高级技术信息
的CoolMOS功率MOSFET
ISOPLUS220
TM
电气隔离返回地面
N沟道增强模式
低R
DS （ ON）
器，高压MOSFET的
IXKC 13N80C
V
DSS
= 800 V
I
D25
= 13 A
R
DS （ ON）
= 290 m
符号
V
DSS
V
GS
I
D25
I
D90
I
D（ RMS）
E
AS
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
V
ISOL
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
连续
T
C
= 25°C ;注1
T
C
= 90 ° C，注1
封装引线电流限制
I
D
I
D
= 4A ，T
C
= 25°C
= 10A
最大额定值
800
±20
13
9
45
670
0.5
6
125
-55 ... +150
150
-55 ... +125
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
V~
ISOPLUS 220
TM
G
D
S
孤立的背面*
G =门，
S =源
*专利申请中
D =排水，
V
DS
＆ LT ;
V
DSS
,
I
F
≤
17 A,
T
VJ
= 150°C
d
S
/ DT = 100 A / μs的
T
C
= 25°C
特点
对直接铜键合硅片
基板
- 高功率耗散
- 隔离安装面
- 2500V电气隔离
l
3
RD
新一代的CoolMOS功率MOSFET
- 高阻断能力
- 低导通电阻
- 雪崩额定松开电感
开关（ UIS ）
l
由于减少了低热阻
切屑厚度
l
低漏片电容（ <30pF ）
l
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
有效值引线到标签上， 50/60赫兹， t为1分钟
安装力
300
2500
11 ... 65 / 2.4 ... 11 N /磅
2
g
应用
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
250
550
2
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
125
±100
290 m
m
4
25
V
A
A
nA
开关模式电源（ SMPS ）
l
不间断电源（ UPS ）
l
功率因数校正（ PFC ）
l
焊接
l
感应加热
l
R
DS （ ON）
V
GS （ TH）
I
DSS
I
GSS
V
GS
= 10 V，I
D
= I
D90
，注3
V
GS
= 10 V，I
D
= I
D90
，注意3个T
J
= 125°C
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1毫安
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
优势
l
l
l
易于组装：无螺丝或隔离
需要箔
节省空间
高功率密度
COOLMOS是英飞凌的商标。
技术。
版权所有2001 IXYS所有权利。
98865 (11/01)
IXKC 13N80C
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
83
V
GS
= 10 V, V
DS
= 640 V，I
D
= 17 A
9
42
25
V
GS
= 10 V, V
DS
= 640V
I
D
= 17 A，R
G
= 4.7
15
75
10
1.0
0.30
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
K / W
K / W
ISOPLUS220概要
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
R
thJC
R
thCH
逆向传导
符号
V
SD
测试条件
I
F
= 6.5 A，V
GS
= 0 V
注3
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1
1.2
V
注：1， MOSFET芯片的能力
2.本征二极管能力
3.脉冲检验，t
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
注：所有接线端子焊锡镀。
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
艾赛斯的MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利： 4835592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,486,715
5,381,025
QQ：2881677436 复制
