IXTY1R6N50D2 IXTA1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
V
GS
= 5V, V
DS
= 250V ，我
D
= 0.8A
电阻开关时间
V
GS
=
±5V,
V
DS
= 250V ，我
D
= 0.8A
R
G
= 5Ω （外部）
V
GS
= -10V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 30V ，我
D
= 0.8A ，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
1.00
1.75
645
65
16.5
25
70
35
41
23.7
2.2
13.8
0.50
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
1.25
° C / W
° C / W
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
底侧
TO- 252 AA （ IXTY ）大纲
英寸
分钟。
马克斯。
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
安全工作，规范区
符号
SOA
测试条件
V
DS
= 400V ，我
D
= 0.15A ，T
C
= 75 ° C， TP = 5S
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
60
W
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64
0.89
2.54
1.02
1.27
2.92
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
I
F
= 1.6A ，V
GS
= -10V ，注1
I
F
= 1.6A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= -10V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
0.8
400
9.16
1.83
1.3
V
ns
A
μC
L1
L2
L3
TO- 220 （ IXTP ）大纲
注1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
TO- 263 （ IXTA ）大纲
DIM 。
A
b
b2
c
c2
D
D1
E
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
E1
e
L
L1
L2
L3
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
0.51
1.14
0.40
1.14
8.64
8.00
9.65
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
4.83
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.89
10.41
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
英寸
分钟。马克斯。
.160
.020
.045
.016
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
.190
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTY1R6N50D2 IXTA1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
1.6
1.4
1.2
V
GS
= 5V
3V
2V
1V
10
9
8
7
2V
1V
V
GS
= 5V
3V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
1.0
0V
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-2V
-1V
6
5
4
3
2
1
0
0
5
10
15
20
0V
-1V
-2V
25
30
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 125C
1.6
1.4
1.2
V
GS
= 5V
2V
1V
0V
-1V
1E-02
1E+00
图。 4.漏电流@ T
J
= 25C
V
GS
= - 2.25V
- 2.50V
1E-01
- 2.75V
- 3.00V
I
D
- 安培
0.8
0.6
0.4
0.2
-3V
0.0
0
1
2
3
4
5
6
-2V
I
D
- 安培
1.0
- 3.25V
1E-03
- 3.50V
1E-04
- 3.75V
1E-05
- 4.00V
1E-06
0
100
200
300
400
500
600
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 5.漏电流@ T
J
= 100C
1.E+00
1.E+08
图。 6.动态电阻与栅极电压
V
DS
= 350V - 100V
1.E+07
V
GS
= -2.50V
-2.75V
-3.00V
1.E-01
I
D
- 安培
-3.25V
1.E-02
R
O
- 欧姆
1.E+06
T
J
= 25C
1.E+05
-3.50V
T
J
= 100C
1.E-03
-3.75V
1.E+04
-4.00V
1.E-04
1.E+03
0
100
200
300
400
500
600
-4.2
-4.0
-3.8
-3.6
-3.4
-3.2
-3.0
-2.8
-2.6
-2.4
-2.2
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
2009 IXYS公司，版权所有
IXTY1R6N50D2 IXTA1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
图。 7.归
DS （ ON）
- 结温
2.6
V
GS
= 0V
2.2
I
D
= 0.8A
3.0
3.5
V
GS
= 0V
5V
- - - -
图。 8以下。R
DS （ ON）
归到我
D
= 0.8A价值
与漏电流
R
DS （ ON）
- 归
1.8
R
DS （ ON）
- 归
2.5
T
J
= 125C
1.4
2.0
1.0
1.5
T
J
= 25C
1.0
0.6
0.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0.5
0
1
2
3
4
5
6
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 9.输入导纳
6
V
DS
= 30V
5
3.0
2.5
3.5
V
DS
= 30V
图。 10.跨导
g
F小号
- 西门子
4
I
D
- 安培
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0
3
T
J
= 125C
25C
- 40C
T
J
= - 40C
25C
125C
2
1
0
-3.5
-3.0
-2.5
-2.0
-1.5
-1.0
-0.5
0.0
0.5
1.0
0
1
2
3
4
5
6
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 11.故障和阈值电压
- 结温
1.3
5
V
GS
= -10V
图。 12.正向电压降
征二极管
BV / V
GS （ OFF ）
- 归
1.2
V
GS （ OFF ）
@ V
DS
= 25V
4
I
S
- 安培
1.1
BV
DSX
@ V
GS
= - 5V
1.0
3
2
T
J
= 125C
T
J
= 25C
0.9
1
0.8
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
T
J
- 摄氏
V
SD
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXTY1R6N50D2 IXTA1R6N50D2
IXTP1R6N50D2
图。 13.电容
10,000
5
图。 14.栅极电荷
4
3
V
DS
= 250V
I
D
= 0.8A
I
G
= 10毫安
f
= 1兆赫
电容 - 皮法
1,000
西塞
2
V
GS
- 伏特
100
科斯
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
0
-1
-2
-3
-4
-5
0
5
10
15
20
25
V
DS
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 15.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 25C
10.0
R
DS （ ON）
极限
100s
10.0
图。 16.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 75C
R
DS （ ON）
极限
25s
100s
I
D
- 安培
1.0
1ms
I
D
- 安培
1.0
1ms
10ms
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
0.1
10.00
10
100
DC
0.1
100ms
T
J
= 150C
T
C
= 75C
单脉冲
1,000
10
100
10ms
DC
100ms
1,000
图。 17.最大瞬态热阻抗
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 17.最大瞬态热阻
2.00
1.00
Z
（日） JC
- C / W
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2009 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： T_1R6N50D2 （ 2C ） 09年8月14日
QQ：2880707522 复制
