集成
电路
系统公司
ICS85222-01
D
UAL
LVCMOS / LVTTL-
TO
-
D
。微分
HSTL牛逼
ranslator
F
EATURES
两个差分HSTL输出
CLK0 ， CLK1 LVCMOS / LVTTL时钟输入
CLK0和CLK1可以接受以下的输入电平：
LVCMOS或LVTTL
最大输出频率： 350MHz的
部分到部分偏斜： 375ps （最大）
传播延迟： 1075ps （最大值）
V
OH
： 1.4V （最大）
全3.3V和2.5V工作电压
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可应要求提供工业级温度信息
可在标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS85222-01是一个双LVCMOS / LVTTL-
至差分HSTL翻译和成员
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高性能的
从ICS时钟解决方案。该ICS85222-01有
两个单端时钟输入。在单端
时钟输入接受LVCMOS或LVTTL电平输入和传输
他们鲈为HSTL水平。小外形8引脚SOIC封装
年龄使该器件非常适合应用在空间，
高性能和低功耗是重要的。
IC
S
B
LOCK
D
IAGRAM
CLK0
Q0
nQ0
Q1
nQ1
P
IN
A
SSIGNMENT
Q0
nQ0
Q1
nQ1
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
CLK0
CLK1
GND
CLK1
ICS85222-01
8引脚SOIC
3.90毫米X 4.92毫米X 1.37毫米体封装
男包
顶视图
85222AM-01
www.icst.com/products/hiperclocks.html
1
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集成
电路
系统公司
ICS85222-01
D
UAL
LVCMOS / LVTTL-
TO
-
D
。微分
HSTL牛逼
ranslator
TYPE
产量
产量
动力
输入
输入
上拉
上拉
描述
差分输出对。 HSTL接口电平。
差分输出对。 HSTL接口电平。
电源接地。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2
3, 4
5
6
7
名字
Q0 ， nQ0
Q1 ， NQ1
GN
CLK1
CLK0
动力
正电源引脚。
8
V
DD
注意：
上拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
注：未使用的输出对必须终止。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
85222AM-01
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2
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电路
系统公司
ICS85222-01
D
UAL
LVCMOS / LVTTL-
TO
-
D
。微分
HSTL牛逼
ranslator
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
50mA
100mA
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%
OR
V
DD
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DD
I
DD
参数
正电源电压
正电源电压
电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
35
单位
V
V
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%
OR
V
DD
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
CLK0 ， CLK1
CLK0 ， CLK1
CLK0 ， CLK1
CLK0 ， CLK1
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 2.625V
V
DD
= 3.465, V
IN
= 0V
V
DD
= 2.625, V
IN
= 0V
-150
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
5
单位
V
V
A
A
T
ABLE
3C 。 HSTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%
OR
V
DD
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
V
DD
= 3.3V±5%
V
DD
= 2.5V±5%
V
DD
= 3.3V±5%
V
DD
= 2.5V±5%
测试条件
最低
1
0
0
0.6
0.45
典型
最大
1.4
0.4
0.55
1.4
1.4
单位
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到GND 。
85222AM-01
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D
UAL
LVCMOS / LVTTL-
TO
-
D
。微分
HSTL牛逼
ranslator
测试条件
最低
700
20 ％至80％
≤
150MHz
150 <
≤
250MHz
150
48
46
典型
最大
350
1075
375
800
52
54
单位
兆赫
ps
ps
ps
%
%
T
ABLE
4A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
f
最大
t
PD
t
SK （PP）的
t
R
/ t
F
ODC
参数
输出频率
传播延迟;注1
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
输出上升/下降时间
输出占空比
250 <
≤
350MHz
45
55
%
注1 ：从V测
DD
输入到差动输出交叉点/ 2 。
注2 ：定义为偏移在不同的设备输出端在相同的电源电压工作之间并与负载相等
条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出在差分交叉点测定。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
4B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
f
最大
t
PD
t
SK （PP）的
t
R
/ t
F
ODC
参数
输出频率
传播延迟;注1
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
输出上升/下降时间
输出占空比
20 ％至80％
≤
150MHz
150
48
700
测试条件
最低
典型
最大
350
1200
475
800
52
单位
兆赫
ps
ps
ps
%
150 <
≤
350MHz
46
54
%
注1 ：从V测
DD
输入到差动输出交叉点/ 2 。
注2 ：定义为偏移在不同的设备输出端在相同的电源电压工作之间并与负载相等
条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出在差分交叉点测定。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
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D
UAL
LVCMOS / LVTTL-
TO
-
D
。微分
HSTL牛逼
ranslator
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
3.3V ± 5%
2.5V ± 5%
V
DD
Qx
范围
V
DD
Qx
范围
HSTL
nQx
HSTL
nQx
GND
GND
0V
0V
3.3V
矿
/3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
2.5V
矿
/2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
第1部分
nQx
CLK0,
CLK1
nQ0 ， NQ1
Q0, Q1
t
PD
V
DD
2
Qx
第2部分
NQY
Qy
TSK （ PP）
P
ROPAGATION
D
ELAY
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
nQ0 ， NQ1
80%
Q0, Q1
80%
V
SW I N G -
t
PW
t
期
时钟
输出
20%
t
R
t
F
20%
ODC =
t
PW
t
期
x 100%
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
85222AM-01
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
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集成
电路
系统公司
ICS85222-01
D
UAL
LVCMOS / LVTTL-
TO
-
D
。微分
HSTL牛逼
ranslator
F
EATURES
两个差分HSTL输出
CLK0 ， CLK1 LVCMOS / LVTTL时钟输入
CLK0和CLK1可以接受以下的输入电平：
LVCMOS或LVTTL
最大输出频率： 350MHz的
部分到部分偏斜： 375ps （最大）
传播延迟： 1075ps （最大值）
V
OH
： 1.4V （最大）
全3.3V和2.5V工作电压
0 ° C至70 ° C的环境工作温度
可应要求提供工业级温度信息
可在标准和无铅符合RoHS标准
套餐
G
ENERAL
D
ESCRIPTION
该ICS85222-01是一个双LVCMOS / LVTTL-
至差分HSTL翻译和成员
HiPerClockS
在HiPerClockS 系列高性能的
从ICS时钟解决方案。该ICS85222-01有
两个单端时钟输入。在单端
时钟输入接受LVCMOS或LVTTL电平输入和传输
他们鲈为HSTL水平。小外形8引脚SOIC封装
年龄使该器件非常适合应用在空间，
高性能和低功耗是重要的。
IC
S
B
LOCK
D
IAGRAM
CLK0
Q0
nQ0
Q1
nQ1
P
IN
A
SSIGNMENT
Q0
nQ0
Q1
nQ1
1
2
3
4
8
7
6
5
V
DD
CLK0
CLK1
GND
CLK1
ICS85222-01
8引脚SOIC
3.90毫米X 4.92毫米X 1.37毫米体封装
男包
顶视图
85222AM-01
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系统公司
ICS85222-01
D
UAL
LVCMOS / LVTTL-
TO
-
D
。微分
HSTL牛逼
ranslator
TYPE
产量
产量
动力
输入
输入
上拉
上拉
描述
差分输出对。 HSTL接口电平。
差分输出对。 HSTL接口电平。
电源接地。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
LVCMOS / LVTTL时钟输入。
T
ABLE
1. P
IN
D
ESCRIPTIONS
数
1, 2
3, 4
5
6
7
名字
Q0 ， nQ0
Q1 ， NQ1
GN
CLK1
CLK0
动力
正电源引脚。
8
V
DD
注意：
上拉
指的是内部的输入电阻。见表2 ，引脚特性，为典型值。
注：未使用的输出对必须终止。
T
ABLE
2. P
IN
C
极特
符号
C
IN
R
上拉
R
下拉
参数
输入电容
输入上拉电阻
输入下拉电阻
测试条件
最低
典型
4
51
51
最大
单位
pF
kΩ
kΩ
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www.icst.com/products/hiperclocks.html
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电路
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D
UAL
LVCMOS / LVTTL-
TO
-
D
。微分
HSTL牛逼
ranslator
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
50mA
100mA
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
-65 ℃150 ℃的
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。实用
产物在这些条件下或在任何条件操作BE-
彼处那些在上市
DC特性
or
AC Character-
istics
是不是暗示。暴露在绝对最大额定值
长时间条件可能会影响产品的可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
输出，我
O
连续电流
浪涌电流
封装的热阻抗，
θ
JA
贮藏温度，T
英镑
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%
OR
V
DD
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
DD
V
DD
I
DD
参数
正电源电压
正电源电压
电源电流
测试条件
最低
3.135
2.375
典型
3.3
2.5
最大
3.465
2.625
35
单位
V
V
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%
OR
V
DD
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
IH
V
IL
I
IH
I
IL
参数
输入高电压
输入低电压
输入高电流
输入低电平电流
CLK0 ， CLK1
CLK0 ， CLK1
CLK0 ， CLK1
CLK0 ， CLK1
V
DD
= V
IN
= 3.465V
V
DD
= V
IN
= 2.625V
V
DD
= 3.465, V
IN
= 0V
V
DD
= 2.625, V
IN
= 0V
-150
测试条件
最低
2
-0.3
典型
最大
V
DD
+ 0.3
1.3
5
单位
V
V
A
A
T
ABLE
3C 。 HSTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V±5%
OR
V
DD
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
V
OH
V
OL
V
摇摆
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
峰至峰输出电压摆幅
V
DD
= 3.3V±5%
V
DD
= 2.5V±5%
V
DD
= 3.3V±5%
V
DD
= 2.5V±5%
测试条件
最低
1
0
0
0.6
0.45
典型
最大
1.4
0.4
0.55
1.4
1.4
单位
V
V
V
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到GND 。
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D
UAL
LVCMOS / LVTTL-
TO
-
D
。微分
HSTL牛逼
ranslator
测试条件
最低
700
20 ％至80％
≤
150MHz
150 <
≤
250MHz
150
48
46
典型
最大
350
1075
375
800
52
54
单位
兆赫
ps
ps
ps
%
%
T
ABLE
4A 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 3.3V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
f
最大
t
PD
t
SK （PP）的
t
R
/ t
F
ODC
参数
输出频率
传播延迟;注1
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
输出上升/下降时间
输出占空比
250 <
≤
350MHz
45
55
%
注1 ：从V测
DD
输入到差动输出交叉点/ 2 。
注2 ：定义为偏移在不同的设备输出端在相同的电源电压工作之间并与负载相等
条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出在差分交叉点测定。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
T
ABLE
4B 。 AC - C
极特
,
V
DD
= 2.5V ±5％ ，T
A
= 0°C
TO
70°C
符号
f
最大
t
PD
t
SK （PP）的
t
R
/ t
F
ODC
参数
输出频率
传播延迟;注1
帕吨至帕吨倾斜;注2 ， 3
输出上升/下降时间
输出占空比
20 ％至80％
≤
150MHz
150
48
700
测试条件
最低
典型
最大
350
1200
475
800
52
单位
兆赫
ps
ps
ps
%
150 <
≤
350MHz
46
54
%
注1 ：从V测
DD
输入到差动输出交叉点/ 2 。
注2 ：定义为偏移在不同的设备输出端在相同的电源电压工作之间并与负载相等
条件。使用同一类型的每个设备上的输入，输出在差分交叉点测定。
注3 ：此参数定义符合JEDEC标准65 。
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UAL
LVCMOS / LVTTL-
TO
-
D
。微分
HSTL牛逼
ranslator
P
ARAMETER
M
EASUREMENT
I
载文信息
3.3V ± 5%
2.5V ± 5%
V
DD
Qx
范围
V
DD
Qx
范围
HSTL
nQx
HSTL
nQx
GND
GND
0V
0V
3.3V
矿
/3.3V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
2.5V
矿
/2.5V
安输出
L
OAD
AC牛逼
美东时间
C
IRCUIT
第1部分
nQx
CLK0,
CLK1
nQ0 ， NQ1
Q0, Q1
t
PD
V
DD
2
Qx
第2部分
NQY
Qy
TSK （ PP）
P
ROPAGATION
D
ELAY
P
艺术
-
TO
-P
艺术
S
KEW
nQ0 ， NQ1
80%
Q0, Q1
80%
V
SW I N G -
t
PW
t
期
时钟
输出
20%
t
R
t
F
20%
ODC =
t
PW
t
期
x 100%
O
安输出
D
UTY
C
YCLE
/P
ULSE
W
ID
/P
ERIOD
85222AM-01
O
安输出
R
ISE
/F
所有
T
IME
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