【IGBT初步数据表IXGH 20N120 VCESIXGT 20N120我C25VCE （ SAT 】,IC型号IXGH20N120,IXGH20N120 PDF资料,IXGH20N120经销商,ic,电子元器件-51电子网

IGBT

初步数据表

IXGH 20N120 V

CES

IXGT 20N120我

C25

CE （ SAT ）

网络连接（典型值）

= 1200 V

= 40 A

= 2.5 V

= 380纳秒

符号

CES

CGR

GES

创业板

C25

C90

SSOA

（ RBSOA ）

英镑

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 90°C

= 25 ° C， 1毫秒

= 15 V ，T

= 125 ° C，R

= 47

钳位感性负载

= 25°C

最大额定值

1200

±20

±30

= 40

@ 0.8 V

CES

150

-55 ... +150

150

-55 ... +150

300

260

°C

特点

C（ TAB ）

TO- 247 （ IXGH ）

TO- 268 （ IXGT ）

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

最高温度标签焊接

重量

安装扭矩（ TO- 247 ）

TO-247

TO-268

国际

标准套餐

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

JEDEC的TO -247和TO- 268

高电流处理能力

MOS栅极导通

- 驱动器的简单

应用

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

CES

GE （日）

CES

= 1毫安， V

= 0 V

= 250

= V

CES

= 0 V

GES

CE （ SAT ）

= 0 V, V

±20

= I

C90

, V

= 15 V

特征值

分钟。

典型值。

马克斯。

1200

2.5

= 25°C

= 125°C

5.0

250

±100

2.0

2.5

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

直流斩波器

不间断电源（ UPS ）

开关模式和谐振模

电源

电容放电

优势

容易用一颗螺丝安装

降低了装配时间和费用

高功率密度

DS98966 （ 11/02 ）

IXGH 20N120

IXGT 20N120

符号

测试条件

= 25 ° C，除非另有规定编）

IES

OES

水库

C（ ON）

D（上）

D（关闭）

关闭

D（上）

D（关闭）

关闭

thJC

thCK

TO-247

0.25

感性负载，T

= 25°C

= I

C90

, V

= 15 V

= 800 V ，R

= R

关闭

= 47

备注：开关

时

五月

增加V

（钳）＆ GT ; 0.8 V

CES

更高的温度

或加强研究

感性负载，T

= 125°C

= I

C90

, V

= 15 V

= 800 V ，R

= R

关闭

= 47

备注：开关时间可能

增加V

（钳）＆ GT ; 0.8 V

CES

更高的温度

或加强研究

= I

C90

, V

= 15 V, V

= 0.5 V

CES

= 10V, V

= 10V

= 25 V, V

= 0 V ， F = 1兆赫

= I

C90

; V

= 10 V,

脉冲测试，T

≤

300

占空比

≤

2 %

1750

400

380

6.5

0.90

700

550

9.5

0.83

800

700

10.5

K / W

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.7

5.3

2.2

2.54

2.2

2.6

1.0

1.4

1.65

2.13

2.87

3.12

20.80 21.46

15.75 16.26

5.20

5.72

19.81 20.32

4.50

3.55

3.65

5.89

6.40

4.32

5.49

英寸

分钟。马克斯。

.185 .209

.087 .102

.059 .098

.040 .055

.065 .084

.113 .123

.016 .031

.819 .845

.610 .640

0.205 0.225

.780 .800

.177

.140 .144

0.232 0.252

.170 .216

特征值

分钟。典型值。马克斯。

TO-247

的TO- 247概要

TO- 268外形

分钟。推荐足迹

（尺寸以英寸毫米）

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

6,306,728B1

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1344

TO-247

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23000

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全新原装正品/质量有保证

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IXGH20N120

IXYS

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IXYS

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