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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第85页 > IXTH3N100P
极地VHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTA3N100P
IXTH3N100P
IXTP3N100P
V
DSS
I
D25
R
DS ( ON)
= 1000V
=
3A
4.8Ω
Ω
TO- 263 ( IXTA )
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
A
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25° C到150° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
150°C
T
C
= 25°C
最大额定值
1000
1000
±20
±30
3
6
3
20
200
10
125
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
g
g
G
D
G
G
S
( TAB )
的TO-220 ( IXTP )
S
( TAB )
TO- 247 ( IXTH )
S
( TAB )
从案例10秒1.6毫米( 0.062 )
塑料机身10秒
安装力矩
TO-263
TO-220
TO-247
(TO-220)
300
260
1.13 / 10
2.5
3.0
6.0
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
国际标准封装
非钳位感应开关
( UIS )额定
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 250μA
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
1000
2.5
4.5
V
V
易于安装
节省空间
高功率密度
应用范围:
开关模式和谐振模
电源
DC- DC转换器
激光驱动器
AC和DC电机控制
机器人和伺服控制
±50
nA
5
μA
250
μA
4.8
Ω
V
GS
= 10V ,我
D
=
0.5
I
D25
注意1
2007 IXYS公司,保留所有权利。
DS99767(08/07)
IXTA3N100P IXTP3N100P
IXTH3N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 20V ,我
D
=
0.5
I
D25
注意1
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
=
0.5
I
D25
R
G
= 18Ω (外部)
特征值
分钟。
典型值。
最大
1.5
2.4
1220
70
14.5
22
27
75
29
39
6
20
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
TO- 220 ( IXTP )大纲
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5
V
DSS
, I
D
=
0.5
I
D25
引脚:
1 - GATE
2 - 漏极
(TO-220)
(TO-247)
1.0
° C / W
0.50
° C / W
0.21
° C / W
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 3A , -di / DT = 100A / μs的,
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
特征值
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
分钟。
典型值。
马克斯。
3
9
A
A
TO- 247 ( IXTH )大纲
1.5 V
820
ns
1
2
3
P
注1 :脉冲检验,t
300
μs;
占空比D
2%.
TO- 263 ( IXTA )大纲
端子: 1 - 2号门 - 漏
3 - 来源
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
P
Q
R
S
毫米
分钟。
马克斯。
4.7
2.2
2.2
1.0
1.65
2.87
.4
20.80
15.75
5.20
19.81
3.55
5.89
4.32
6.15
5.3
2.54
2.6
1.4
2.13
3.12
.8
21.46
16.26
5.72
20.32
4.50
3.65
6.40
5.49
BSC
英寸
分钟。
马克斯。
.185
.087
.059
.040
.065
.113
.016
.819
.610
0.205
.780
.140
0.232
.170
242
.209
.102
.098
.055
.084
.123
.031
.845
.640
0.225
.800
.177
.144
0.252
.216
BSC
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
由一个或moreof以下美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123B1
6,306,728B1
6,404,065B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
7,005,734B2
6,759,692
7,063,975B2
6,771,478B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTA3N100P IXTP3N100P
IXTH3N100P
图。 1.输出特性
@ 25C
3.0
V
GS
= 10V
7V
2.5
5.5
5.0
4.5
4.0
V
GS
= 10V
8V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
2.0
6V
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
5V
6V
1.5
1.0
5V
0.5
0.0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125C
3.0
V
GS
= 10V
7V
2.5
3.0
2.8
2.6
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 1.5A价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
- 归
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
I
D
= 3A
I
D
= 1.5A
I
D
- 安培
2.0
6V
1.5
1.0
5V
0.5
0.8
0.6
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
0.4
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS ( ON)
归到我
D
= 1.5A价值
与漏电流
2.6
2.4
V
GS
= 10V
T
J
= 125C
3.2
2.8
2.4
图。 6,最大漏极电流与
外壳温度
R
DS ( ON)
- 归
2.2
I
D
- 安培
T
J
= 25C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
0.0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2007 IXYS公司,保留所有权利。
IXTA3N100P IXTP3N100P
IXTH3N100P
图。 7.输入导纳
4.0
3.5
3.0
4.5
T
J
= - 40C
4.0
3.5
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
25C
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3
3.5
4
T
J
= 125C
25C
-40C
125C
4.5
5
5.5
6
6.5
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
9
8
7
10
9
8
7
V
DS
= 500V
I
D
= 1.5A
I
G
= 1毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 25C
0.7
0.8
0.9
6
5
4
3
2
1
0
0.4
0.5
0.6
T
J
= 125C
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
10,000
F = 1 MHz的
10.00
图。 12.最大瞬态热
阻力
电容 - 皮法
西塞
100
科斯
Z
(日) JC
- C / W
1,000
1.00
0.10
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF : T_3N100P ( 3C ) 06年10月31日
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXTH3N100P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXTH3N100P
IXYS
19+
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标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
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Littelfuse Inc.
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10000
TO-247(IXTH)
原厂一级代理,原装现货
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电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
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2443+
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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Littelfuse Inc.
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19000
TO-247(IXTH)
全新原装现货,原厂代理。
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IXTH3N100P
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原装正品 华强现货
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原装现货上海库存,欢迎咨询
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
IXTH3N100P
IXYS/艾赛斯
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