IDT71V30S/L
高速1K ×8双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
描述
该IDT71V30是一种高速1K ×8双端口静态RAM 。该
IDT71V30被设计为用作一个独立的8位双端口
SRAM 。
这两款器件提供单独的控制两个独立的端口，
地址，和I / O引脚，其允许独立的，异步访问
用于读或写操作的任何位置在存储器中。自动功率
断特性，通过控制
CE，
允许在每个芯片的电路
端口进入一个极低的待机功耗模式。
采用IDT的CMOS高性能技术制造，这些
设备通常对功耗仅为375MW运行。低功率（L ）
版本提供电池备份的数据保持能力，每个双核
端口通常由2V电池消耗200μW 。
该IDT71V30设备均采用64引脚STQFPs 。
销刀豆网络gurations
(1,2,3)
N / C
N / C
N / C
INT
L
忙
L
读/写
L
CE
L
V
CC
V
CC
CE
R
读/写
R
忙
R
INT
R
N / C
N / C
N / C
指数
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
OE
L
A
0L
A
1L
A
2L
A
3L
A
4L
A
5L
A
6L
N / C
A
7L
A
8L
A
9L
N / C
I / O
0L
I / O
1L
I / O
2L
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
IDT71V30TF
PP64-1
(4)
64引脚STQFP
顶视图
(5)
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
OE
R
A
0R
A
1R
A
2R
A
3R
A
4R
A
5R
A
6R
N / C
A
7R
A
8R
A
9R
N / C
N / C
I / O
7R
I / O
6R
3741 DRW 03
,
注意事项：
1.所有V
CC
引脚都必须连接到电源。
2.所有GND引脚都必须连接到接地电源。
3.包体约为10x10公厘X 1.4毫米。
4.这个包的代码来引用该包图。
5.本文不表示实际的部分标记的方向。
I / O
3L
N / C
I / O
4L
I / O
5L
I / O
6L
I / O
7L
N / C
GND
GND
I / O
0R
I / O
1R
I / O
2R
I / O
3R
N / C
I / O
4R
I / O
5R
6.42
2
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
IDT71V30S/L
高速1K ×8双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
(2)
T
BIAS
T
英镑
I
OUT
等级
端电压
相对于GND
温度
在偏置
存储
温度
DC输出
当前
Com'l &工业
-0.5至4.60
-55到+125
-65到+150
50
单位
V
o
推荐
直流工作条件
符号
V
CC
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
3.0
0
2.0
-0.3
(1)
典型值。
3.3
0
____
马克斯。
3.6
0
V
CC
+
0.3V
0.8
单位
V
V
V
V
3741 TBL 02
C
C
GND
V
IH
V
IL
o
____
mA
3741 TBL 01
注意：
1. V
IL
（分钟） = -1.5V脉冲宽度小于20ns 。
注意事项：
1.强调超过绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值
并且该设备在这些或以上的任何其他条件的功能操作
那些在规范的业务部门所标明的是不是暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下工作会
影响可靠性。
2. V
TERM
不得超过VCC + 0.3V为周期时间为10ns或25％以上
最大，并且被限制为< 20毫安为Ⅴ的周期
TERM
> VCC + 0.3V 。
最大工作
温度和电源电压
(1,2)
GRADE
广告
产业
环境
温度
0
O
C至+70
O
C
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
0V
VCC
3.3V
+
0.3
3.3V
+
0.3
3741 TBL 03
电容
(1)
(T
A
= +25
O
C,
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
产量
电容
V
IN
= 3DV
f=1.0MHz)
马克斯。
9
10
单位
pF
pF
3741 TBL 04
条件
(2)
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
2，工业级温度：特定速度，包和权力，
请联系您的销售办事处。
V
OUT
= 3DV
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
DC电气特性在
工作温度和电源电压范围
符号
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
注意：
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
71V30L
分钟。
___
71V30S
参数
输入漏
当前
(1)
输出漏
当前
输出低电压
（ I / O
0
-I / O
7
)
输出高电压
测试条件
V
CC
= 3.6V,
V
IN
= 0V至V
CC
CE
= V
IH
,
V
OUT
= 0V至V
CC
I
OL
= 4毫安
I
OH
= -4mA
分钟。
___
马克斯。
10
10
0.4
___
马克斯。
5
5
0.4
___
单位
A
A
V
V
3741 TBL 05
___
___
___
___
2.4
2.4
1.在Vcc ＆ LT ; 2.0V输入泄漏是不确定的。
供应CurrentV
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或< 0.2V
3
6.42
IDT71V30S/L
高速1K ×8双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
DC电气特性在工作
温度和电源电压范围
(1,6,7)
(V
CC
= 3.3V ± 0.3V)
71V30X25
Com'l只有
符号
I
CC
参数
动态工作电流
（两个端口均有效）
测试条件
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
输出禁用
f = f
最大
(3)
VERSION
Com'l
IND
I
SB1
待机电流
（这两个港口 - TTL电平
输入）
CE
L
和
CE
R
= V
IL
,
f = f
最大
(3)
Com'l
IND
I
SB2
待机电流
（单端口 - TTL电平
输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
= V
IL
和CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
= V
IH
(5)
活动端口输出禁用，
f=f
最大
(3)
Com'l
IND
I
SB3
全待机电流（两个
CE
L
和CE
R
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
端口 - CMOS电平输入）V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或
V
IN
＆ LT ; 0.2V ， F = 0
(4)
Com'l
IND
I
SB4
全待机电流
（单端口 - CMOS
电平输入）
CE
＆ QUOT ; A＆ QUOT ;
＆ LT ; 0.2V和
CE
＆ QUOT ; B＆ QUOT ;
＆ GT ; V
CC
- 0.2V
(5)
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
活动端口输出禁用
f=f
最大
(3)
Com'l
IND
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
S
L
典型值。
(2)
75
75
___
___
71V30X35
Com'l只有
典型值。
(2)
75
75
___
___
71V30X55
Com'l只有
典型值。
(2)
75
75
___
___
马克斯。
150
120
___
___
马克斯。
145
115
___
___
马克斯。
135
105
___
___
单位
mA
20
20
___
___
50
35
___
___
20
20
___
___
50
35
___
___
20
20
___
___
50
35
___
___
mA
30
30
___
___
105
75
___
___
30
30
___
___
100
70
___
___
30
30
___
___
90
60
___
___
mA
1.0
0.2
___
___
5.0
3.0
___
___
1.0
0.2
___
___
5.0
3.0
___
___
1.0
0.2
___
___
5.0
3.0
___
___
mA
30
30
___
___
90
75
___
___
30
30
___
___
85
70
___
___
30
30
___
___
75
60
___
___
mA
3741 TBL 06
注意事项：
部分1号“X”表示额定功率（S或L ）
2. V
CC
= 3.3V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。我
CCDC
= 70毫安（典型值）。
3.在f = F
最大
,
地址和控制线（除输出使能）被循环以1 /吨的最高频率的读周期
RC 。
4， F = 0表示无地址或控制线变化。
5.端口"A"可能是左或右端口。港口"B"从口"A"相反。
6.请参阅芯片启动真值表I.
7.工业级温度：特定速度，包和权力联系您的销售办事处。
数据保持特性
符号
V
DR
I
CCDR
参数
V
CC
数据保留
数据保持电流
（只有L型）
71V30L
测试条件
分钟。
2.0
IND 。
____
典型值。
(1)
____
马克斯。
____
单位
V
A
____
____
V
CC
= 2
V,
CE
＆ GT ; V
CC
-0.2V
t
CDR
(3)
t
R
(3)
芯片取消到数据保留时间
手术恢复时间
V
IN
＆ GT ; V
CC
-0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V
Com'l 。
____
100
____
1500
____
0
t
RC
(2)
ns
ns
3741 TBL 07
____
____
注意事项：
1. V
CC
= 2V ，T
A
= + 25°C ，而不是生产测试。
2. t
RC
=读周期时间。
3.此参数由器件特性保证，但未经生产测试。
6.42
4
IDT71V30S/L
高速1K ×8双端口静态RAM与中断
工业和商业温度范围
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升/下降时间
输入定时基准水平
输出参考电平
输出负载
GND到3.0V
为3ns最大。
1.5V
1.5V
图1和图2
3741 TBL 08
数据保存波形
数据保持方式
V
DR
≥
2.0V
V
CC
3.0V
t
CDR
3.0V
t
R
CE
V
IH
V
DR
V
IH
3741 DRW 04
,
3.3V
590
数据
OUT
忙
INT
435
数据
OUT
30pF
435
3.3V
590
5pF
3741 DRW 05
图1. AC输出负载测试
图2.输出负载测试
（对于T
HZ
, t
LZ
, t
WZ
和T
OW
)
*包括范围和夹具。
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
(3,4)
71V30X25
Com'l只有
符号
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
AOE
t
OH
t
LZ
t
HZ
t
PU
t
PD
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出启用访问时间
从地址变更输出保持
输出低-Z时间
(1,2)
输出高阻时间
(1,2)
芯片使能上电时间
(2)
芯片禁用断电时间
(2)
25
____
____
71V30X35
Com'l只有
分钟。
马克斯。
71V30X55
Com'l只有
分钟。
马克斯。
单位
参数
分钟。
马克斯。
35
____
____
55
____
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
3741 TBL 09
25
25
12
____
35
35
20
____
55
55
25
____
____
____
____
____
____
____
3
0
____
3
0
____
3
0
____
____
____
____
12
____
15
____
30
____
0
____
0
____
0
____
50
50
50
注意事项：
1.转换测量0mV从低或高阻抗电压与输出负载测试（图2 ） 。
2.这个参数是由设备特性保证，但未经生产测试。
部分3号“X”表示额定功率（S或L ） 。
4，工业级温度：特定速度，包和电源接洽您的销售办事处。
5
6.42
QQ：2880707522 复制
