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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第834页 > IXFX220N17T2
高级技术信息
GigaMOS
TM
TrenchT2
HiPerFET
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
快速内在二极管
IXFK220N17T2
IXFX220N17T2
R
DS ( ON)
t
rr
TO- 264 ( IXFK )
V
DSS
I
D25
=
=
170V
220A
6.3mΩ
Ω
140ns
符号
V
DSS
V
DGR
V
GSS
V
GSM
I
D25
I
L( rms)的
I
DM
I
A
E
AS
P
D
dv / dt的
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
F
C
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至175 ℃的
T
J
= 25° C到175 ° C,R
GS
= 1MΩ
连续
短暂
T
C
= 25 ° C(芯片功能)
外部引线电流限制
T
C
= 25 ° C,脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
, V
DD
V
DSS
, T
J
175°C
最大额定值
170
170
±
20
±
30
220
160
550
110
2
1250
20
-55 ... +175
175
-55 ... +175
V
V
V
V
A
A
A
A
J
W
V / ns的
°C
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
N /磅。
g
g
G
D
TAB
G
D
S
TAB
PLUS247 ( IXFX )
S
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
特点
高电流处理能力
快速内在二极管
额定雪崩
低R
DS ( ON)
优势
易于安装
节省空间
高功率密度
应用
1.6毫米( 0.062英寸)从案例10秒
塑料机身10秒
安装扭矩( TO- 264 )
安装力
TO-264
PLUS247
(PLUS247)
300
260
1.13/10
20..120 /4.5..27
10
6
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
BV
DSS
V
GS ( TH)
I
GSS
I
DSS
R
DS ( ON)
V
GS
= 0V时,我
D
= 3毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 8毫安
V
GS
=
±
20V, V
DS
= 0V
V
DS
= V
DSS
, V
GS
= 0V
V
GS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
T
J
= 150°C
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
170
2.5
5.0
±
200
V
V
nA
25
μA
3毫安
5.1
6.3 mΩ
同步Recification
DC- DC转换器
电池充电器
开关模式和谐振模
电源
直流斩波器
交流马达驱动器
不间断电源
高速电源开关
应用
2010 IXYS公司,版权所有
DS100230(01/10)
IXFK220N17T2
IXFX220N17T2
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编)
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
R
Gi
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
Q
G( ON)的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
0.15
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
门输入电阻
电阻开关时间
V
GS
= 10V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 1Ω (外部)
V
GS
= 0V, V
DS
= 25V , F = 1MHz的
V
DS
= 10V ,我
D
= 60A ,注1
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
105
175
31
2130
290
1.40
44
160
40
150
500
130
137
0.12
S
nF
pF
pF
Ω
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
° C / W
° C / W
DIM 。
A
A1
A2
b
b1
b2
c
D
E
e
J
K
L
L1
P
Q
Q1
R
R1
S
T
毫米
分钟。
马克斯。
4.82
5.13
2.54
2.89
2.00
2.10
1.12
1.42
2.39
2.69
2.90
3.09
0.53
0.83
25.91 26.16
19.81 19.96
5.46 BSC
0.00
0.25
0.00
0.25
20.32 20.83
2.29
2.59
3.17
3.66
6.07
6.27
8.38
8.69
3.81
4.32
1.78
2.29
6.04
6.30
1.57
1.83
英寸
分钟。
马克斯。
.190
.202
.100
.114
.079
.083
.044
.056
.094
.106
.114
.122
.021
.033
1.020
1.030
.780
.786
0.215 BSC
.000
.010
.000
.010
.800
.820
.090
.102
.125
.144
.239
.247
.330
.342
.150
.170
.070
.090
.238
.248
.062
.072
终端:
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
TO- 264 ( IXFK )大纲
源极 - 漏极二极管
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C,除非另有规定编)
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
V
GS
= 0V
重复,脉冲宽度为T有限公司
JM
I
F
= 100A ,V
GS
= 0V ,说明1
I
F
= 110A , -di / DT = 100A / μs的
V
R
= 85V, V
GS
= 0V
0.5
8.6
特征值
分钟。
典型值。
马克斯。
220
880
1.3
140
A
A
V
ns
μC
A
PLUS 247
TM
( IXFX )大纲
注: 1 。
脉冲测试,T
300μS ,占空比D
2%.
终端:
1 - GATE
2 - 漏极
3 - 来源
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
高级技术信息
本文中所呈现的产品正在开发中。所提供的技术规格衍生
从主观设计的评价,基于先前的知识和经验,并构成
"considered reflection"的预期效果。 IXYS保留更改限制的权利,测试
条件和尺寸,恕不另行通知。
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT覆盖
4,835,592
通过以下一种或多项美国专利: 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 0.244
.170 .190
7,157,338B2
6,683,344
6,727,585
7,005,734 B2
6,710,405 B2 6,759,692
7,063,975 B2
6,710,463
6,771,478 B2 7,071,537
IXFK220N17T2
IXFX220N17T2
图。 1.输出特性@ T
J
= 25C
220
200
180
160
300
6V
V
GS
= 10V
7V
400
350
V
GS
= 10V
7V
图。 2.扩展的输出特性@ T
J
= 25C
I
D
- 安培
120
100
80
60
40
20
0
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
5V
I
D
- 安培
140
250
200
150
100
50
6V
5V
4V
0
0.0
0.5
1.0
1.5
4V
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
图。 3.输出特性@ T
J
= 150C
220
200
180
160
V
GS
= 10V
7V
6V
3.4
3.0
2.6
图。 4.
DS ( ON)
归到我
D
= 110A的价值
- 结温
V
GS
= 10V
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
140
120
100
80
60
40
20
0
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
4V
5V
2.2
1.8
1.4
1.0
0.6
0.2
-50
-25
0
25
50
75
I
D
= 220A
I
D
= 110A
100
125
150
175
V
DS
- 伏特
T
J
- 摄氏
图。 5.归
DS ( ON)
I
D
= 110A的价值
与漏电流
3.4
V
GS
= 10V
3.0
T
J
= 175C
2.6
120
2.2
1.8
1.4
T
J
= 25C
1.0
0.6
0
40
80
120
160
200
240
280
320
360
40
20
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
180
160
外部引线电流限制
140
图。 6.漏电流与外壳温度
R
DS ( ON)
- 归
I
D
- 安培
I
D
- 安培
100
80
60
T
C
- 摄氏
2010 IXYS公司,版权所有
IXFK220N17T2
IXFX220N17T2
图。 7.输入导纳
200
180
160
140
120
100
25C
80
60
40
20
0
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
5.5
6.0
50
0
0
20
40
60
80
100
120
140
160
180
200
220
- 40C
T
J
= 150C
250
25C
200
150C
150
100
350
T
J
= - 40C
300
图。 8.跨导
V
GS
- 伏特
g
F小号
- 西门子
I
D
- 安培
I
D
- 安培
图。征二极管9.正向电压降
320
280
240
7
10
9
8
V
DS
= 85V
I
D
= 110A
I
G
= 10毫安
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
GS
- 伏特
T
J
= 150C
T
J
= 25C
200
160
120
80
6
5
4
3
2
1
0
40
0
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
V
SD
- 伏特
Q
G
- nanocoulombs
图。 11.电容
100.0
1,000
图。 12.正向偏置安全工作区
f
= 1兆赫
R
DS ( ON)
极限
电容 - 纳法
西塞
10.0
100
25s
I
D
- 安培
100s
1.0
科斯
10
T
J
= 175C
T
C
= 25C
1ms
CRSS
0.1
0
5
10
15
20
25
30
35
40
1
1
单脉冲
10
100
1,000
V
DS
- 伏特
V
DS
- 伏特
IXYS保留更改限制,试验条件和尺寸的权利。
IXFK220N17T2
IXFX220N17T2
图。 13.电阻导通上升时间
- 结温
400
R
G
= 1 , V
GS
= 10V
350
300
V
DS
= 85V
I
D
图。 14.电阻导通上升时间
与漏电流
350
R
G
= 1 , V
GS
= 10V
300
V
DS
= 85V
T
J
= 25C
= 200A
250
t
r
- 纳秒
t
r
- 纳秒
250
200
150
100
50
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
125
200
150
100
T
J
= 125C
I
D
= 100A
50
0
40
60
80
100
120
140
160
180
200
T
J
- 摄氏
I
D
- 安培
图。 15.电阻导通开关时间
与栅极电阻
700
600
500
400
I
D
= 100A
300
200
100
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
80
60
40
20
160
600
550
500
120
100
图。 16.电阻关断开关时间
- 结温
150
t
r
V
DS
= 85V
t
D(上)
- - - -
I
D
= 200A
T
J
= 125°C ,V
GS
= 10V
140
t
f
V
DS
= 85V
t
D(关闭)
- - - -
140
130
R
G
= 1, V
GS
= 10V
t
D(关闭)
- 纳秒
t
D(上)
- 纳秒
t
r
- 纳秒
t
f
- 纳秒
450
400
350
300
250
200
150
25
35
45
55
65
75
85
95
105
115
I
D
= 100A
I
D
= 200A
120
110
100
90
80
70
60
125
R
G
- 欧姆
T
J
- 摄氏
图。 17.电阻关断开关时间
与漏电流
600
170
800
700
600
500
400
300
200
100
1
图。 18.电阻关断开关时间
与栅极电阻
700
t
f
500
V
DS
= 85V
t
D(关闭)
- - - -
150
t
f
V
DS
= 85V
t
D(关闭)
- - - -
R
G
= 1, V
GS
= 10V
T
J
= 125°C ,V
GS
= 10V
600
500
t
D(关闭)
- 纳秒
t
D(关闭)
- 纳秒
t
f
- 纳秒
400
T
J
= 125C
130
t
f
- 纳秒
I
D
= 200A
400
300
200
100
0
300
110
I
D
= 100A
200
T
J
= 25C
90
100
70
0
40
60
80
100
120
140
160
180
50
200
2
3
4
5
6
7
8
9
10
I
D
- 安培
R
G
- 欧姆
2010 IXYS公司,版权所有
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批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXFX220N17T2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2885615943 复制
电话:0512-82613006
联系人:曾小姐
地址:昆山市朝阳东路99号4楼
IXFX220N17T2
IXYS
19+
355
标准封装
一级授权代理IGBT模块 可控硅模块 二极管 晶闸管 熔断器 保证全新原装正品
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1257051031 复制
电话:0755-83361530
联系人:朱小姐
地址:深圳褔田区华强北上步工业区201栋303A
IXFX220N17T2
IXYS/LITTELFUSE
23+
450
TO-247
450¥/片,7-14天交期
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2110158237 复制 点击这里给我发消息 QQ:316279873 复制 点击这里给我发消息 QQ:1298863740 复制 点击这里给我发消息 QQ:932480677 复制

电话:0755-82561519
联系人:李先生
地址:深圳市福田区上步工业区304栋西5楼503室
IXFX220N17T2
IXYS/艾赛斯
2407+
9600
TO-247MAX
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