IRLI520G ， SiHLI520G
Vishay Siliconix公司
功率MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
(Ω)
Q
g
（最大值） （ NC ）
Q
gs
（ NC ）
Q
gd
（ NC ）
CON组fi guration
V
GS
= 5 V
12
3.0
7.1
单身
D
特点
100
0.27
隔离包
高隔离电压为2.5千伏
RMS
（T = 60秒;
F = 60赫兹）
灌铅爬电距离= 4.8毫米
逻辑电平栅极驱动器
R
DS （ ON）
在V指定
GS
= 4 V和5 V
快速开关
易于并联的
铅（Pb） ，免费提供
可用的
RoHS指令*
柔顺
的TO-220 FULLPAK
描述
Vishay的第三代功率MOSFET提供
设计师与快速切换的最佳组合，
加固装置的设计，低导通电阻和
成本效益。
该TO- 220 FULLPAK无需额外
绝缘硬件在商业工业应用。
所使用的模制化合物提供了一种高隔离
能力和标签之间的低热阻和
外部散热器。这种隔离是相当于使用100
微米云母障碍与标准TO - 220产品。该
FULLPAK被安装到使用单个片段或由带散热片
单个螺钉固定。
G
S
摹 S
N沟道
MOSFET
订购信息
包
铅（Pb ） - 免费
SNPB
的TO-220 FULLPAK
IRLI520GPbF
SiHLI520G-E3
IRLI520G
SiHLI520G
绝对最大额定值
T
C
= 25 ℃，除非另有说明
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
脉冲漏
当前
a
V
GS
在5 V
T
C
= 25 °C
T
C
= 100 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
T
C
= 25 °C
P
D
dv / dt的
T
J
, T
英镑
10秒
6-32或M3螺丝
极限
100
± 10
7.2
5.1
29
0.24
170
7.2
3.7
37
5.5
- 55 + 175
300
d
10
1.1
W / ℃，
mJ
A
mJ
W
V / ns的
°C
磅力·中
N·m的
A
单位
V
线性降额因子
单脉冲雪崩能量
b
重复性雪崩
重复性雪崩
当前
a
能源
a
最大功率耗散
峰值二极管恢复的dv / dt
c
工作结存储温度范围
焊接建议（峰值温度）
安装力矩
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。 V
DD
= 25 V ，起始物为
J
= 25 ° C，L = 4.9 mH的，R
G
= 25
Ω,
I
AS
= 7.2 A（见图12 ） 。
C.我
SD
≤
9.2 A， di / dt的
≤
110 A / μs的，V
DD
≤
V
DS
, T
J
≤
175 °C.
。 1.6毫米的情况。
*含有铅端子不符合RoHS要求，可申请豁免
文档编号： 90397
S-挂起-REV 。 A， 05军， 08
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1
WORK -IN -PROGRESS
IRLI520G ， SiHLI520G
Vishay Siliconix公司
热电阻额定值
参数
最大结点到环境
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
thJC
典型值。
-
-
马克斯。
65
4.1
单位
° C / W
特定网络阳离子
T
J
= 25 ℃，除非另有说明
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
V
DS
ΔV
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 A
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 A
V
GS
= ± 10 V
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 80 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 150 °C
V
GS
= 5 V
V
GS
= 4 V
I
D
= 4.3 A
b
I
D
= 3.6 A
b
100
-
1.0
-
-
-
-
-
3.3
-
0.12
-
-
-
-
-
-
-
-
-
2.0
± 100
25
250
0.27
0.38
-
V
V /°C的
V
nA
A
Ω
S
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
漏水槽容量
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
R
DS （ ON）
g
fs
V
DS
= 50 V，I
D
= 4.3 A
b
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
C
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V,
V
DS
= 25 V,
F = 1.0兆赫，见图。五
F = 1.0 MHz的
I
D
= 9.2 A，V
DS
= 80 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
-
-
490
150
30
12
-
-
-
9.8
64
21
27
4.5
7.5
-
-
-
-
12
3.0
7.1
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 5 V
-
-
-
V
DD
= 50 V，I
D
= 9.2 A,
R
G
= 9
Ω
,
R
D
= 5.2
Ω,
参见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
D
-
-
-
-
-
-
-
-
130
0.83
7.2
A
29
2.5
190
1.0
V
ns
C
G
S
T
J
= 25 ° C，I
S
= 7.2 A，V
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 9.2 A， di / dt的= 100 A / μs的
b
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
≤
300微秒;占空比
≤
2 %.
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