【PD - 94428汽车MOSFET典型应用●●●●IRF2805SIRF2805LHEXFET功率】,IC型号IRF2805S,IRF2805S PDF资料,IRF2805S经销商,ic,电子元器件-51电子网

PD - 94428

汽车MOSFET

典型应用

●

IRF2805S

IRF2805L

HEXFET

功率MOSFET

D

气候控制

ABS

电子制动

挡风玻璃雨刷器

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

特点

●

V

DSS

= 55V

G

S

R

DS （ ON）

= 4.7m

I

D

= 135AV

描述

专为汽车应用，这

HEXFET功率MOSFET采用了最新的处理

技术，以实现极低的导通电阻元

硅片面积。这款产品的附加功能是175℃

结的工作温度，快速开关速度和

改进型重复雪崩额定值。这些功能的COM

茎，使这个设计的一个非常有效和可靠

装置，用于在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

D

2

PAK

IRF2805S

TO-262

IRF2805L

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

E

AS

（ 6西格玛）

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

Q

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩EnergyR

单脉冲雪崩能量测试ValueX

雪崩CurrentQ

重复性雪崩EnergyW

峰值二极管恢复的dv / dt

S

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

135V

96V

700

200

1.3

± 20

380

1220

看到图12a ， 12b中，15，16

2.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境

（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

0.75

40

单位

° C / W

HEXFET （R）是国际整流器公司的注册商标。

www.irf.com

1

06/10/02

IRF2805S/IRF2805L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

g

fs

正向跨导

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

U

分钟。

55

–––

2.0

91

–––

典型值。

–––

0.06

3.9

–––

150

38

52

14

120

68

110

4.5

7.5

5110

1190

210

6470

860

1600

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

4.7

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 104A

T

4.0

V

DS

= 10V ，我

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 104A

20

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

200

V

GS

= 20V

nA

-200

V

GS

= -20V

230

I

D

= 104A

57

NC V

DS

= 44V

78

V

GS

= 10VT

–––

V

DD

= 28V

–––

I

D

= 104A

ns

–––

R

G

= 2.5

–––

V

GS

= 10V

T

D

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

而中心的模具接触

S

–––

V

GS

= 0V

–––

pF的V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。五

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 44V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至44V

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

Q

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 175V

展示

A

G

整体反转

––– ––– 700

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 104A ，V

GS

= 0V ？吨

––– 80 120

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 104A

––– 290 430

NC的di / dt = 100A / μs的

T

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

Q

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

R

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.08mH

R

G

= 25, I

AS

= 104A 。（参见图12）。

S

I

SD

≤

104A ， di / dt的

≤

240A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

T

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

U

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

.

V

基于最大允许计算出的连续电流

结温。套餐限制电流为75A 。

W

限制T

JMAX

，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复

雪崩性能。

X

从样品失效人口这个值来决定。 100 ％

测试，在生产该值。

2

www.irf.com

IRF2805S/IRF2805L

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

4.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

4.5V

10

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

10

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

T J = 25°C

I

D

= 175A

A)

2.5

ID ，漏 - 源电流

T J = 175℃

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

2.0

100

（归一化）

1.5

1.0

10

4.0

5.0

6.0

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

7.0

8.0

9.0

10.0

0.5

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

GS

= 10V

100 120 140 160

180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温

(

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

www.irf.com

3

IRF2805S/IRF2805L

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

国际空间站

= C GS + C GD ，C DS

短

CRSS

科斯

= C

gd

=C + C

ds

gd

20

ID = 104A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VDS = 44V

VDS = 28V

8000

16

C，电容（pF ）

6000

12

西塞

4000

8

2000

4

科斯

0

1

10

CRSS

100

0

40

80

120

160

200

240

Q g总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

T J = 175℃

100.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

10.0

100

100sec

1msec

1.0

T J = 25°C

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

10msec

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VGS = 0V

1.4

1.6

1.8

1

100

1000

VSD ，源toDrain电压（ V）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF2805S/IRF2805L

140

不限按包

120

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

-

V

DD

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

1

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.0001

0.001

0.01

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.1

1

P

DM

t

1

t

2

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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5

PD - 94428

汽车MOSFET

典型应用

●

IRF2805S

IRF2805L

HEXFET

功率MOSFET

D

气候控制

ABS

电子制动

挡风玻璃雨刷器

先进的工艺技术

超低导通电阻

175 ° C工作温度

快速开关

重复性雪崩中允许多达TJMAX

特点

●

V

DSS

= 55V

G

S

R

DS （ ON）

= 4.7m

I

D

= 135AV

描述

专为汽车应用，这

HEXFET功率MOSFET采用了最新的处理

技术，以实现极低的导通电阻元

硅片面积。这款产品的附加功能是175℃

结的工作温度，快速开关速度和

改进型重复雪崩额定值。这些功能的COM

茎，使这个设计的一个非常有效和可靠

装置，用于在汽车应用中使用，各种

的其他应用程序。

D

2

PAK

IRF2805S

TO-262

IRF2805L

绝对最大额定值

参数

I

D

@ T

C

= 25°C

I

D

@ T

C

= 100°C

I

DM

P

D

@T

C

= 25°C

V

GS

E

AS

E

AS

（ 6西格玛）

I

AR

E

AR

dv / dt的

T

J

T

英镑

连续漏电流， V

GS

@ 10V

连续漏电流， V

GS

@ 10V

漏电流脉冲

Q

功耗

线性降额因子

栅极 - 源极电压

单脉冲雪崩EnergyR

单脉冲雪崩能量测试ValueX

雪崩CurrentQ

重复性雪崩EnergyW

峰值二极管恢复的dv / dt

S

工作结

存储温度范围

焊接温度，持续10秒

马克斯。

135V

96V

700

200

1.3

± 20

380

1220

看到图12a ， 12b中，15，16

2.0

-55 + 175

300 （ 1.6毫米从案例）

单位

A

W

W / ℃，

V

mJ

A

mJ

V / ns的

°C

热阻

参数

R

θJC

R

θJA

结到外壳

结到环境

（ PCB安装，稳态） **

典型值。

–––

马克斯。

0.75

40

单位

° C / W

HEXFET （R）是国际整流器公司的注册商标。

www.irf.com

1

06/10/02

IRF2805S/IRF2805L

电气特性@ T

J

= 25 ℃（除非另有规定）

参数

V

（ BR ） DSS

漏极至源极击穿电压

V

（ BR ） DSS

/T

J

击穿电压温度。系数

R

DS （ ON）

静态漏 - 源极导通电阻

V

GS （ TH）

栅极阈值电压

g

fs

正向跨导

I

DSS

I

GSS

Q

g

Q

gs

Q

gd

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

L

D

L

S

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

C

OSS

C

OSS

C

OSS

EFF 。

漏极至源极漏电流

栅 - 源正向漏

栅 - 源反向漏

总栅极电荷

栅极 - 源极充电

栅极 - 漏极（ "Miller" ）充电

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

内部排水电感

内部源极电感

输入电容

输出电容

反向传输电容

输出电容

有效输出电容

U

分钟。

55

–––

2.0

91

–––

典型值。

–––

0.06

3.9

–––

150

38

52

14

120

68

110

4.5

7.5

5110

1190

210

6470

860

1600

MAX 。单位

条件

–––

V

GS

= 0V时，我

D

= 250A

--- V / ° C参考到25° C，I

D

= 1毫安

4.7

毫欧V

GS

= 10V ，我

D

= 104A

T

4.0

V

DS

= 10V ，我

D

= 250A

–––

S

V

DS

= 25V ，我

D

= 104A

20

V

DS

= 55V, V

GS

= 0V

A

250

V

DS

= 44V, V

GS

= 0V ，T

J

= 150°C

200

V

GS

= 20V

nA

-200

V

GS

= -20V

230

I

D

= 104A

57

NC V

DS

= 44V

78

V

GS

= 10VT

–––

V

DD

= 28V

–––

I

D

= 104A

ns

–––

R

G

= 2.5

–––

V

GS

= 10V

T

D

铅之间，

–––

6毫米（0.25英寸）。

nH

G

从包

–––

而中心的模具接触

S

–––

V

GS

= 0V

–––

pF的V

DS

= 25V

–––

= 1.0MHz的，见图。五

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 1.0V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 44V ， = 1.0MHz的

–––

V

GS

= 0V, V

DS

= 0V至44V

源极 - 漏极额定值和特性

I

S

I

SM

V

SD

t

rr

Q

rr

t

on

参数

连续源电流

（体二极管）

脉冲源电流

（体二极管）

Q

二极管的正向电压

反向恢复时间

反向恢复电荷

向前开启时间

分钟。典型值。马克斯。单位

条件

D

MOSFET符号

––– ––– 175V

展示

A

G

整体反转

––– ––– 700

S

p-n结二极管。

––– ––– 1.3

V

T

J

= 25 ° C，I

S

= 104A ，V

GS

= 0V ？吨

––– 80 120

ns

T

J

= 25 ° C，I

F

= 104A

––– 290 430

NC的di / dt = 100A / μs的

T

固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主

S

+L

D

)

注意事项：

Q

重复评价;脉冲宽度有限的

最大。结温。（见图11）。

R

起始物为

J

= 25℃时，L = 0.08mH

R

G

= 25, I

AS

= 104A 。（参见图12）。

S

I

SD

≤

104A ， di / dt的

≤

240A / μs的，V

DD

≤

V

（ BR ） DSS

,

T

J

≤

175°C

T

脉冲宽度

≤

400μS ;占空比

≤

2%.

U

C

OSS

EFF 。是一个固定的电容，赋予相同的充电时间

为C

OSS

而V

DS

上升，从0至80 ％的V

DSS

.

V

基于最大允许计算出的连续电流

结温。套餐限制电流为75A 。

W

限制T

JMAX

，参见图12a和12b ，15，16为典型的重复

雪崩性能。

X

从样品失效人口这个值来决定。 100 ％

测试，在生产该值。

2

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IRF2805S/IRF2805L

1000

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

1000

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

100

4.5V

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

VGS

15V

10V

8.0V

7.0V

6.0V

5.5V

5.0V

BOTTOM 4.5V

顶部

100

4.5V

10

20μs的脉冲宽度

TJ = 25°C

1

0.1

1

10

100

10

0.1

1

20μs的脉冲宽度

TJ = 175℃

10

100

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图1 。

典型的输出特性

图2 。

典型的输出特性

1000

3.0

T J = 25°C

I

D

= 175A

A)

2.5

ID ，漏 - 源电流

T J = 175℃

R

DS （ ON）

，漏极 - 源极导通电阻

2.0

100

（归一化）

1.5

1.0

10

4.0

5.0

6.0

VDS = 25V

20μs的脉冲宽度

7.0

8.0

9.0

10.0

0.5

0.0

-60

-40

-20

0

20

40

60

80

V

GS

= 10V

100 120 140 160

180

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

T

J

，结温

(

°

C)

图3 。

典型的传输特性

图4 。

归一化的导通电阻

与温度的关系

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IRF2805S/IRF2805L

10000

VGS = 0V，

F = 1 MHz的

国际空间站

= C GS + C GD ，C DS

短

CRSS

科斯

= C

gd

=C + C

ds

gd

20

ID = 104A

VGS ，栅 - 源极电压（ V）

VDS = 44V

VDS = 28V

8000

16

C，电容（pF ）

6000

12

西塞

4000

8

2000

4

科斯

0

1

10

CRSS

100

0

40

80

120

160

200

240

Q g总栅极电荷（ NC）

VDS ，漏极至源极电压（ V）

图5 。

典型的电容比。

漏极至源极电压

图6 。

典型栅极电荷比。

栅极 - 源极电压

1000.0

10000

在这一领域

限制根据RDS （ ON）

ISD ，反向漏电流（ A）

T J = 175℃

100.0

ID ，漏极 - 源极电流（A ）

1000

10.0

100

100sec

1msec

1.0

T J = 25°C

10

TC = 25°C

TJ = 175℃

单脉冲

1

10

10msec

0.1

0.2

0.4

0.6

0.8

1.0

1.2

VGS = 0V

1.4

1.6

1.8

1

100

1000

VSD ，源toDrain电压（ V）

VDS ，漏toSource电压（V ）

图7 。

典型的源极 - 漏极二极管

正向电压

图8 。

最大安全工作区

4

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IRF2805S/IRF2805L

140

不限按包

120

V

DS

V

GS

R

G

R

D

D.U.T.

+

I

D

，漏电流（ A）

100

80

60

40

20

0

25

50

75

100

125

150

175

-

V

DD

10V

脉冲宽度

≤ 1

s

占空比

≤ 0.1 %

图10A 。

开关时间测试电路

V

DS

90%

T

C

，外壳温度（ ° C）

10%

V

GS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

图9 。

最大漏极电流比。

外壳温度

图10B 。

开关时间波形

1

热响应（Z

thJC

)

D = 0.50

0.20

0.1

0.10

0.05

0.02

0.01

单脉冲

（热反应）

0.0001

0.001

0.01

0.00001

注意事项：

1.负载因数D = T

1

/ t

2

2.峰值牛逼

J

= P

DM

X Z

thJC

+ T

C

0.1

1

P

DM

t

1

t

2

t

1

，矩形脉冲持续时间（秒）

图11 。

最大有效瞬态热阻抗，结至外壳

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