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B3 97

TYPE

IPD040N03L摹

IPS040N03L摹

的OptiMOS

3电源晶体管

特点

快速开关MOSFET的开关电源

优化技术的DC / DC转换器

根据JEDEC合格

1)

为目标的应用

N沟道逻辑电平

优秀的栅极电荷X

R

DS （ ON）

产品（ FOM ）

极低的导通电阻

R

DS （ ON）

额定雪崩

无铅电镀;符合RoHS标准

TYPE

IPD040N03L摹

IPS040N03L摹

产品概述

V

DS

R

DS （ ON），最大

I

D

30

4

90

V

m

A

包

记号

PG-TO252-3-11

040N03L

PG-TO251-3-11

040N03L

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

连续漏电流

符号条件

I

D

V

GS

=10 V,

T

C

=25 °C

V

GS

=10 V,

T

C

=100 °C

V

GS

=4.5 V,

T

C

=25 °C

V

GS

=4.5 V,

T

C

=100 °C

漏电流脉冲

2)

雪崩电流，单脉冲

3)

雪崩能量，单脉冲

反向二极管的dv / dt

门源电压

1)

价值

90

76

89

63

400

90

60

6

±20

单位

A

I

D，脉冲

I

AS

E

AS

的dV / dt

V

GS

T

C

=25 °C

T

C

=25 °C

I

D

=50 A,

R

GS

=25

I

D

=90 A,

V

DS

=24 V,

的di / dt = 200 A / μs的，

T

， MAX

=175 °C

mJ

KV / μs的

V

J- STD20和JESD22

REV 。 1.02

第1页

2008-04-15

IPD040N03L摹

IPS040N03L摹

最大额定值，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

参数

功耗

工作和存储温度

IEC气候类型; DIN IEC 68-1

符号条件

P

合计

T

j

,

T

英镑

T

C

=25 °C

价值

79

-55 ... 175

55/175/56

单位

W

°C

参数

符号条件

分钟。

值

典型值。

马克斯。

单位

热特性

热阻，结 - 案

SMD版本， PCB上的元件

R

thJC

R

thJA

最小的足迹

6平方厘米散热面积

4)

电气特性，

at

T

j

= 25℃ ，除非另有说明

静态特性

漏源击穿电压

栅极阈值电压

零栅极电压漏极电流

V

（ BR ） DSS

V

GS

=0 V,

I

D

= 1毫安

V

GS （ TH）

I

DSS

V

DS

=V

GS

,

I

D

=250 A

V

DS

=30 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=25 °C

V

DS

=30 V,

V

GS

=0 V,

T

j

=125 °C

栅极 - 源极漏电流

漏源导通电阻

5)

I

GSS

R

DS （ ON）

V

GS

=20 V,

V

DS

=0 V

V

GS

=4.5 V,

I

D

=30 A

V

GS

=10 V,

I

D

=30 A

栅极电阻

跨

2)

3)

4)

-

1.9

75

50

K / W

30

1

-

0.1

-

2.2

1

V

A

-

10

4.7

3.3

1.5

89

100

5.9

4

-

S

nA

m

R

G

g

fs

|V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

,

I

D

=30 A

44

参见图3详细信息

参见图13更详细的信息

设备上40毫米×40 x 1.5毫米的环氧印刷电路板FR4与6平方厘米（一层70微米厚）的铜区域排水

连接。 PCB是垂直的静止空气中。

5)

从测得的漏标签，源极引脚

REV 。 1.02

第2页

2008-04-15

IPD040N03L摹

IPS040N03L摹

参数

符号条件

分钟。

动态特性

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

打开-O FF延迟时间

下降时间

栅极电荷特性

6)

门源费

栅极电荷的门槛

栅漏电荷

交换费

栅极电荷总量

栅极电压平台

栅极电荷总量

Q

gs

Q

G（ TH ）

Q

gd

Q

sw

Q

g

V

高原

Q

g

V

DD

=15 V,

I

D

=30 A,

V

GS

= 0到10伏

V

DS

=0.1 V,

V

GS

= 0 4.5 V

V

DD

=15 V,

V

GS

=0 V

V

DD

=15 V,

I

D

=30 A,

V

GS

= 0 4.5 V

-

8.8

4.7

4.2

8.3

18

3.0

38

-

24

-

V

nC

C

国际空间站

C

OSS

C

RSS

t

D（上）

t

r

t

D（关闭）

t

f

V

DD

=15 V,

V

GS

=10 V,

I

D

=30 A,

R

G

=1.6

V

GS

=0 V,

V

DS

=15 V,

f

= 1兆赫

-

2900

1100

60

7.4

6.8

27

4.2

3900

1500

-

ns

pF

值

典型值。

马克斯。

单位

栅极电荷总量，同步。 FET

输出充电

反向二极管

二极管连续正向电流

二极管脉冲电流

二极管的正向电压

Q

G（同步）

Q

OSS

-

16

28

21

-

nC

I

S

I

S，脉冲

V

SD

T

C

=25 °C

V

GS

=0 V,

I

F

=30 A,

T

j

=25 °C

V

R

=15 V,

I

F

=I

S

,

di

F

/ DT = 400 A / μs的

-

0.83

66

400

1.1

A

V

反向恢复电荷

Q

rr

-

20

nC

6)

参见图16栅极电荷参数定义

REV 。 1.02

第3页

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IPD040N03L摹

IPS040N03L摹

1功耗

P

合计

= F （T

C

)

2漏极电流

I

D

= F （T

C

);

V

GS

≥10

V

80

100

80

60

P

合计

[W]

40

I

D

[A]

40

20

0

50

100

150

200

0

50

100

150

200

20

0

T

C

[°C]

T

C

[°C]

3安全工作区

I

D

= F（V

DS

);

T

C

=25 °C;

D

=0

参数：

t

p

10

3

1 s

限于由导通状态

阻力

10 s

4最大。瞬态热阻抗

Z

thJC

= F （T

p

)

参数：

D

=t

p

/T

10

2

100 s

1

DC

0.5

Z

thJC

〔 K / W〕

I

D

[A]

10

1

0.2

0.1

0.05

1毫秒

10毫秒

0.1

0.02

10

0

0.01

单脉冲

10

-1

10

-1

10

0

10

1

10

2

0.01

0

1

10

-6

10

-5

10

-4

10

-3

10

-2

10

-1

10

0

V

DS

[V]

t

p

[s]

REV 。 1.02

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IPD040N03L摹

IPS040N03L摹

5典型。输出特性

I

D

= F（V

DS

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

160

5V

4.5 V

10 V

4V

6典型。上电阻漏 - 源

R

DS （ ON）

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

参数：

V

GS

12

10

3.2 V

120

8

3.5 V

80

R

DS （ ON）

[m

]

I

D

[A]

3.5 V

6

4V

4.5 V

4

40

3.2 V

5V

10 V

11.5 V

3V

2.8 V

2

0

1

2

3

0

20

40

60

80

100

V

DS

[V]

I

D

[A]

7典型。传输特性

I

D

= F（V

GS

); |V

DS

|>2|I

D

|R

DS （ ON）最大值

参数：

T

j

160

8典型。正向跨导

g

fs

= F（我

D

);

T

j

=25 °C

160

120

80

g

fs

[S]

175 °C

25 °C

I

D

[A]

80

40

0

1

2

3

4

5

0

20

40

60

80

100

V

GS

[V]

I

D

[A]

REV 。 1.02

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