ISL6439
数据表
2004年7月
FN9057.4
单同步降压PWM控制器
宽带网关应用
该ISL6439让工作轻松了实现的
完整的控制和保护方案的DC- DC
降压转换器。设计用于驱动N沟道
在同步降压拓扑结构的MOSFET ,在ISL6439
集成了控制,输出调节,监测和
保护功能集成到单个封装中。
该ISL6439提供了简单的,单一的反馈回路,电压 -
模式控制,具有快速的瞬态响应。输出
电压可以被精确地调节到低至0.8V ,用
±1.5 %,比温线最大耐受
电压的变化。固定频率振荡器降低
设计的复杂性,同时平衡的典型应用成本
和EF网络效率。
误差放大器具有15MHz的增益带宽
产品和6V / μs压摆率使高转换
带宽快速的瞬态性能。由此产生的PWM
的占空比的范围从0 %到100% 。
保护从过电流条件被设置
监测第r
DS ( ON)
上MOSFET抑制PWM的
操作适当。该方法简化了
执行和通过消除提高了效率
需要的电流检测电阻器。
特点
从3.3V至5V输入进行操作
- 0.8V至V
IN
输出范围
- 0.8V内部参考
- ± 1.5 %,负载,线路电压和温度
驱动N沟道MOSFET
简单的单回路控制设计
- 电压模式PWM控制
快速瞬态响应
- 高带宽误差放大器器
- 全0%至100%占空比
无损,可编程过流保护
- 使用上MOSFET的
DS ( ON)
转换器可以提供和吸收电流
小尺寸转换器
- 内部固定频率振荡器
- ISL6439 :为300kHz
- ISL6439A : 600kHz的
内部软启动
14引脚SOIC封装或16引脚QFN 5×5
QFN封装:
- 符合JEDEC PUB95 MO- 220 QFN - 方形扁平
无引线 - 封装外形
- 靠近芯片级封装尺寸,从而提高
PCB的效率,并具有更薄的外形
无铅可用
应用
电缆调制解调器,机顶盒和DSL调制解调器
DSP和核通信处理器供应
内存用品
个人电脑外围设备
工业电源
3.3V -输入DC- DC稳压器
低电压分布式电源
1
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
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ISL6439
引脚配置
14引脚SOIC
顶视图
GND 1
LGATE
2
14 UGATE
13 BOOT
12相
11 VCC
10 CPGND
9启用
8 COMP
订购信息
温度
PART数的范围(
o
C)
ISL6439CB
ISL6439CBZ
(见注)
ISL6439IB
ISL6439IBZ
(见注)
ISL6439AIB
ISL6439AIBZ
(见注)
ISL6439IR
ISL6439IRZ
(见注)
ISL6439AIR
12相
11 VCC
10 CPGND
9
5
NC
6
FB
7
COMP
8
启用
NC
包
14引脚SOIC
14引脚SOIC
(无铅)
14引脚SOIC
14引脚SOIC
(无铅)
14引脚SOIC
14引脚SOIC
(无铅)
PKG DWG 。 #
M14.15
M14.15
M14.15
M14.15
M14.15
M14.15
0到70
0到70
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
-40到85
CPVOUT 3
CT1 4
CT2 5
6 OCSET
7 FB
16引脚QFN 5×5
顶视图
UGATE
LGATE
BOOT
GND
16引脚5×5 QFN L16.5x5B
16引脚5×5 QFN L16.5x5B
(无铅)
16引脚5×5 QFN L16.5x5B
16引脚5×5 QFN L16.5x5B
(无铅)
16
CPVOUT
CT1
CT2
OCSET
1
2
3
4
15
14
13
ISL6439AIRZ
(见注)
ISL6439EVAL1
ISL6439EVAL2
ISL6439 SOIC评估板
ISL6439 QFN评估板
ISL6439AEVAL1 ISL6439A SOIC评估板
ISL6439AEVAL2 ISL6439A QFN评估板
添加“ -T ”后缀部分号码磁带和卷轴包装。
注: Intersil无铅产品采用特殊的无铅材料
套;模塑料/晶片的附属材料和100 %雾锡
板终止完成,这是既锡铅和兼容
无铅焊接操作。 Intersil无铅产品MSL
分类,可达到或超过无铅峰值回流温度
IPC / JEDEC J STD- 020B的无铅要求。
2
ISL6439
绝对最大额定值
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 7V
绝对的启动电压,V
BOOT
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +15.0V
上部驱动器电源电压,V
BOOT
- V
相
. . . . . . . . . . . +6.0V
输入,输出或I / O电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 GND -0.3V到VCC + 0.3V
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 2级
热信息
热阻
θ
JA
(
o
C / W )
θ
JC
(
o
C / W )
SOIC封装(注1 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
67
不适用
QFN封装(注2 ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
35
5
最高结温。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 150
o
C
最大存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至150
o
C
最大的铅温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300
o
C
( SOIC - 只会提示)
对于推荐的焊接条件参见技术简介TB389 。
工作条件
电源电压VCC 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 3.3V ± 10 %
环境温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至85
o
C
结温范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40
o
C至125
o
C
注意:如果运行条件超过上述“绝对最大额定值” ,可能对器件造成永久性损坏。这是一个应力只评级和操作
器件在这些或以上的本规范的业务部门所标明的任何其他条件不暗示。
注意:
1.
θ
JA
测定用安装在一个高的有效热导率测试板在自由空气中的分量。参见技术简介TB379了解详细信息。
2.
θ
JA
测量在自由空气与装在一个高有效热导率测试板用“直接连接”的功能的组件。
θ
JC ,
该
“外壳温度”的测量是在包装上底部的裸露金属焊盘的中心。参见技术简介TB379 。
电气规格
参数
VCC电源电流
标称电源
上电复位
瑞星CPVOUT POR阈值
推荐工作条件,除非另有说明V
CC
= 3.3V ±5%和T
A
= 25°C
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
I
BIAS
6.1
6.9
7.7
mA
POR
广告
产业
4.25
4.10
0.3
4.30
4.30
0.6
4.42
4.50
0.9
V
V
V
CPVOUT POR阈值迟滞
振荡器
频率
f
OSC
IC = ISL6439C ,商业
IC = ISL6439I ,工业
IC = ISL6439AC ,商业
IC = ISL6439AI ,工业
斜坡幅度
参考
参考电压容差
标称参考电压
电荷泵
标称电荷泵输出
充电泵输出调节
误差放大器器
DC增益
增益带宽积
压摆率
软启动
软启动斜率
广告
产业
增益带宽积
SR
通过设计保证
V
CPVOUT
V
VCC
= 3.3V ,无负载
V
REF
V
OSC
275
250
575
550
-
300
300
600
600
1.5
325
340
625
640
-
千赫
千赫
千赫
千赫
V
P-P
-
-
-
0.800
1.5
-
%
V
-
-
5.1
2
-
-
V
%
-
-
-
88
15
6
-
-
-
dB
兆赫
V / μs的
6.2
6.2
7.3
7.6
ms
ms
5