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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第641页 > IXFV26N60PS
高级技术信息
高级技术信息
PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
快恢复二极管
额定雪崩
IXFH 26N60P
IXFQ 26N60P
IXFT 26N60P
IXFV 26N60P
IXFV 26N60PS
V
DSS
I
D25
=
=
R
DS （ ON）
≤
t
rr
≤
TO- 247 （ IXFH ）
600
V
26
A
270 m
200纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 5
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±30
±40
26
65
26
40
1.2
10
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
G
D
G
D
TO-3P （ IXFQ ）
S
S
D（ TAB ）
TO- 268 （ IXFT ）
G
S
D（ TAB ）
PLUS220 （ IXFV ）
460
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
°C
°C
°C
°C
°C
G
D
S
D（ TAB ）
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑体
安装力矩（ TO- 3P&TO -247 ）
安装力（ PLUS220 ）
TO-3P
TO-248
TO-268
PLUS220 & PLUS220SMD
300
250
PLUS220SMD （ IXFV_S ）
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
11..65/2.5..15
5.5
6.0
5.0
4.0
N /磅
g
g
g
g
G
S
G =门
S =源
D（ TAB ）
D =漏
TAB =漏
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
600
2.5
5.0
±100
25
250
270
V
V
nA
A
A
m
特点
快恢复二极管
非钳位感应开关（ UIS）
评级
国际标准封装
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
DS99435(08/05)
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
版权所有2005 IXYS所有权利
IXFV 26N60P
符号
测试条件
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
16
26
4150
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.27
K / W
K / W
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
400
27
25
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 I
D25
R
G
= 5
（外部）
27
75
21
72
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
27
24
TO-3P ， PLUS220 & TO-247
0.21
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，脉冲测试
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V; V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
26
78
1.5
150
7
0.7
250
A
A
V
ns
A
C
特性曲线
图。 1.输出特性
@ 25
C
60
24
20
V
GS =
10V
7V
54
48
42
V
GS
= 10V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
16
12
8
4
5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
6V
36
30
24
18
12
6V
5V
6
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V
S
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
V
S
- 伏特
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
IXFV 26N60P
图。 3.输出Characte RIS抽动
@ 125
C
3.2
24
20
V
GS
= 10V
7V
2.8
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
图。 4.
DS （上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结TEM PE叉涂抹
V
GS
= 10V
R
S（O N）
- 归
2.4
2
1.6
I
D
= 13A
1.2
0.8
0.4
I
D
- 安培
16
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
6V
I
D
= 26A
5V
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
S
- 伏特
图。 5.
DS （ ON）
规范alized到
0.5 I
D25
价值VS 。我
D
3.2
V
GS
= 10V
2.8
T
J
= 125
∫
C
30
27
24
21
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
特温度
R
S（O N）
- 归
I
D
- 安培
T
J
= 25
∫
C
2.4
18
15
12
9
6
3
2
1.6
1.2
0.8
0
10
20
30
40
50
60
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
图。 7.输入上将ittance
50
45
40
50
45
40
图。 8.跨导
T
J
= -40
∫
C
25
∫
C
125
∫
C
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
35
30
25
20
15
10
5
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
T
J
= 125
∫
C
25
∫
C
-40
∫
C
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
的s
- 伏特
I
D
- 安培
版权所有2005 IXYS所有权利
IXFV 26N60P
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
80
70
60
10
9
8
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
图。 10.栅极电荷
V
DS
= 300V
I
D
= 13A
I
G
= 10毫安
I
S
- 安培
7
V
的s
- 伏特
T
J
= 25
∫
C
0.7
0.8
0.9
1
1.1
50
40
30
20
10
0
0.4
0.5
0.6
T
J
= 125
∫
C
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
S.D。
- 伏特
图。 11.电容
10000
F = 1MHz的
Q
G
- nanocoulombs
电容 - 皮法
国际空间站
1000
OSS
100
RSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
S
- 伏特
图。 12.马克西姆嗯瞬态千卡人抵抗
1.00
R
T H， J·C
-
∫
C / W
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXFV 26N60P
TO- 3P （ IXFQ ）大纲
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
TO- 268 （ IXFT ）大纲
1
2
3
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
PLUS220 （ IXFV ）大纲
E
E1
L2
A
A1
E1
PLUS220SMD （ IXFV_S ）
E
E1
A
A1
L2
E1
D1
D
D
L3
L1
A3
L3
L
L4
L
L1
2个B
e
c
A2
3X B
2个ê
c
A2
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
A
A1
A2
A3
b
c
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
A
A1
A2
b
c
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
4 （ TAB ） - 漏极
版权所有2005 IXYS所有权利
高级技术信息
高级技术信息
PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
快恢复二极管
额定雪崩
IXFH 26N60P
IXFQ 26N60P
IXFT 26N60P
IXFV 26N60P
IXFV 26N60PS
V
DSS
I
D25
=
=
R
DS （ ON）
≤
t
rr
≤
TO- 247 （ IXFH ）
600
V
26
A
270 m
200纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 5
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±30
±40
26
65
26
40
1.2
10
V
V
V
V
A
A
A
mJ
J
V / ns的
G
D
G
D
TO-3P （ IXFQ ）
S
S
D（ TAB ）
TO- 268 （ IXFT ）
G
S
D（ TAB ）
PLUS220 （ IXFV ）
460
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
°C
°C
°C
°C
°C
G
D
S
D（ TAB ）
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑体
安装力矩（ TO- 3P&TO -247 ）
安装力（ PLUS220 ）
TO-3P
TO-248
TO-268
PLUS220 & PLUS220SMD
300
250
PLUS220SMD （ IXFV_S ）
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
11..65/2.5..15
5.5
6.0
5.0
4.0
N /磅
g
g
g
g
G
S
G =门
S =源
D（ TAB ）
D =漏
TAB =漏
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±30
V, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125°C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
600
2.5
5.0
±100
25
250
270
V
V
nA
A
A
m
特点
快恢复二极管
非钳位感应开关（ UIS）
评级
国际标准封装
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
DS99435(08/05)
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
版权所有2005 IXYS所有权利
IXFV 26N60P
符号
测试条件
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
16
26
4150
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.27
K / W
K / W
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 20V;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
400
27
25
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 I
D25
R
G
= 5
（外部）
27
75
21
72
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
27
24
TO-3P ， PLUS220 & TO-247
0.21
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V ，脉冲测试
I
F
= 25A ， -di / DT = 100 A / μs的
V
R
= 100V; V
GS
= 0 V
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
26
78
1.5
150
7
0.7
250
A
A
V
ns
A
C
特性曲线
图。 1.输出特性
@ 25
C
60
24
20
V
GS =
10V
7V
54
48
42
V
GS
= 10V
7V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
16
12
8
4
5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
6V
36
30
24
18
12
6V
5V
6
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
V
S
- 伏特
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
一个或moreof以下美国专利：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
V
S
- 伏特
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
IXFV 26N60P
图。 3.输出Characte RIS抽动
@ 125
C
3.2
24
20
V
GS
= 10V
7V
2.8
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
图。 4.
DS （上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结TEM PE叉涂抹
V
GS
= 10V
R
S（O N）
- 归
2.4
2
1.6
I
D
= 13A
1.2
0.8
0.4
I
D
- 安培
16
12
8
4
0
0
2
4
6
8
10
6V
I
D
= 26A
5V
12
14
16
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
S
- 伏特
图。 5.
DS （ ON）
规范alized到
0.5 I
D25
价值VS 。我
D
3.2
V
GS
= 10V
2.8
T
J
= 125
∫
C
30
27
24
21
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
特温度
R
S（O N）
- 归
I
D
- 安培
T
J
= 25
∫
C
2.4
18
15
12
9
6
3
2
1.6
1.2
0.8
0
10
20
30
40
50
60
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
图。 7.输入上将ittance
50
45
40
50
45
40
图。 8.跨导
T
J
= -40
∫
C
25
∫
C
125
∫
C
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
35
30
25
20
15
10
5
0
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
T
J
= 125
∫
C
25
∫
C
-40
∫
C
35
30
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
的s
- 伏特
I
D
- 安培
版权所有2005 IXYS所有权利
IXFV 26N60P
图。 9.源电流和
源 - 漏电压
80
70
60
10
9
8
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
图。 10.栅极电荷
V
DS
= 300V
I
D
= 13A
I
G
= 10毫安
I
S
- 安培
7
V
的s
- 伏特
T
J
= 25
∫
C
0.7
0.8
0.9
1
1.1
50
40
30
20
10
0
0.4
0.5
0.6
T
J
= 125
∫
C
6
5
4
3
2
1
0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
V
S.D。
- 伏特
图。 11.电容
10000
F = 1MHz的
Q
G
- nanocoulombs
电容 - 皮法
国际空间站
1000
OSS
100
RSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
V
S
- 伏特
图。 12.马克西姆嗯瞬态千卡人抵抗
1.00
R
T H， J·C
-
∫
C / W
0.10
0.01
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXFV 26N60P
TO- 3P （ IXFQ ）大纲
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
IXFH 26N60P IXFQ 26N60P
IXFV 26N60PS IXFT 26N60P
TO- 268 （ IXFT ）大纲
1
2
3
DIM 。
毫米
分钟。
马克斯。
A
4.7
5.3
A
1
2.2
2.54
A
2
2.2
2.6
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
PLUS220 （ IXFV ）大纲
E
E1
L2
A
A1
E1
PLUS220SMD （ IXFV_S ）
E
E1
A
A1
L2
E1
D1
D
D
L3
L1
A3
L3
L
L4
L
L1
2个B
e
c
A2
3X B
2个ê
c
A2
端子： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
标签 - 漏
A
A1
A2
A3
b
c
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
A
A1
A2
b
c
D
D1
E
E1
e
L
L1
L2
L3
终端：
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
4 （ TAB ） - 漏极
版权所有2005 IXYS所有权利
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