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PD - 96896
汽车MOSFET
特点
逻辑电平
l
先进的工艺技术
l
超低导通电阻
l
175 ° C工作温度
l
快速开关
l
重复性雪崩中允许多达TJMAX
l
IRLR3705Z
IRLU3705Z
HEXFET
功率MOSFET
D
V
DSS
= 55V
R
DS ( ON)
= 8.0m
描述
专为汽车应用,
这HEXFET
功率MOSFET采用了最新的
加工技术,以实现极低
导通电阻每硅片面积。附加功能
这种设计的是一个175 ℃的结操作
温度,开关速度快,提高了
重复雪崩额定值。这些功能的COM
茎,使这个设计非常高效,
在汽车应用中使用可靠的设备
和各种其他应用程序。
G
S
I
D
= 42A
D- PAK
IRLR3705Z
马克斯。
89
63
42
360
130
0.88
± 16
I- PAK
IRLU3705Z
单位
A
绝对最大额定值
参数
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流, V
GS
@ 10V
(硅有限公司)
I
D
@ T
C
= 100℃连续漏电流, V
GS
@ 10V
I
D
@ T
C
= 25°C连续漏电流, V
GS
@ 10V
(包装有限公司)
漏电流脉冲
I
DM
P
D
@T
C
= 25 °C功耗
V
GS
线性降额因子
栅极 - 源极电压
W
W / ℃,
V
mJ
A
mJ
E
AS (限热)
单脉冲雪崩能量
单脉冲雪崩能量测试值
E
AS
(测试)
I
AR
E
AR
T
J
T
英镑
雪崩电流
重复性雪崩能量
工作结
存储温度范围
焊接温度,持续10秒
安装扭矩, 6-32或M3螺丝
d
h
110
190
看到图12a , 12b中,15,16
-55 + 175
g
°C
300 ( 1.6毫米从案例)
10磅的( 1.1N M)
热阻
R
θJC
R
θJA
R
θJA
结到外壳
y
y
j
参数
典型值。
马克斯。
1.14
40
110
单位
° C / W
结到环境(印刷电路板安装)
结到环境
j
ij
–––
–––
–––
HEXFET
是国际整流器公司的注册商标。
www.irf.com
1
9/29/04
IRLR/U3705Z
电气特性@ T
J
= 25 ℃(除非另有规定)
参数
V
( BR ) DSS
V
( BR ) DSS
/T
J
R
DS ( ON)
漏极至源极击穿电压
击穿电压温度。系数
静态漏 - 源极导通电阻
分钟。典型值。马克斯。单位
55
–––
–––
–––
–––
–––
0.053
6.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
44
13
22
17
150
33
70
4.5
7.5
2900
420
230
1550
320
500
–––
–––
8.0
11
12
3.0
–––
20
250
200
-200
66
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
nH
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
pF
ns
nC
nA
V
S
A
V
m
条件
V
GS
= 0V时,我
D
= 250A
V
GS
= 10V ,我
D
= 42A
V
GS
= 5.0V ,我
D
V
GS
= 4.5V ,我
D
V / ℃参考至25℃ ,我
D
= 1毫安
V
GS ( TH)
政府飞行服务队
I
DSS
I
GSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
L
D
L
S
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
OSS
C
OSS
C
OSS
EFF 。
栅极阈值电压
正向跨导
漏极至源极漏电流
栅 - 源正向漏
栅 - 源反向漏
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极( "Miller" )充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
输出电容
输出电容
有效输出电容
1.0
89
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250A
V
DS
= 25V ,我
D
= 42A
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V
e
= 34A
e
= 21A
e
V
DS
= 55V, V
GS
= 0V ,T
J
= 125°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 42A
V
DS
= 44V
V
GS
= 5.0V
V
DD
= 28V
I
D
= 42A
R
G
= 4.2
V
GS
= 5.0V
e
e
铅之间,
6毫米(0.25英寸)。
从包
而中心的模具接触
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz的
G
D
S
V
GS
= 0V, V
DS
= 1.0V , = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 44V , = 1.0MHz的
V
GS
= 0V, V
DS
= 0V至44V
f
源极 - 漏极额定值和特性
参数
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
连续源电流
(体二极管)
脉冲源电流
(体二极管)
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
分钟。典型值。马克斯。单位
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
21
14
42
A
360
1.3
42
28
V
ns
nC
条件
MOSFET符号
展示
整体反转
p-n结二极管。
T
J
= 25 ° C,I
S
= 42A ,V
GS
= 0V
T
J
= 25 ° C,I
F
= 42A ,V
DD
= 28V
的di / dt = 100A / μs的
e
e
固有的导通时间是可以忽略的(导通通过LS为主+ LD)的
2
www.irf.com
IRLR/U3705Z
1000
顶部
VGS
12V
10V
8.0V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.8V
1000
顶部
VGS
12V
10V
8.0V
5.0V
4.5V
3.5V
3.0V
2.8V
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
底部
ID ,漏极 - 源极电流(A )
100
底部
2.8V
10
10
2.8V
在60μs脉冲宽度
TJ = 25°C
1
0.1
1
10
100
在60μs脉冲宽度
TJ = 175℃
1
0.1
1
10
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
VDS ,漏极至源极电压( V)
图1 。
典型的输出特性
图2 。
典型的输出特性
1000.0
100
政府飞行服务队,正向跨导( S)
TJ = 25°C
TJ = 175℃
ID ,漏 - 源电流
(Α)
TJ = 25°C
80
100.0
60
TJ = 175℃
10.0
40
VDS = 15V
1.0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
20
在60μs脉冲宽度
7.0
8.0
9.0 10.0
VDS = 8.0V
380μs脉宽
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
ID ,漏极 - 源极电流(A )
VGS ,栅 - 源极电压( V)
图3 。
典型的传输特性
图4 。
典型正向跨导
与漏电流
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3
IRLR/U3705Z
5000
VGS = 0V,
F = 1 MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的,光盘短路
CRSS = Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
12
VGS ,栅 - 源极电压( V)
ID = 42A
VDS = 44V
VDS = 28V
VDS = 11V
4000
10
8
6
4
2
0
C,电容(pF )
3000
西塞
2000
1000
科斯
CRSS
0
1
10
100
0
20
40
60
80
100
VDS ,漏极至源极电压( V)
QG总栅极电荷( NC)
图5 。
典型的电容比。
漏极至源极电压
图6 。
典型栅极电荷比。
栅极 - 源极电压
1000.0
10000
ID ,漏极 - 源极电流(A )
在这一领域
限于由R DS ( ON)
ISD ,反向漏电流( A)
1000
100.0
TJ = 175℃
100
100sec
1msec
10msec
TC = 25°C
TJ = 175℃
单脉冲
1
10
VDS ,漏toSource电压(V )
10.0
10
TJ = 25°C
1.0
1
VGS = 0V
0.1
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
0.1
DC
100
VSD ,源极到漏极电压(V )
图7 。
典型的源极 - 漏极二极管
正向电压
图8 。
最大安全工作区
4
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IRLR/U3705Z
100
不限按包
80
ID ,漏电流( A)
RDS ( ON)时,漏 - 源极导通电阻
(归一化)
2.5
ID = 42A
2.0
VGS = 10V
60
1.5
40
20
1.0
0
25
50
75
100
125
150
175
TC ,外壳温度( ° C)
0.5
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
TJ ,结温( ° C)
图9 。
最大漏极电流比。
外壳温度
图10 。
归一化的导通电阻
与温度的关系
10
热响应(Z thJC )
1
D = 0.50
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
τ
J
τ
J
τ
1
τ
1
R
1
R
1
τ
2
R
2
R
2
τ
C
τ
τ
2
0.1
RI( ° C / W)
τi
(秒)
0.6984 0.000465
0.4415
0.004358
CI-
τi /日
次I /日
单脉冲
(热反应)
0.001
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
注意事项:
1.占空比D = T1 / T2
2.峰值TJ = P DM X Zthjc +锝
0.01
0.1
T1 ,矩形脉冲持续时间(秒)
图11 。
最大有效瞬态热阻抗,结至外壳
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IRLR3705Z
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1316996791 复制

电话:18913062888
联系人:陈先生
地址:江苏省苏州市昆山市昆山开发区朝阳东路109号
IRLR3705Z
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TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
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电话:0755-22929859
联系人:朱先生
地址:深圳福田区振兴路华康大厦211
IRLR3705Z
Infineon
2025+
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TO-252-3
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电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IRLR3705Z
IR
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地址:深圳市龙岗区横岗街道六约社区深峰路3号4E
IRLR3705Z
IR
18+
15600
TO-252
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881147140 复制

电话:0755-89697985
联系人:李
地址:深圳市龙岗区平湖街道平湖社区平安大道3号铁东物流区11栋1822
IRLR3705Z
Infineon Technologies
24+
10000
TO-252AA (DPAK)
原厂一级代理,原装现货
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2881793588 复制

电话:0755-88291559
联系人:陈泽强
地址:深圳市福田区华强北深南中路2068号华能大厦23楼2312-2313-2318
IRLR3705Z
IR
2443+
23000
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一级代理专营,原装现货,价格优势
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电话:0755-83223003
联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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IR
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全新原装现货,原厂代理。
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联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
IRLR3705Z
IR
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IR
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电话:0755-83268779
联系人:吴
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