【初步技术信息高压功率MOSFET（电气绝缘标签）IXTF1N450VDSSID25RDS （ ON）】,IC型号IXTF1N450,IXTF1N450 PDF资料,IXTF1N450经销商,ic,电子元器件-51电子网

初步技术信息

高压

功率MOSFET

（电气绝缘标签）

IXTF1N450

DSS

D25

DS （ ON）

= 4500V

= 0.9A

≤

95Ω

N沟道增强模式

ISOPLUS 6-14朴

符号

DSS

DGR

GSS

GSM

D25

英镑

出售

ISOL

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25° C到150° C，R

= 1MΩ

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

最大额定值

4500

±20

±30

0.9

3.0

165

- 55 ... +150

150

- 55 ... +150

°C

N /磅。

孤立的标签

1 - 门

2 =源

5 =漏

特点

硅芯片上直接键合铜

（DCB ）底物

隔离安装面

4500V 电气隔离

成型环氧符合UL 94 V- 0

易燃性分类科幻阳离子

优势

高压封装

易于安装

节省空间

高功率密度

最大无铅焊接温度的

塑料机身10秒

安装力

50 / 60Hz的1分钟

300

260

20..120 / 4.5..27

4500

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

GS （ TH）

GSS

DSS

= V

, I

= 250μA

±20V,

= 0V

= 3.6KV ，V

= 0V

= 4.5KV

= 3.6KV

特征值

分钟。

典型值。马克斯。

3.5

6.0

应用

高压电源

电容器放电应用

脉冲电路

激光和X射线发生系统

±100

μA

注2 ，T

= 100°C

DS （ ON）

= 10V ，我

= 50mA时注1

DS100501B(04/13)

IXTF1N450

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

乡镇卫生院

= 10V, V

= 1kV的，我

= 0.5A

门输入电阻

电阻开关时间

= 10V, V

= 500V ，我

= 0.5A

= 10Ω （外部）

= 0V, V

= 25V ， F = 1MHz的

= 50V ，我

=的200mA， 1注

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

0.28

0.46

1730

127

0.15

0.77

° C / W

针

门

索里

漏

隔离

ISOPLUS 6-14朴

（ HV ）大纲

源极 - 漏极二极管

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

= 0V

重复，脉冲宽度为T有限公司

= 1A ，V

= 0V ，说明1

= 1A ， -di / DT = 50A / μs的，V

= 100V

1.75

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

2.0

μs

注意事项：

1.脉冲检验，t

≤

300μS ，占空比D

≤

2%.

2.部分必须heatsunk的高温我

DSS

测量。

初步技术信息

本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生

从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还

包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利

更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT覆盖

4,835,592

由一个或moreof以下美国专利： 4860072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1

6,534,343

6,583,505

6,683,344

6,727,585

7,005,734 B2

6,710,405 B2 6,759,692

7,063,975 B2

6,710,463

6,771,478 B2 7,071,537

7,157,338B2

IXTF1N450

图。 1.输出特性@ T

= 25C

1.0

0.9

0.8

0.7

= 10V

1.2

= 10V

图。 2.扩展的输出特性@ T

= 25C

1.0

- 安培

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.8

0.6

0.4

0.2

0.1

0.0

6.5V

100

150

200

250

300

- 伏特

图。 3.输出特性@ T

= 125C

1.0

0.9

0.8

0.7

= 10V

2.2

2.6

图。 4.

DS （ ON）

归到我

= 0.5A与价值

结温

= 10V

DS （ ON）

- 归

- 安培

1.8

= 1A

= 0.5A

0.6

0.5

0.4

0.3

0.2

0.1

0.0

100

120

140

160

1.4

1.0

0.6

0.2

-50

-25

100

125

150

- 伏特

- 摄氏

图。 5.

DS （ ON）

归到我

= 0.5A与价值

漏电流

2.2

= 10V

2.0

= 125C

0.8

1.0

图。 6，最大漏极电流与

外壳温度

DS （ ON）

- 归

1.8

- 安培

= 25C

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

1.2

1.6

1.4

0.6

0.4

1.2

0.2

1.0

0.8

0.0

-50

-25

100

125

150

- 安培

- 摄氏

IXTF1N450

图。 7.输入导纳

0.7

1.2

= - 40C

1.0

图。 8.跨导

0.6

0.5

0.4

= 125C

0.3

25C

- 40C

0.2

F小号

- 西门子

- 安培

0.8

25C

125C

0.6

0.4

0.1

0.2

4.0

4.5

5.0

5.5

6.0

6.5

7.0

7.5

0.0

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

- 伏特

- 安培

图。征二极管9.正向电压降

3.0

2.5

= 1000V

= 500毫安

= 1毫安

图。 10.栅极电荷

- 安培

2.0

1.5

= 125C

- 伏特

= 25C

1.0

0.5

0.0

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

1.1

- 伏特

- nanocoulombs

图。 11.电容

10,000

10.00

图。 12.正向偏置安全工作区

= 1兆赫

DS （ ON）

极限

电容 - 皮法

25s

1,000

西塞

1.00

100s

1ms

100

科斯

- 安培

0.10

= 150C

10ms

CRSS

0.01

100

= 25C

单脉冲

1,000

10,000

- 伏特

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXTF1N450

图。 13.最大瞬态热阻抗

（日） JC

- C / W

0.1

0.01

0.0001

0.001

0.01

0.1

100

脉冲宽度 - 秒

IXYS REF ： T_1N450 （ H7 ） 12年10月9日

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