IXFK26N100P
IXFX26N100P
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
测试条件
V
GS
= 0V
重复，脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= I
S
, V
GS
= 0V ，说明1
I
F
= 13A ， -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 100V, V
GS
= 0V
1.2
12
0.15
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1Ω （外部）
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V ， F = 1MHz的
V
DS
= 20V ，我
D
= 0.5 I
D25
注意1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
13
22
11.9
690
60
1.50
45
45
72
50
197
76
85
0.16
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
TO- 264 （ IXFK ）大纲
特征值
T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
分钟。
典型值。
马克斯。
26
104
1.5
300
A
A
V
ns
μC
A
PLUS 247
TM
（ IXFX ）大纲
注1 ：
脉冲测试，T
≤
300μS ;占空比D
≤
2%.
端子： 1 - 门
2 - 漏极（集电极）
3 - 源（发射极）
4 - 漏极（集电极）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFK26N100P
IXFX26N100P
图。 7.输入导纳
40
35
30
25
20
15
10
10
5
0
5.0
5.5
6.0
6.5
7.0
7.5
8.0
8.5
9.0
5
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
T
J
= 125C
25C
- 40C
50
45
40
图。 8.跨导
g
F小号
- 西门子
35
30
25
20
15
T
J
= - 40C
25C
125C
I
D
- 安培
V
GS
- 伏特
I
D
- 安培
图。 9.正向电压降
征二极管
80
70
60
16
14
12
V
DS
= 500V
I
D
= 13A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
50
40
30
20
10
0
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
T
J
= 125C
T
J
= 25C
V
GS
- 伏特
10
8
6
4
2
0
0
40
80
120
160
200
240
280
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100,000
1.000
图。 12.最大瞬态热
阻抗
f
= 1兆赫
西塞
电容 - 皮法
10,000
1,000
科斯
Z
（日） JC
- C / W
30
35
40
0.100
0.010
100
CRSS
10
0
5
10
15
20
25
0.001
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
V
DS
- 伏特
脉冲宽度 - 秒
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS REF ： F_32N100P （ 86 ） 08年3月28日-B
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