PD - 93771
临时
IRG4BAC50S
标准速度IGBT
C
绝缘栅双极晶体管
特点
标准：针对饱和度最低
电压和低的工作频率（ < 1kHz时）
第四代IGBT设计提供了更严格
参数分布和更高的效率比
第3代
行业超220 （ TO- 273AA ）封装
V
CES
= 600V
G
E
V
CE （ ON） （典型值） 。
= 1.28V
@V
GE
= 15V ，我
C
= 41A
N沟道
好处
第四代IGBT提供最高的效率
优化特定应用条件
Super-220
(TO-273AA)
绝对最大额定值
参数
V
CES
I
C
@ T
C
= 25°C
I
C
@ T
C
= 100°C
I
CM
I
LM
V
GE
E
ARV
P
D
@ T
C
= 25°C
P
D
@ T
C
= 100°C
T
J
T
英镑
集电极 - 发射极击穿电压
连续集电极电流
连续集电极电流
集电极电流脉冲
钳位感性负载电流
门极 - 发射极电压
反向电压雪崩能量
最大功率耗散
最大功率耗散
工作结
存储温度范围
焊接温度，持续10秒
安装扭矩， 6-32或M3螺丝。
马克斯。
600
70
41
140
140
± 20
20
200
78
-55到+ 150
300 （ 0.063英寸（ 1.6毫米）的情况下）
10磅在（ 1.1N m）的
单位
V
A
V
mJ
W
°C
热阻
参数
R
θJC
R
θCS
R
θJA
Wt
结到外壳
案件到水槽，平面，脂表面
结到环境，典型的插座安装
重量
典型值。
–––
0.50
–––
待定
马克斯。
0.64
–––
40
–––
单位
° C / W
克（盎司）
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1
1/19/2000
IRG4BAC50S
100
F R B 日：
牛逼RIA体中ü拉 WA V E：
I
80
UTY CY 乐： 50 ％
T J = 125°C
牛逼水墨= 90℃
GA TE驱动为S PEC后指定
负载电流（A ）
P 2 O宽E R D所我我SS P A TIO N = 4 0胜
拉·M P V LTA克E：
8 0 ％ F RA TE
60
S Q妳娃已经：
6 0 ％ F RA TE
武℃的克é
40
I
20
身份证电子一升二德s
0
0.1
1
10
A
100
男，频率（KHz ）
图。 1
- 典型负载电流与频率的关系
（负载电流= I
RMS
基本）
1000
1000
100
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
I
C
，集电极 - 发射极电流（A ）
100
T
J
= 150
o
C
10
10
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
V
GE
= 15V
20μs的脉冲宽度
1
10
T
J
= 25
o
C
1
0.1
1
5
6
7
V
CC
= 50V
5μs脉宽
8
9
10
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图。 2
- 典型的输出特性
图。 3
- 典型的传输特性
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3
IRG4BAC50S
80
L IM IT E D B Y形P A C K A G ê
V
摹ê
= 1 5V
2.2
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
V
GE
= 15V
80我们脉宽
I
C
= 82 A
马克西姆嗯D C集电极C光凭目前（ A）
2.0
60
1.8
1.6
40
1.4
I
C
= 41 A
I
C
=20.5 A
20
1.2
1.0
0
25
50
75
100
125
150
0.8
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
T
C
，C ASE tem温度（ ° C）
T
J
，结温（
°
C)
图。 4
- 最大集电极电流和案例
温度
图。五
- 典型的集电极 - 发射极电压
- 结温
1
热响应（Z
thJC
)
0.50
0.20
0.1
0.10
0.05
0.02
0.01
单脉冲
（热反应）
P
DM
t
1
t
2
注意事项：
1.负载因数D = T
1
/ t
2
2.峰值牛逼
J
= P
DM
X Z
thJC
+ T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
0.01
0.001
0.00001
t
1
，矩形脉冲持续时间（秒）
图。 6
- 最大有效瞬态热阻抗，结至外壳
4
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