【高级技术信息HiPerFETTMMOSFETISOPLUS220TM电气隔离返回地面N沟道增强模式高】,IC型号IXFC60N20,IXFC60N20 PDF资料,IXFC60N20经销商,ic,电子元器件-51电子网

高级技术信息

HiPerFET

MOSFET

ISOPLUS220

电气隔离返回地面

N沟道增强模式

高dv / dt ，低吨

， HDMOS

家庭

IXFC 60N20

DSS

D25

DS （ ON）

= 200

= 60

= 33

≤

250

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25°C

最大额定值

200

±20

±30

240

1.0

230

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

°C

ISOPLUS 220

G =门，

S =源

*专利申请中

孤立的背面*

D =排水，

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

300

特点

对直接铜键合硅片

基板

- 高功率耗散

- 隔离安装面

- 2500V电气隔离

低漏片电容（ <35pF ）

低R

DS （ ON）

坚固的多晶硅栅单元结构

非钳位感应开关（ UIS）

评级

快intrinsicRectifier

应用

DC- DC转换器

Batterychargers

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

交流电动机的控制

优势

易于组装：无螺丝或隔离

需要箔

节省空间

高功率密度

低集电极对地电容

（低EMI ）

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

200

±100

= 25°C

= 125°C

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 4毫安

±20

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= I

注意事项1， 2

1毫安

33 m

98843 (6/01)

IXFC 60N20

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

5200

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

880

260

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

= 0.5 I

D25

, R

= 2.5

（外部）

155

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= I

注2

0.90

0.30

K / W

ISOPLUS220概要

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= I

注意事项1， 2

源极 - 漏极二极管

符号

= 25A

-di / DT = 100 A / μs的，

= 50 V

测试条件

= 0 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

240

1.5

250

0.7

注：所有接线端子焊锡镀。

1 - GATE

2 - 漏极

3 - 来源

重复;脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V,

注1

注： 1.脉冲检验，t

≤

300

占空比

≤

2 %

2. I

= 30A

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,486,715

5,381,025

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ISOPLUS220

电气隔离返回地面

N沟道增强模式

高dv / dt ，低吨

， HDMOS

家庭

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DSS

D25

DS （ ON）

= 200

= 60

= 33

≤

250

符号

DSS

DGR

GSM

D25

dv / dt的

英镑

重量

测试条件

= 25 ℃至150 ℃的

= 25 ℃至150 ℃;

= 1 M

连续

短暂

= 25°C

= 25 ° C，脉冲宽度限制T

= 25°C

≤

， di / dt的

≤

100 A / μs的，V

≤

DSS

≤

150℃ ，R

= 2

= 25°C

最大额定值

200

±20

±30

240

1.0

230

-55 ... +150

150

-55 ... +150

V / ns的

°C

ISOPLUS 220

G =门，

S =源

*专利申请中

孤立的背面*

D =排水，

从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）

300

特点

对直接铜键合硅片

基板

- 高功率耗散

- 隔离安装面

- 2500V电气隔离

低漏片电容（ <35pF ）

低R

DS （ ON）

坚固的多晶硅栅单元结构

非钳位感应开关（ UIS）

评级

快intrinsicRectifier

应用

DC- DC转换器

Batterychargers

开关模式和谐振模

电源

直流斩波器

交流电动机的控制

优势

易于组装：无螺丝或隔离

需要箔

节省空间

高功率密度

低集电极对地电容

（低EMI ）

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

200

±100

= 25°C

= 125°C

DSS

GS （ TH）

GSS

DSS

DS （ ON）

= 0 V，I

= 250

= V

, I

= 4毫安

±20

, V

= 0

= V

DSS

= 0 V

= 10 V，I

= I

注意事项1， 2

1毫安

33 m

98843 (6/01)

IXFC 60N20

符号

测试条件

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

5200

= 0 V, V

= 25 V ， F = 1兆赫

880

260

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

= 0.5 I

D25

, R

= 2.5

（外部）

155

= 10 V, V

= 0.5 V

DSS

, I

= I

注2

0.90

0.30

K / W

ISOPLUS220概要

国际空间站

OSS

RSS

D（上）

D（关闭）

G（ ON）的

thJC

thCK

= 10 V ;我

= I

注意事项1， 2

源极 - 漏极二极管

符号

= 25A

-di / DT = 100 A / μs的，

= 50 V

测试条件

= 0 V

特征值

= 25 ° C，除非另有规定编）

分钟。典型值。马克斯。

240

1.5

250

0.7

注：所有接线端子焊锡镀。

1 - GATE

2 - 漏极

3 - 来源

重复;脉冲宽度限制T

= I

, V

= 0 V,

注1

注： 1.脉冲检验，t

≤

300

占空比

≤

2 %

2. I

= 30A

IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。

IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：

4,835,592

4,850,072

4,881,106

4,931,844

5,017,508

5,034,796

5,049,961

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5,187,117

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原厂一级代理，原装现货

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一级代理专营，原装现货，价格优势

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