GS

= 4.5V

–––

V

DD

= 30V

–––

I

D

= 4.2A

ns

–––

R

G

= 6.2

–––

V

GS

= 10V

–––

V

GS

= 0V

–––

V

DS

= 25V

–––

pF

= 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 48V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至48V

符号

E

AS

I

AR

参数

单脉冲雪崩能量？

雪崩电流？

典型值。

–––

–––

马克斯。

140

4.2

单位

mJ

A

二极管的特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向RecoveryCharge

分钟。典型值。马克斯。单位

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

–––

52

100

2.3

A

56

1.3

78

150

V

ns

nC

2

条件

MOSFET符号

展示

G

整体反转

p-n结二极管。

T

J

= 25 ° C，I

S

= 4.2A ，V

GS

= 0V

T

J

= 25 ° C，I

F

= 4.2A

的di / dt = 100A / μs的

D

S

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IRF7478QPbF

100

VGS

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

顶部

100

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

I

D

，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

4.5V

3.7V

3.5V

3.3V

3.0V

BOTTOM 2.7V

顶部

10

10

2.7V

2.7V

20μs的脉冲宽度

T

J

= 25

°

C

1

10

100

1

0.1

1

0.1

20μs的脉冲宽度

T

J

= 150

°

C

1

10

100

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

100

2.5

T J = 150℃

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

（归一化）

I

D

= 7.0A

ID ，漏 - 源电流

(Α

)

2.0

1.5

10

T J = 25°C

1.0

0.5

1

2.5

3.0

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

3.5

4.0

0.0

-60 -40 -20

V

GS

= 10V

0

20

40

60

80 100 120 140 160

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温（

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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3

IRF7478QPbF

100000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

西塞= C + Cgd的，C

gs

DS短路

CRSS = C

gd

COSS = C + C

DS GD

10

I

D

=

4.2A

V

GS

，栅 - 源极电压（ V）

10000

8

V

DS

= 48V

V

DS

= 30V

V

DS

= 12V

C，电容（pF ）

西塞

1000

6

科斯

100

4

CRSS

2

10

1

10

100

0

0

10

20

30

40

VDS ，漏极至源极电压（ V）

Q

G

，总栅极电荷（ NC）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

100

1000

I

SD

，反向漏电流（ A）

在这一领域有限

由R

DS （ ON）

10

I

D

，漏电流（ A）

T

J

= 150

°

C

100

10us

10

100us

1ms

1

10ms

1

T

J

= 25

°

C

0.1

0.2

V

GS

= 0 V

0.6

1.0

1.4

1.8

2.2

0.1

T

A

= 25 ° C

T

J

= 150 ° C

单脉冲

1

10

100

1000

V

SD

，源极到漏极电压（V ）

V

DS

，漏极至源极电压（ V）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF7478QPbF

8.0

V

DS

6.0

R

D

V

GS

R

G

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

I

D

，漏电流（ A）

D.U.T.

+

-

V

DD

4.0

2.0

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

0.0

25

50

T

C

，外壳温度（ ° C）

75

100

125

150

图9 。

最大漏极电流比。

环境温度

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图10B 。

开关时间波形

100

D = 0.50

10

0.20

0.10

0.05

1

0.02

0.01

P

DM

单脉冲

（热反应）

t

1

t

2

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJA

+ T

A

0.0001

0.001

0.01

0.1

1

10

100

热响应（Z

thJA

)

0.1

0.01

0.00001

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结到环境

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15600

SOP-8

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IR

2443+

23000

SOP-8

一级代理专营，原装现货，价格优势

深圳市深科创科技有限公司

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4530

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