HiPerFET
TM
功率MOSFET
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
初步数据表
IXFH / IXFT / IXFX14N100 1000 V
14 A 0.75
W
IXFH / IXFT / IXFX15N100 1000 V
15 A 0.70
W
t
rr
200纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
14N100
15N100
14N100
15N100
14N100
15N100
最大额定值
1000
1000
±20
±30
14
15
56
60
14
15
45
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
的TO- 247的AD
（ IXFH ）
（ TAB ）
PLUS 247
TM
（ IXFX ）
（ TAB ）
G
D
的TO- 268 （ D3）的
（ IXFT ）
G
S
（ TAB ）
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13/10
6
特点
q
国际标准封装
q
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
q
坚固的多晶硅栅单元结构
q
非钳位感应开关（ UIS）
评级
q
低封装电感
- 易于驾驶和保护
q
快速内在整流器
应用
q
DC- DC转换器
q
电池充电器
q
开关模式和谐振模
电源
q
直流斩波器
q
交流电动机的控制
q
温度和照明控制
优势
q
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）或
安装夹或弹簧（ PLUS 247
TM
)
q
高功率表面贴装封装
q
高功率密度
97535B (1/99)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
2.5
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
1
0.75
0.70
V
V
nA
mA
mA
W
W
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
14N100
15N100
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH14N100
IXFH15N100
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6
10
4500
430
150
27
30
120
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
220
30
85
0.35
（ TO- 247封装类型）
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
IXFT14N100
IXFT15N100
IXFX15N100
IXFX14N100
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
W
（外部）
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
14N100
15N100
14N100
15N100
14
15
56
60
1.5
A
A
A
A
V
N
1.5 2.49
PLUS247
TM
（ IXFX ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
T
J
T
J
T
J
T
J
T
J
T
J
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 125°C
200
350
1
2
10
15
ns
ns
mC
mC
A
A
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
TO- 268AA （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
HiPerFET
TM
功率MOSFET
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
N沟道增强模式
高dv / dt ，低吨
rr
， HDMOS
TM
家庭
初步数据表
IXFH / IXFT / IXFX14N100 1000 V
14 A 0.75
W
IXFH / IXFT / IXFX15N100 1000 V
15 A 0.70
W
t
rr
200纳秒
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1兆瓦
连续
短暂
T
C
= 25°C
T
C
= 25 ° C，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25°C
T
C
= 25°C
I
S
I
DM
， di / dt的
100 A / MS ，V
DD
V
DSS
,
T
J
150℃ ，R
G
= 2
W
T
C
= 25°C
14N100
15N100
14N100
15N100
14N100
15N100
最大额定值
1000
1000
±20
±30
14
15
56
60
14
15
45
5
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
纳米/ lb.in 。
g
的TO- 247的AD
（ IXFH ）
（ TAB ）
PLUS 247
TM
（ IXFX ）
（ TAB ）
G
D
的TO- 268 （ D3）的
（ IXFT ）
G
S
（ TAB ）
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
安装力矩
300
1.13/10
6
特点
q
国际标准封装
q
低R
DS （ ON）
HDMOS
TM
过程
q
坚固的多晶硅栅单元结构
q
非钳位感应开关（ UIS）
评级
q
低封装电感
- 易于驾驶和保护
q
快速内在整流器
应用
q
DC- DC转换器
q
电池充电器
q
开关模式和谐振模
电源
q
直流斩波器
q
交流电动机的控制
q
温度和照明控制
优势
q
易与1螺钉安装（ TO- 247 ）
（隔绝安装螺纹孔）或
安装夹或弹簧（ PLUS 247
TM
)
q
高功率表面贴装封装
q
高功率密度
97535B (1/99)
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
1000
2.5
4.5
±100
T
J
= 25°C
T
J
= 125°C
250
1
0.75
0.70
V
V
nA
mA
mA
W
W
V
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 4毫安
V
GS
=
±20
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= 0.8 V
DSS
V
GS
= 0 V
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
14N100
15N100
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
版权所有2000 IXYS所有权利。
1-4
IXFH14N100
IXFH15N100
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
6
10
4500
430
150
27
30
120
30
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
220
30
85
0.35
（ TO- 247封装类型）
0.25
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
K / W
K / W
IXFT14N100
IXFT15N100
IXFX15N100
IXFX14N100
AD TO- 247 （ IXFH ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
thCK
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
R
G
= 2
W
（外部）
暗淡。毫米
分钟。马克斯。
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
L
M
19.81 20.32
20.80 21.46
15.75 16.26
3.55 3.65
4.32 5.49
5.4
6.2
1.65 2.13
-
4.5
1.0
1.4
10.8 11.0
4.7
0.4
5.3
0.8
英寸
分钟。马克斯。
0.780 0.800
0.819 0.845
0.610 0.640
0.140 0.144
0.170 0.216
0.212 0.244
0.065 0.084
-
0.177
0.040 0.055
0.426 0.433
0.185 0.209
0.016 0.031
0.087 0.102
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
RM
I
RM
I
F
= I
S
-di / DT = 100 A / MS ，
V
R
= 100 V
测试条件
V
GS
= 0 V
重复;
脉冲宽度限制T
JM
特征值
(T
J
= 25 ° C，除非另有规定编）
分钟。典型值。马克斯。
14N100
15N100
14N100
15N100
14
15
56
60
1.5
A
A
A
A
V
N
1.5 2.49
PLUS247
TM
（ IXFX ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
300
女士，
占空比
2 %
T
J
T
J
T
J
T
J
T
J
T
J
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 125°C
200
350
1
2
10
15
ns
ns
mC
mC
A
A
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
1
b
2
C
D
E
e
L
L1
Q
R
TO- 268AA （D
3
PAK ）
DIM 。
A
A
1
A
2
b
b
2
C
D
E
E
1
e
H
L
L1
L2
L3
L4
毫米
分钟。马克斯。
4.9
5.1
2.7
2.9
.02
.25
1.15
1.45
1.9
2.1
.4
.65
13.80 14.00
15.85 16.05
13.3
13.6
5.45 BSC
18.70 19.10
2.40
2.70
1.20
1.40
1.00
1.15
0.25 BSC
3.80
4.10
英寸
分钟。马克斯。
.193 .201
.106 .114
.001 .010
.045 .057
.75
.83
.016 .026
.543 .551
.624 .632
.524 .535
0.215 BSC
.736 .752
.094 .106
.047 .055
.039 .045
0.010 BSC
.150 .161
毫米
分钟。马克斯。
4.83
5.21
2.29
2.54
1.91
2.16
1.14
1.40
1.91
2.13
2.92
3.12
0.61
0.80
20.80 21.34
15.75 16.13
5.45 BSC
19.81 20.32
3.81
4.32
5.59
6.20
4.32
4.83
英寸
分钟。马克斯。
.190 .205
.090 .100
.075 .085
.045 .055
.075 .084
.115 .123
.024 .031
.819 .840
.620 .635
0.215 BSC
.780 .800
.150 .170
.220 .244
.170 .190
分钟。推荐足迹
版权所有2000 IXYS所有权利。
IXYS MOSFET和IGBT被覆盖的一个或一个以上的以下美国专利：
4,835,592
4,881,106
5,017,508
5,049,961
5,187,117
5,486,715
4,850,072
4,931,844
5,034,796
5,063,307
5,237,481
5,381,025
2-4
QQ：2880707522 复制
