IXTY08N100D2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
TO-220
V
GS
= 5V, V
DS
= 500V ，我
D
= 400毫安
电阻开关时间
V
GS
=
±5V,
V
DS
= 500V ，我
D
= 400毫安
R
G
= 10Ω （外部）
V
GS
= -10V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 30V ，我
D
= 400毫安，注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
330
560
325
24
6.5
28
57
34
48
14.6
1.2
8.3
0.50
mS
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
2.08
° C / W
° C / W
A
A1
A2
b
b1
b2
c
c1
DIM 。
IXTA08N100D2
IXTP08N100D2
TO- 252 AA （ IXTY ）大纲
1.门
2.漏
3.源
毫米
分钟。马克斯。
2.19
0.89
0
0.64
0.76
5.21
0.46
0.46
5.97
4.32
6.35
4.32
2.38
1.14
0.13
0.89
1.14
5.46
0.58
0.58
6.22
5.21
6.73
5.21
英寸
分钟。
马克斯。
0.086
0.035
0
0.025
0.030
0.205
0.018
0.018
0.235
0.170
0.250
0.170
0.094
0.045
0.005
0.035
0.045
0.215
0.023
0.023
0.245
0.205
0.265
0.205
安全工作，规范区
符号
SOA
测试条件
V
DS
= 800V ，我
D
= 45毫安，T
C
= 75 ° C， TP = 5S
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
36
W
D
D1
E
E1
e
e1
H
L
2.28 BSC
4.57 BSC
9.40 10.42
0.51 1.02
0.64
0.89
2.54
1.02
1.27
2.92
0.090 BSC
0.180 BSC
0.370
0.020
0.025
0.035
0.100
0.410
0.040
0.040
0.050
0.115
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
V
SD
t
rr
I
RM
Q
RM
I
F
= 800毫安，V
GS
= -10V ，注1
I
F
= 800毫安， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= -10V
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
0.8
1.03
7.40
3.80
1.3
V
μs
A
μC
L1
L2
L3
TO- 220 （ IXTP ）大纲
注1.脉冲检验，t
≤
300μS ，占空比D
≤
2%.
TO- 263 （ IXTA ）大纲
DIM 。
A
b
b2
c
c2
D
D1
E
1.
2.
3.
4.
门
漏
来源
漏
底侧
E1
e
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。
马克斯。
4.06
0.51
1.14
0.40
1.14
8.64
8.00
9.65
6.22
2.54
14.61
2.29
1.02
1.27
0
4.83
0.99
1.40
0.74
1.40
9.65
8.89
10.41
8.13
BSC
15.88
2.79
1.40
1.78
0.13
英寸
分钟。马克斯。
.160
.020
.045
.016
.045
.340
.280
.380
.270
.100
.575
.090
.040
.050
0
.190
.039
.055
.029
.055
.380
.320
.405
.320
BSC
.625
.110
.055
.070
.005
引脚：
1 - GATE
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
初步技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从过程的初步工程很多客观的刻画收集的数据;但也可能还
包含在预生产设计评价提供了一些信息。 IXYS保留权利
更改限制，试验条件和尺寸，恕不另行通知。
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
7,157,338B2
IXTY08N100D2 IXTA08N100D2
IXTP08N100D2
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
0.8
0.7
0.6
V
GS
= 5V
2V
1V
2.2
2.0
1.8
1.6
V
GS
= 5V
2V
1V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
I
D
- 安培
I
D
- 安培
0.5
0.4
0V
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
-1V
0V
-1V
0.3
0.2
0.1
0.0
0
2
4
6
8
10
12
14
-2V
0.4
0.2
0.0
0
10
20
30
40
50
60
70
80
-2V
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 125C
0.8
0.7
0.6
V
GS
= 5V
1V
0V
1E-03
1E-01
图。 4.漏电流@ T
J
= 25C
V
GS
= - 3.00V
- 3.25V
- 3.50V
- 3.75V
- 4.00V
1E-02
I
D
- 安培
I
D
- 安培
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
-1V
1E-04
1E-05
1E-06
- 4.25V
-2V
1E-07
-3V
0.0
0
5
10
15
20
25
30
1E-08
- 4.50V
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 5.漏电流@ T
J
= 100C
1.E-01
1.E+11
图。 6.动态电阻与栅极电压
V
DS
= 700V - 100V
1.E-02
V
GS
= -3.25V
-3.50V
1.E+10
1.E+09
I
D
- 安培
1.E-03
-3.75V
-4.00V
R
O
- 欧姆
1.E+08
1.E-04
T
J
= 25C
1.E+07
-4.25V
1.E-05
1.E+06
T
J
= 100C
-4.50V
1.E-06
1.E+05
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000 1100 1200
-4.6
-4.4
-4.2
-4.0
-3.8
-3.6
-3.4
-3.2
-3.0
-2.8
V
DS
- 伏特
V
GS
- 伏特
2009 IXYS公司，版权所有
IXTY08N100D2 IXTA08N100D2
IXTP08N100D2
图。 13.电容
1,000
5
4
3
V
DS
= 500V
I
D
= 400毫安
I
G
= 1毫安
图。 14.栅极电荷
电容 - 皮法
西塞
100
2
V
GS
- 伏特
1
0
-1
-2
科斯
10
CRSS
-3
-4
-5
f
= 1兆赫
1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0
2
4
6
8
10
12
14
16
V
DS
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 15.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 25C
10.00
10.00
图。 16.正向偏置安全工作区
@ T
C
= 75C
R
DS （ ON）
极限
1.00
25s
100s
1.00
R
DS （ ON）
极限
25s
100s
I
D
- 安培
1ms
0.10
T
J
= 150C
T
C
= 25C
单脉冲
0.01
10
100
1,000
DC
10ms
100ms
I
D
- 安培
1ms
0.10
10ms
T
J
= 150C
T
C
= 75C
单脉冲
0.01
10
100
1,000
DC
100ms
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 17.最大瞬态热阻抗
10.0
Z
（日） JC
- C / W
1.0
0.1
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2009 IXYS公司，版权所有
IXYS REF ： T_08N100D2 （ 1C ） 09年8月25日
QQ：2881677436 复制
