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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第409页 > IXSH30N60AU1
V
CES
低V
CE （ SAT ）
IGBT与二极管
高速IGBT与二极管
Combi机包
短路SOA能力
IXSH 30 N60U1
IXSH 30 N60AU1
600 V
600 V
I
C25
50 A
50 A
V
CE （ SAT ）
2.5 V
3.0 V
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C90
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
t
SC
（ SCSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 90°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
J
= 125 ° C，R
G
= 33
W
钳位感性负载， L = 100
mH
V
GE
= 15 V, V
CE
= 360 V，T
J
= 125°C
R
G
= 33
W,
不重复
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
50
30
100
I
CM
= 60
@ 0.8 V
CES
10
200
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
的TO- 247的AD
G
C
E
C =收藏家，
TAB =收藏家
G =门，
E =发射器，
特点
ms
W
°C
°C
°C
国际标准套餐
JEDEC TO- 247 AD
高频IGBT有保证
短路SOA能力
IGBT和反并联FRED在一个
包
第二代HDMOS
TM
过程
低V
CE （ SAT ）
- 低通态传导损耗
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
应用
安装力矩
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
300
g
°C
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
5
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
8
500
8
±100
30N60U1
30N60AU1
2.5
3.0
V
V
mA
mA
nA
V
V
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 750
毫安，
V
GE
= 0 V
= 2.5毫安， V
CE
= V
GE
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V
优势
节省空间（在一两个设备
包）
易于使用1个螺丝安装
（隔绝安装螺纹孔）
减少装配时间和成本
高功率密度
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
92714F (12/96)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-6
IXSH 30N60U1
IXSH 30N60AU1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
7
13
100
2760
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
240
51
110
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
34
47
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
W
备注：开关时间
可能增加
V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C90
, V
GE
= 15 V,
L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= 4.7
W
备注：开关时间
可能增加
V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
，高
T
J
或加强研究
G
30N60U1
30N60AU1
30N60U1
30N60AU1
30N60U1
30N60AU1
60
130
400
30N60U1
30N60AU1
30N60AU1
400
200
2.5
60
130
4.2
540
340
600
340
12
6
1000
525
1500
700
150
45
63
S
A
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
ns
ns
mJ
mJ
0.63 K / W
0.25
K / W
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXSH ）大纲
g
fs
I
C（ ON）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C90
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
V
GE
= 15 V, V
CE
= 10 V
1.5 2.49
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.6
10
150
35
15
50
V
A
ns
ns
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
I
F
= I
C90
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 240 A / MS
V
R
= 360 V
T
J
= 125°C
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / MS; V
R
= 30 V T，
J
= 25°C
1 K / W
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-6
IXSH 30N60U1
IXSH 30N60AU1
图1饱和特性
60
T
J
= 25°C
图2输出Characterstics
100
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
V
GE
= 15V
50
13V
80
I
C
- 安培
I
C
- 安培
40
30
20
10
0
9V
7V
11V
60
13V
40
20
0
11V
9V
0
1
2
3
4
5
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18 20
V
CE
- 伏特
V
CE
- 伏特
图3集电极 - 发射极电压
与栅极 - 发射极电压
10
9
8
7
T
J
= 25°C
图4温度依赖性
输出饱和电压
1.8
1.6
V
GE
= 15V
I
C
= 60A
V
CE （ SAT ）
- 归
V
CE
- 伏特
1.4
1.2
I
C
= 30A
6
5
4
3
2
1
0
8
9
10
11
12
13
I
C
= 15A
I
C
= 30A
I
C
= 60A
1.0
0.8
0.6
-50
I
C
= 15A
14
15
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GE
- 伏特
T
J
- 摄氏度
图5输入导纳
60
V
CE
= 10V
图6温度依赖性
分解和阈值电压
1.3
BV / V
GE （日）
- 归
50
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
-50
V
GE （日）
BV
CES
I
C
= 3毫安
I
C
- 安培
40
30
T
J
= 25°C
20
T
J
= 125°C
10
0
T
J
= - 40°C
I
C
= 2.5毫安
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
-25
0
25
50
75
100 125 150
V
GE
- 伏特
T
J
- 摄氏度
版权所有2000 IXYS所有权利。
3-6
IXSH 30N60U1
IXSH 30N60AU1
图7关断能源每脉冲和
下降时间在集电极电流
1000
R
G
= 10
W
T
J
= 125°C
E
关闭
(-A)
高速
的开启，关闭能源依赖图8
每脉冲和下降时间R上
G
10.0
1000
T
J
= 125°C
I
C
= 30A
10.0
t
fi
- 纳秒
t
fi
- 纳秒
E
关闭
- 毫焦耳
500
t
fi
(-A)
高速
5.0
500
t
fi
（ -A ） ，高速
E
关闭
（ -A ） ，高速
5.0
250
2.5
250
2.5
0
0
10
20
30
40
50
0.0
60
0
0
10
20
30
40
0.0
50
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图9栅极电荷特性曲线
15
12
9
6
3
0
0
25
50
75
100
125
150
I
C
= 30A
V
CE
= 300V
图10关断安全工作区
100
R
G
= 4.7
W
T
J
= 125°C
的dV / dt < 6V / NS
10
I
C
- 安培
V
GE
- 伏特
1
0.1
0.01
0
100
200
300
400
500
600
Q
g
- nanocoulombs
V
CE
- 伏特
图11瞬态热阻抗
1
D=0.5
ZTH
JC
（K / W）
0.1
D=0.2
D=0.1
D=0.05
D=0.02
D =占空比
0.01
D=0.01
单脉冲
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
版权所有2000 IXYS所有权利。
E
关闭
- 毫焦耳
750
7.5
750
7.5
4-6
IXSH 30N60U1
IXSH 30N60AU1
图12最大正向电压降
100
80
25
图13峰值正向电压V
FR
和
正向恢复时间t
fr
T
J
= 125°C
1000
800
V
FR
电流 - 安培
60
40
20
0
0.5
T
J
= 100°C
15
10
5
t
fr
600
400
200
0
600
T
J
= 25°C
0
1.0
1.5
2.0
2.5
0
100
200
300
400
500
电压降 - 伏
di
F
/ DT - A / μs的
图14结点温度依赖性
关我
RM
和Q
r
1.4
1.2
1.0
0.8
I
RM
图15反向恢复押
4
T
J
= 100°C
V
R
= 350V
I
F
= 30A
马克斯。
Q
r
- nanocoulombs
归一化我
RM
/Q
r
3
2
典型值。
I
F
= 60A
0.6
0.4
0.2
0.0
0
Q
r
1
I
F
= 30A
I
F
= 15A
0
40
80
120
160
1
10
100
1000
T
J
- 摄氏度
di
F
/ DT - A / μs的
图16峰值反向恢复电流
40
T
J
= 100°C
V
R
= 350V
I
F
= 30A
马克斯。
图17反向恢复时间
0.8
I
F
= 30A
马克斯。
T
J
= 100°C
V
R
= 350V
t
rr
- 纳秒
30
0.6
典型值。
I
F
= 60A
I
RM
- 安培
典型值。
I
F
= 60A
20
I
F
= 30A
I
F
= 15A
0.4
I
F
= 30A
I
F
= 15A
10
0.2
0
200
400
600
0.0
0
200
400
600
di
F
/ DT - A / μs的
di
F
/ DT - A / μs的
版权所有2000 IXYS所有权利。
5-6
t
fr
- 纳秒
T
J
= 150°C
20
I
F
= 37A
V
FR
- 伏特
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IRKT136/04
IRFS841
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IRFU211
ICS16859
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    -
    -
    -
    -
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