IXTH200N075T
IXTQ200N075T
符号
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCH
TO-3P
TO-247
0.25
0.21
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25 A
电阻开关时间
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 25 A
R
G
= 5
Ω
（外部）
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
测试条件
特征值
分钟。
70
典型值。
110
6800
1040
190
31
57
54
52
160
35
43
马克斯。
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.35
° C / W
° C / W
° C / W
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
1
2
3
的TO- 247的AD概要
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
V
DS
= 10 V ;我
D
= 60 A，注1
DIM 。
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
V
GS
= 0 V
脉冲宽度限制T
JM
I
F
= 25 A，V
GS
= 0 V ，注1
I
F
= 25 A， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 40 V, V
GS
= 0 V
50
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
200
540
1.0
A
A
V
ns
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
TO- 3P （ IXTQ ）大纲
注：1 。
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %;
2.在通孔封装，R
DS （ ON）
开尔文测试接触
位置必须是等于或小于5mm的封装体。
引脚：
PRELIMINARYTECHNICALINFORMATION
本文中所呈现的产品正在开发中。技术规格
提供的是从过程中的初步目标刻画收集的数据导出
工程地段;而且还可能含有预期间提供了一些资料
产品设计评估。 IXYS保留更改限制，试验条件的权利，
和尺寸，恕不另行通知。
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 ， TAB - 漏
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6771478 B2
7,005,734 B2
7,063,975 B2
7,071,537
IXTH200N075T
IXTQ200N075T
图。 1.输出特性
@ 25C
200
180
160
140
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
350
300
250
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25C
I
D
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
5V
6V
I
D
- 安培
200
150
100
50
5V
0
0
1
2
3
4
5
6
6V
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 150C
200
180
160
140
V
GS
= 10V
9V
8V
7V
2.6
2.4
2.2
图。 4.
DS （ ON）
归到我
D
= 100A的价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS （ ON）
- 归
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
I
D
= 200A
I
D
= 100A
I
D
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
5V
6V
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.
DS （ ON）
归到我
D
= 100A的价值
与漏电流
2.6
2.4
2.2
T
J
= 175C
120
100
V
GS
= 10V
15V
- - - -
140
图。 6.漏电流与外壳温度
对于外部引线电流限制TO-263 （ 7引脚）
R
DS （ ON）
- 归
I
D
- 安培
2
1.8
1.6
1.4
80
为TO-3P ， TO-220， & TO-263的外部引线电流限制
60
40
1.2
1
0.8
0
50
100
150
200
250
T
J
= 25C
20
0
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2006 IXYS公司所有权利
IXTH200N075T
IXTQ200N075T
图。 13. Resistiv e打开通
上升时间与结温
65
60
55
R
G
= 5
Ω
V
GS
= 10V
V
DS
= 38V
70
65
60
T
J
= 25C
R
G
= 5
Ω
V
GS
= 10V
V
DS
= 38V
图。 14.电阻导通
上升时间与漏极电流
t
r
- 纳秒
50
45
40
35
30
25
20
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
I
D
= 25A
I
D
= 50A
t
r
- 纳秒
55
50
45
40
35
30
25
20
25
30
35
40
45
50
T
J
= 125C
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15. Resistiv e打开通
开关时间与栅极电阻
130
120
110
100
60
58
57
56
图。 16.电阻关断
开关时间与结温
95
90
I
D
= 25A
85
80
75
I
D
= 50A
70
65
60
57
54
t
r
V
DS
= 38V
t
D（上）
- - - -
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
t
t
t
f
- 纳秒
55
54
53
52
51
50
49
48
25
35
45
55
65
75
85
95
105 115
（O N）
- 纳秒
51
48
45
42
I
D
= 50A
39
36
I
D
= 25A
33
30
27
4
6
8
10
12
14
16
18
20
（O F F ）
- 纳秒
t
r
- 纳秒
90
80
70
60
50
40
30
20
t
f
t
D（关闭）
- - - -
R
G
= 5
Ω
, V
GS
= 10V
V
DS
= 38V
55
50
45
125
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17. Resistiv e打开关闭
开关时间V秒。漏电流
58
57
56
55
T
J
= 125C
95
90
85
150
170
图。 18.电阻关断
开关时间V秒。栅极电阻
300
t
f
V
DS
= 38V
t
D（关闭）
- - - -
260
T
J
= 125°C ，V
GS
= 10V
t
t
t
f
V
DS
= 38V
t
D（关闭）
- - - -
D（关闭）
80
75
70
65
60
T
J
= 25C
55
50
45
（O F F ）
- 纳秒
t
f
- 纳秒
R
G
= 5
Ω
, V
GS
= 10V
54
53
52
51
50
49
48
25
30
35
40
45
50
t
f
- 纳秒
130
I
D
= 25A
220
- 纳秒
110
180
90
I
D
= 50A
70
140
100
50
4
6
8
10
12
14
16
18
20
60
I
D
- 安培
2006 IXYS公司所有权利
R
G
- 欧姆
IXYS REF ： T_200N075T （ 5V ） 6-20-06.xls
QQ：2881677436 复制
