【HiPerFASTTMIGBT与二极管初步数据表IXGK 50N60C2D1 VCESIXGX 50】,IC型号IXGK50N60C2D1,IXGK50N60C2D1 PDF资料,IXGK50N60C2D1经销商,ic,电子元器件-51电子网

HiPerFAST

TM

IGBT与二极管

初步数据表

IXGK 50N60C2D1 V

CES

IXGX 50N60C2D1我

C25

V

CE （ SAT ）

C2级高速的IGBT

t

网络连接（典型值）

= 600 V

= 75 A

= 2.5 V

= 48 ns的

符号

V

CES

V

CGR

V

GES

V

创业板

I

C25

I

C110

I

F110

I

CM

SSOA

（ RBSOA ）

P

C

T

J

T

JM

T

英镑

M

d

重量

测试条件

T

J

= 25 ℃至150 ℃的

T

J

= 25 ℃至150 ℃;

GE

= 1 M

连续

短暂

T

C

= 25°C （受引线）

T

C

= 110°C

T

C

= 110°C

T

C

= 25 ° C， 1毫秒

V

GE

= 15 V ，T

VJ

= 125 ° C，R

G

= 10

钳位感性负载@ V

CE

≤

600 V

T

C

= 25°C

最大额定值

600

±20

±30

75

50

48

300

I

CM

= 100

480

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V

A

TO- 264 AA

（ IXGK ）

G

C

（ TAB ）

E

PLUS247

（ IXGX ）

G

（ TAB ）

E

C

G =门

E =发射器

C =收藏家

TAB =收藏家

W

°C

安装扭矩， TO- 264

TO-264

PLUS247

最大无铅焊接温度的

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

1.13 / 10牛米/ lb.in 。

10

6

300

g

°C

特点

甚高频IGBT和

反并联FRED在一个封装

广场RBSOA

高电流处理能力

MOS管的栅极导通驱动器的简单

快速恢复外延二极管（ FRED ）

软恢复和低I

RM

应用

开关模式和谐振模

电源

不间断电源（ UPS ）

直流斩波器

交流电机调速

直流伺服和机器人的驱动器

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

3.0

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

5.0

650

5

±100

T

J

= 25°C

T

J

= 125°C

2.1

1.8

2.5

V

A

mA

nA

V

GE （日）

I

CES

I

GES

V

CE （ SAT ）

I

C

= 250

A,

V

CE

= V

GE

V

CE

= V

CES

V

GE

= 0 V

V

CE

= 0 V, V

GE

=

±20

V

I

C

= 40 A，V

GE

= 15 V

注1

优势

节省空间（二合一设备

包）

易与1个螺丝安装

DS99148A(05/04)

IXGK 50N60C2D1

IXGX 50N60C2D1

符号

测试条件

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

40

51

3700

290

50

138

25

40

18

感性负载，T

J

= 25°C

°

I

C

= 40 A，V

GE

= 15 V

V

CE

= 480 V ，R

G

= R

关闭

= 2.0

25

115 150

48

0.38

18

25

1.4

170

60

0.74

S

pF

nC

DIM 。

毫米

分钟。

马克斯。

4.82

5.13

2.54

2.89

2.00

2.10

1.12

1.42

2.39

2.69

2.90

3.09

0.53

0.83

25.91

26.16

19.81

19.96

5.46 BSC

0.00

0.25

0.00

0.25

20.32

20.83

2.29

2.59

3.17

3.66

6.07

6.27

8.38

8.69

3.81

4.32

1.78

2.29

6.04

6.30

1.57

1.83

分钟。

英寸

马克斯。

TO- 264 AA大纲

g

fs

C

IES

C

OES

C

水库

Q

g

Q

ge

Q

gc

t

D（上）

t

ri

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

t

D（上）

t

ri

E

on

t

D（关闭）

t

fi

E

关闭

R

thJC

R

thCK

I

C

= 40 A; V

CE

= 10 V,

注1

V

CE

= 25 V, V

GE

= 0 V ， F = 1兆赫

I

C

= 40 A，V

GE

= 15 V, V

CE

= 0.5 V

CES

ns

0.7兆焦耳

ns

mJ

ns

mJ

感性负载，T

J

= 125°C

°

I

C

= 40 A，V

GE

= 15 V

V

CE

= 480 V ，R

G

= R

关闭

= 2.0

0.31 K / W

0.15

K / W

A

A1

A2

b

b1

b2

c

D

E

e

J

K

L

L1

P

Q

Q1

R

R1

S

T

.190

.202

.100

.114

.079

.083

.044

.056

.094

.106

.114

.122

.021

.033

1.020

1.030

.780

.786

0.215 BSC

.000

.010

.000

.010

.800

.820

.090

.102

.125

.144

.239

.247

.330

.342

.150

.170

.070

.090

.238

.248

.062

.072

PLUS247大纲

反向二极管（ FRED ）

符号

V

F

I

RM

t

rr

R

thJC

测试条件

I

F

= 60 A，V

GE

= 0 V,

注1

特征值

(T

J

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

T

J

= 150°C

2.1

1.4

8.3

35

V

A

ns

0.65 K / W

终端：

1 - GATE

2 - 漏极（集电极）

3 - 源（发射极）

4 - 漏极（集电极）

I

F

= 60 A，V

GE

= 0 V ， - 二

F

/ DT = 100 A / μ牛逼

J

= 100°C

V

R

= 100 V

I

F

= 1 ; -di / DT = 200 A / MS; V

R

= 30 V

注1 ：脉冲检验，t

≤

300

s,

占空比

≤

2 %

DIM 。

A

1

A

2

b

1

b

2

C

D

E

e

L

L1

Q

R

毫米

分钟。

马克斯。

4.83

5.21

2.29

2.54

1.91

2.16

1.14

1.40

1.91

2.13

2.92

3.12

0.61

0.80

20.80 21.34

15.75 16.13

5.45 BSC

19.81 20.32

3.81

4.32

5.59

6.20

4.32

4.83

英寸

分钟。马克斯。

.190 .205

.090 .100

.075 .085

.045 .055

.075 .084

.115 .123

.024 .031

.819 .840

.620 .635

0.215 BSC

.780 .800

.150 .170

.220 0.244

.170 .190

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或多个

：下列美国专利

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665

6,534,343 6,583,505

IXGK 50N60C2D1

IXGX 50N60C2D1

图。 1.输出Characte ristics

@ 25度。

80

70

60

V

GE

= 15V

13V

11V

9V

320

280

240

V

GE

= 15V

13V

11V

图。 2.扩展的输出Characte ristics

@ 25代克。

7V

I

C

- 安培

I

C

- 安培

50

40

30

20

10

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

5V

6V

200

160

120

9V

7V

80

40

0

1

2

3

5V

4

5

6

7

8

9

10

V

权证

- 伏特

图。 3.输出特性

@ 125度。

80

70

60

V

GE

= 15V

13V

11V

9V

7V

1.2

1.1

V

权证

- 伏特

图。 V 4.德彭代NCE

CE （ SAT ）

on

tem温度

V

GE

= 15V

V

权证（ S A T）

- 归

1.0

0.9

0.8

0.7

0.6

I

C

= 40A

I

C

- 安培

50

40

30

20

10

5V

0

0.5

1

1.5

2

2.5

3

3.5

4

6V

I

C

= 80A

I

C

= 20A

0.5

25

50

75

100

125

150

V

CE

- 伏特

图。 5.收集到EM伊特尔电压

与门到EM伊特尔电压

4.8

4.5

4.2

T

J

= 25C

200

180

160

T

J

- 摄氏

图。 6.输入上将ittance

V

权证

- 伏特

3.9

3.6

3.3

3

2.7

2.4

5

6

7

8

I

C

- 安培

I

C

= 80A

40A

20A

140

120

100

80

60

40

20

0

T

J

= 125C

25C

9

10 11 12

13 14 15 16 17

4

4.5

5

5.5

6

6.5

7

7.5

8

8.5

9

V

摹ê

- 伏特

V

摹ê

- 伏特

IXGK 50N60C2D1

IXGX 50N60C2D1

图。 7.跨导

70

60

50

40

30

20

10

0

20

40

60

80

100 120 140 160 180 200

T

J

= 25C

125C

3

2.7

2.4

T

J

= 125C

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

I

C

= 80A

图。 8.依赖性关断

能源R上

G

E

F F

- 毫焦耳

g

F小号

- 西门子

2.1

1.8

1.5

1.2

0.9

0.6

0.3

0

2

4

6

8

10

12

14

16

18

I

C

= 20A

I

C

= 40A

I

C

- 安培

图。 9.依赖的导通关

能在我

c

2.2

2

1.8

R

G

= 2

R

G

= 10

- - - -

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

2.4

2.1

1.8

R

G

- 欧姆

图。 10.依赖性的Turn-关闭

精力tem温度

R

G

= 2

R

G

= 10

- - - -

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

I

C

= 80A

E

F F

- 毫焦耳

1.4

1.2

1

0.8

0.6

0.4

0.2

0

20

30

40

50

60

70

80

T

J

= 25C

T

J

= 125C

E

F F

- 毫焦耳

1.6

1.5

1.2

0.9

0.6

0.3

0

25

35

45

55

65

75

85

I

C

= 40A

I

C

= 20A

95

105 115 125

I

C

- 安培

图。 11.依赖的关断

SW瘙痒添ê R上

G

450

200

T

J

- 摄氏

图。 12.依赖性的Turn-关闭

SW痒蒂姆E在我

c

180

160

140

120

100

80

60

40

T

J

= 25C

切换时间 - 纳秒

350

300

250

200

T

J

= 125C

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

切换时间 - 纳秒

400

t

D（关闭）

t

fi

-

- - - - -

t

D（关闭）

t

fi

- - - - - -

R

G

= 2

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

T

J

= 125C

I

C

= 40A

150

100

50

2

4

6

8

10

12

14

I

C

= 80A

I

C

= 20A

16

18

R

G

- 欧姆

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

20

30

40

50

60

70

80

I

C

- 安培

IXGK 50N60C2D1

IXGX 50N60C2D1

图。 13.依赖的关断

SW瘙痒添E在tem温度

200

110

180

160

140

120

100

80

60

40

20

25

35

45

I

C

= 20A

55

65

75

85

95

105 115 125

I

C

= 40A

图。 14.反向偏置

安全工作区

100

切换时间 - 纳秒

t

D（关闭）

t

fi

-

- - - - -

R

G

= 2

V

GE

= 15V

V

CE

= 480V

I

C

= 20A

90

80

I

C

- 安培

70

60

50

40

30

20

10

0

T

J

= 125

C

R

G

= 10

的dv / dt < 10V / ns的

I

C

= 80A

T

J

- 摄氏

100

200

300

400

CE

500

600

V

- 伏特

图。 15.栅极电荷

16

14

12

10

8

6

4

2

0

30

60

90

120

150

10

0

5

V

CE

= 300V

I

C

= 40A

I

G

= 10毫安

10000

图。 16.电容

F = 1 MHz的

电容 - picoFarrads

C

IES

1000

V

摹ê

- 伏特

100

C

OES

C

水库

10

15

Q

G

- nanocoulombs

V

权证

- 伏特

20

25

30

35

40

图。 16.马克西姆嗯短暂的RM人抵抗

0.35

0.30

R

T H， J·C

- C / W

0.25

0.20

0.15

0.10

0.05

0.00

1

10

脉冲宽度 - 毫秒

100

1000