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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第574页 > IXGH40N60C2
HiPerFAST
TM
IGBT
C2级高速的IGBT
IXGH 40N60C2
IXGT 40N60C2
V
CES
I
C25
V
CE （ SAT ）
t
fi
典型值
= 600 V
= 75 A
= 2.7 V
= 32 ns的
TO- 268 （ IXGT ）
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑体
M
d
重量
安装扭矩（ M3 ）
TO-247
TO-268
测试条件
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1 MΩ
连续
短暂
T
C
= 25°C （受引线）
T
C
= 110°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 10
Ω
钳位感性负载@
≤
600 V
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
75
40
200
I
CM
= 80
300
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
200
V
V
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
°C
°C
°C
特点
甚高频IGBT
广场RBSOA
高电流处理能力
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
应用
PFC电路
不间断电源（ UPS ）
开关模式和谐振模
电源
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
优势
高功率密度
非常快的开关速度高
频率的应用
G =门，
E =发射器，
G
C
E
C =收藏家，
TAB =收藏家
C（ TAB ）
G
E
C（ TAB ）
TO- 247 （ IXGH ）
1.13/10Nm/lb.in.
6
4
g
g
符号
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
3.0
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
5.0
50
1
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
2.2
2.0
2.7
V
μA
mA
nA
V
V
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
= 250
μA,
V
CE
= V
GE
V
CE
= V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= 30 A，V
GE
= 15 V
版权所有2005 IXYS所有权利
DS99042C(10/05)
IXGH 40N60C2
IXGT 40N60C2
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
20
36
2500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
180
54
95
I
C
= 30 A，V
GE
= 15 V, V
CE
= 300 V
14
36
18
°
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= 30 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V ，R
G
= R
关闭
= 3
Ω
20
90
32
0.20
18
感性负载，T
J
= 125°C
°
I
C
= 30 A，V
GE
= 15 V
V
CE
= 400 V ，R
G
= R
关闭
= 3
Ω
20
0.3
130
80
0.50
240
140
S
P
的TO- 247的AD概要
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= 30 A; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
≤
300
μs,
占空比
≤
2 %
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
0.37兆焦耳
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.42 K / W
TO- 268外形
e
DIM 。
毫米
分钟。马克斯。
A
4.7
5.3
2.2
2.54
A
1
2.2
2.6
A
2
b
1.0
1.4
b
1
1.65
2.13
b
2
2.87
3.12
C
.4
.8
D
20.80 21.46
E
15.75 16.26
e
5.20
5.72
L
19.81 20.32
L1
4.50
P
3.55
3.65
Q
5.89
6.40
R
4.32
5.49
S
6.15 BSC
英寸
分钟。马克斯。
.185 .209
.087 .102
.059 .098
.040 .055
.065 .084
.113 .123
.016 .031
.819 .845
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
242 BSC
(TO-247)
0.25
K / W
分钟。推荐足迹
（尺寸以英寸毫米）
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖
下面的一个美国专利或多个：
4,835,592
4,850,072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6771478 B2
IXGH 40N60C2
IXGT 40N60C2
图。 1.输出特性
@ 25度。
60
50
40
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
1
80
1
50
21
0
图。 2.扩展的输出特性
@ 25度。
V
摹ê
= 15V
13V
11V
9V
I
C
- 安培
7V
30
20
1
0
I
C
- 安培
1
20
90
60
30
7V
5V
0
0.5
1
1
.5
2
2.5
3
3.5
5V
0
0
1
2
3
4
5
6
7
V
权证
- 伏特
V
权证
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125度。
60
50
40
30
20
1
0
0
0.5
1
1
.5
2
2.5
3
V
摹ê
= 15V
13V
11V
9V
1
.2
1
.3
图。 V 4牛逼emperature依赖
CE （ SAT ）
I
C
= 60A
V
摹ê
= 15V
V
权证（SAT）
- 归
1
.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
25
I
C
- 安培
7V
I
C
= 30A
5V
I
C
= 15A
50
75
1
00
1
25
1
50
V
CE
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.集电极 - 发射极电压
与门极 - 发射极电压
4
T
J
= 25
C
3.5
21
0
1
80
1
50
1
20
90
60
30
0
5
6
7
8
9
1
0
1
1
1
2
1
3
1
4
1
5
4
图。 6.输入导纳
2.5
I
C
= 60A
2
30A
1
.5
15A
1
I
C
- 安培
V
权证
- 伏特
3
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
5
6
7
8
9
1
0
V
摹ê
- 伏特
V
摹ê
- 伏特
版权所有2005 IXYS所有权利
IXGH 40N60C2
IXGT 40N60C2
图。 7.跨导
70
60
50
40
30
20
1
0
0
0
30
60
90
1
20
1
50
1
80
T
J
= -40
C
25
C
图。 8.依赖的E
关闭
R上
G
1
.8
1
.6
1
.4
T
J
= 125
C
V
GE
= 15V
V
权证
= 400V
I
C
= 60A
E
关闭
- 毫焦耳
g
F小号
- 西门子
125
C
1
.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
I
C
= 45A
I
C
= 30A
I
C
= 15A
4
6
8
1
0
1
2
1
4
1
6
I
C
- 安培
R
G
- 欧姆
图。 9.依赖的E
关闭
关于我
C
1
.6
1
.4
R
G
= 3欧姆
R
G
= 10欧姆
- - - - -
V
摹ê
= 15V
V
权证
= 400V
1
.6
1
.4
1
.2
图。 10.依赖的E
关闭
对T emperature
R
G
= 3欧姆
R
G
= 10欧姆
- - - - -
V
摹ê
= 15V
V
权证
= 400V
I
C
= 60A
E
关闭
- 毫焦耳
1
.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1
0
E
关闭
- 毫焦耳
1
0.8
0.6
0.4
I
C
= 30A
I
C
= 15A
0
I
C
= 45A
T
J
= 125
C
T
J
= 25
C
20
30
40
50
60
0.2
25
50
75
1
00
1
25
I
C
- 安培
T
J
- 摄氏
图。 11.栅极电荷
1
5
V
权证
= 300V
I
C
= 30A
I
G
= 10毫安
1
0000
图。 12.电容
F = 100万赫兹
1
2
电容 - P F
IES
1
000
V
摹ê
- 伏特
9
6
OES
1
00
3
RES
0
0
20
40
60
80
1
00
1
0
0
5
1
0
1
5
20
25
30
35
40
Q
G
- nanocoulombs
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
V
权证
- 伏特
IXGH 40N60C2
IXGT 40N60C2
F IG 。 13. M aximu米陈德良思恩第t ermal esistan CE
0 .5
0 .4
R
（ TH） J·C
- （ C / W）
0 .3
0 .2
0 .1
0
1
10
100
10 0 0
PULS东西ID - 米利斯EC哔声
版权所有2005 IXYS所有权利
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推荐型号
IDT74FCT166245TEB
IXKC13N80C
ICS8305AGIT
IS61C67-15N
IRKTF151-02HL
IRLR120N
IDT54FCT166H244ETPFB
ISD1730PYI01
IDT54FCT166H244TPV
IDT29FCT53CEB
IDT72V201L15J
ICL7137CQH
ILC5062AIC30X
I8SB35K1W
IQ96-15MQ144I
IN4936
IRF540SPBF
IRF82
ISL6268CAZ-T
ICM7556MJD
供货商
型号
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    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXGH40N60C2
    -
    -
    -
    -
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更多配单专家
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联系人：销售部1部
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