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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第583页 > IXGH24N60CD1
HiPerFAST
TM
IGBT
随着二极管
光速系列
初步数据
IXGH 24N60CD1 V
CES
= 600 V
= 48 A
IXGT 24N60CD1我
C25
V
CE （ SAT ）
= 2.5 V
符号
V
CES
V
CGR
V
GES
V
创业板
I
C25
I
C110
I
CM
SSOA
（ RBSOA ）
P
C
T
J
T
JM
T
英镑
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GE
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 110°C
T
C
= 25 ° C， 1毫秒
V
GE
= 15 V ，T
VJ
= 125 ° C，R
G
= 22
W
钳位感性负载， L = 100
mH
T
C
= 25°C
最大额定值
600
600
±20
±30
48
24
80
I
CM
= 48
@ 0.8 V
CES
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
V
V
V
V
A
A
A
A
TO-268
（ IXGT ）
G
E
C（ TAB ）
的TO- 247的AD
（ IXGH ）
C（ TAB ）
G
C
E
C =收藏家，
TAB =收藏家
W
°C
°C
°C
°C
G =门，
E =发射器，
最大无铅焊接温度的
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
M
d
重量
安装扭矩（ M3 ）
TO-247
TO-268
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
6
4
g
g
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
600
2.5
T
J
= 25°C
T
J
= 150°C
5.5
200
3
±100
2.1
2.5
V
V
mA
mA
nA
V
特点
国际标准封装
JEDEC TO-247和表面
贴装TO- 268
高频IGBT
高电流处理能力
最新一代HDMOS
TM
过程
MOS栅极导通
- 驱动器的简单
快速恢复外延二极管（ FRED ）
- 软恢复低我
RM
应用
PFC电路
不间断电源（UPS ）
开关模式和谐振模式
电源
交流电机调速
直流伺服和机器人的驱动器
直流斩波器
优势
高功率密度
极快的开关速度高
频率的应用
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
I
GES
V
CE （ SAT ）
I
C
I
C
= 750
毫安，
V
GE
= 0 V
= 250
毫安，
V
CE
= V
GE
V
CE
= 0.8 V
CES
V
GE
= 0 V
V
CE
= 0 V, V
GE
=
±20
V
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
98603A (4/99)
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-5
IXGH 24N60CD1
IXGT 24N60CD1
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
9
17
1500
V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V ， F = 1兆赫
170
40
55
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V, V
CE
= 0.5 V
CES
13
17
感性负载，T
J
= 25°C
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH的，
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
感性负载，T
J
= 125°C
I
C
= I
C110
, V
GE
= 15 V ， L = 100
mH
V
CE
= 0.8 V
CES
, R
G
= R
关闭
= 10
W
备注：开关时间可能
增加V
CE
（钳） > 0.8 V
CES
,
更高的温度
J
或加强研究
G
15
25
75
60
0.24
15
25
1
130
110
0.6
140
110
0.36
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
ns
ns
mJ
0.83 K / W
(TO-247)
0.25
K / W
TO- 268AA （D
3
PAK ）
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
N
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
AD TO- 247 （ IXGH ）大纲
g
fs
C
IES
C
OES
C
水库
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
ri
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
t
D（上）
t
ri
E
on
t
D（关闭）
t
fi
E
关闭
R
thJC
R
thCK
I
C
= I
C110
; V
CE
= 10 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
1.5 2.49
反向二极管（ FRED ）
符号
V
F
I
RM
t
rr
R
thJC
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1.6
2.5
6
100
25
V
V
A
ns
ns
0.9 K / W
分钟。推荐足迹
I
F
= I
C110
, V
GE
= 0 V,
T
J
= 150°C
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 % T
J
= 25°C
I
F
= I
C110
, V
GE
= 0 V ， - 二
F
/ DT = 100 A / MS
V
R
= 100 V
I
F
= 1 ; -di / DT = 100 A / MS; V
R
= 30 V
T
J
= 100°C
T
J
= 25°C
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-5
IXGH 24N60CD1
IXGT 24N60CD1
50
T
J
= 25°C
200
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
T
J
= 25°C
V
GE
= 15V
40
160
13V
I
C
- 安培
I
C
- 安培
30
20
7V
120
11V
80
9V
10
0
0
1
2
3
4
5
40
7V
0
0
4
8
12
16
20
V
CE
- 伏特
图。 1饱和电压特性
V
CE
- 伏特
图。 2扩展输出特性
50
T
J
= 125°C
1.4
V
GE
= 15V
13V
11V
9V
40
V
CE （SAT）
- 归
V
GE
= 15V
I
C
= 48A
1.2
I
C
= 24A
I
C
- 安培
30
7V
1.0
I
C
= 12A
20
10
5V
0.8
0
0
1
2
3
4
5
0.6
25
50
75
100
125
150
V
CE
- 伏特
图。 3饱和电压特性
Fig.4
T
J
- 摄氏度
V的温度依赖性
CE （ SAT ）
50
V
CE
= 10V
F = 1MHz的
30
T
J
= 125°C
电容 - pF的
40
1000
C
国际空间站
I
C
- 安培
20
T
J
= 25°C
100
C
OSS
10
0
2
3
4
5
6
7
8
9
10
10
0
5
10
15
20
C
RSS
25
30
35
40
V
GE
- 伏特
图。 5准入曲线
版权所有2000 IXYS所有权利。
V
CE
-Volts
图。 V 6温度依赖性
F &
V
F
3-5
IXGH 24N60CD1
IXGT 24N60CD1
1.00
T
J
= 125°C
2.0
R
G
= 10
W
2.0
T
J
= 125°C
E
（关闭）
I
C
=48A
E
（上）
2.0
E
（关闭）
- 毫焦耳
E
（上）
- 毫焦耳
E
（上）
0.50
E
（关闭）
E
（上）
- 毫焦耳
0.75
1.5
1.5
1.5
E
（关闭）
- 毫焦耳
1.0
1.0
E
（上）
I
C
= 24A
E
（关闭）
I
C
= 12A
E
（关闭）
1.0
0.25
0.5
0.5
E
（上）
0.5
0.00
0
10
20
30
40
0.0
50
0.0
0.0
0
10
20
30
40
50
60
I
C
- 安培
图7 。 ê的依赖性
关闭
与ê
关闭
关于我
C
R
G
- 欧姆
图8 。 ê的依赖性
关闭
R上
G
16
V
CE
= 300V
I
C
= 24A
100
40
12
I
C
- 安培
V
GE
- 伏特
10
T
J
= -55至+ 125°C
8
R
G
= 4.7
W
的dV / dt < 5V / ns的
1
4
0
0
20
40
60
80
0.1
0
100
200
300
400
500
600
Q
g
- nanocoulombs
V
CE
- 伏特
图9 。栅极电荷
图10 。关闭安全工作区
1
D=0.5
D=0.2
Z
thJC
（K / W）
0.1
D=0.1
D=0.05
D=0.02
0.01
D=0.01
单脉冲
D =占空比
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
脉冲宽度 - 秒
图。 11 IGBT瞬态热阻
版权所有2000 IXYS所有权利。
4-5
IXGH 24N60CD1
IXGT 24N60CD1
60
A
50
I
F
40
1000
nC
Q
r
800
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
I
RM
30
A
25
20
15
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
T
VJ
=150°C
30
600
T
VJ
=100°C
20
400
10
T
VJ
=25°C
10
0
0
1
2
V
F
3 V
200
5
0
0
200
400
0
100
A/
m
s 1000
- 二
F
/ DT
600 A/
m
s 1000
800
- 二
F
/ DT
图。 12正向电流I
F
与V
F
图。 13反向恢复电荷Q
r
对 - 二
F
/ DT
90
ns
图。 14峰值反向电流I
RM
对 - 二
F
/ DT
20
2.0
T
VJ
= 100°C
V
R
= 300V
1.5
K
f
1.0
t
rr
80
V
V
FR
15
T
VJ
= 100°C
I
F
= 30A
V
FR
t
fr
1.00
s
t
fr
0.75
I
RM
70
0.5
I
F
= 60A
I
F
= 30A
I
F
= 15A
10
0.50
5
0.25
Q
r
0.0
0
40
80
120 °C 160
T
VJ
60
0
200
400
600
- 二
F
/ DT
800
A/
m
s 1000
0
0
200
400
0.00
600 A/
m
s 1000
800
di
F
/ DT
图。 15动态参数Q
r
和
I
RM
与牛逼
VJ
温度
1
K / W
图。 16恢复时间t
rr
对 - 二
F
/ DT
图。 17峰值正向电压V
FR
和T
fr
与迪
F
/ DT
常量Z的
thJC
计算方法：
i
R
THI
（K / W）
0.502
0.193
0.205
t
i
(s)
0.0052
0.0003
0.0162
0.1
Z
thJC
1
2
3
0.01
0.001
0.00001
DSEP 29-06
0.0001
0.001
0.01
0.1
t
s
1
图。 18瞬态热阻结到外壳
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5-5
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IRS2136D
ICS91305YGILF-T
IDT54FCT652DTQB
ISL55191IBZ
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IDT7133SA45G
ISL9011IRNCZ
ICS9248yF-103
IDT54FCT162500CTEB
IS61NLF25636A-7.5TQI
ITS23F06P
IXFK40N60
IXFC60N20
IRKHF200-12FP
IP4350CX24
IDT71V67802150PF
ISD1610BPY
IS61LPS51218A-250B3I
IDT74FCT841CTPYB
IMP5111CDP
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操作
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    联系人：杨小姐
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    IXGH24N60CD1
    -
    -
    -
    -
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更多配单专家
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